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MOS管集成电路的十条使用操作准则

2019年01月12日 09:16 次阅读

所有MOS管集成电路(包括P沟道MOS,N沟道MOS,互补MOS管-CMOS集成电路)都有一层绝缘

栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻一二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式,最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDDGND短路或开路,器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化,那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。

由于不可避免的短时间操作弓起的高静电电压放电现像,例如人在打腊地板上走动时会弓起高达4KV-15KV的静电高压,此高压与环境湿度和表面的条件有关,因而在使用CMOS管、NMOS管器件时必须遵守下列预防准则:

1、不要超过手册上所列出的极限工作条件的限制。

2、器件上所有空闲的输入端必须接VDD或VSS,并且要接触良好。

3、所有低阻抗设备(例如脉冲信号发生器等)在接到CMOS或NMOS集成电路输入端以前必然让器件先接通电源,同样设备与器件断开后器件才能断开电源。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

4、包含有CMOS管和NMOS管集成电路的印刷电路板仅仅是一个器件的延伸,同样需要遵守操作准则。从印刷电路板边缘的接插件直接联线到器件也能引起器件损伤,必须避免一般的塑料包装,印刷电路板接插件上的CMOS管或NMOS管集成电路的地址输入端或输出端应当串联一个电阻,由于这些串联电阻和输入电容的时间常数增加了延迟时间。这个电阻将会限制由于印刷电路板移动或与易产生静电的材料接触所产生的静电高压损伤。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

5、所有CMOS管和NMOS管集成电路的储存和运输过程必须采用抗静电材料做成的容器,而不能按常规将器件插入塑料或放在普通塑料的托盘内,直到准备使用时才能从抗静电材料容器中取出来。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

6、所有CMOS管和NMOS管集成电路应当放置在接地良好的工作台上,鉴于工作人员也能对工作台产出静电放电,所以工作人员在操作器件之前自身必须先接地,为此建议工作人员要用牢固的导电带将手腕或肘部与工作台表面连接良好。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

7、尼龙或其它易产生静电的材料不允许与CMOS管和NMOS管集成电路接触。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

8、在自动化操作过程中,由于器件的运动,传送带的运动和印刷电路板的运动可能会产生很高的静电压,因此要在车间内使用电离空气鼓风机和增湿机使室内相对湿度在35%以上,凡是能和集成电路接触的设备的顶盖、底部、侧面部分均要采用接地的金属或其它导电材料。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

9、冷冻室要用二氧化碳制冷,并且要放置隔板,而器件必须放在寻电材料的容器内。

MOS管集成电路的十条使用操作准则

10、需要扳直外引线和用手工焊接时,要采用手腕接地的措施,焊料罐也要接地。

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LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 2018-09-13 14:35 31次阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 2018-09-06 17:29 42次阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 2018-08-06 17:13 168次阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 2018-08-03 17:56 88次阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...