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三星加大投资 明年全球内存芯片市场将出现反弹

2019年12月13日 10:04 次阅读

据韩国媒体报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。据预计,由于供应有限,以及对5G设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹。

三星加大投资 明年全球内存芯片市场将出现反弹

三星是世界上最大的NAND闪存芯片制造商,NAND闪存芯片可以永久保存数据,普遍用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。三星2017年曾宣布,未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前,三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。

此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资,之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段为80亿美元。

二期项目预计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。

有分析人士表示,三星为了打击国产自主内存,正在加大投资,以保证足够的创新。今年9月,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

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