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集成电路掩模行业技术进步巨大,把握发展新时代

2018年12月22日 10:21 次阅读

时光飞逝,时间已经进入21世纪,40年改革开放以来电子信息产业取得的巨大成绩有目共睹!今天集成电路相关的技术和产业发展极快,令人难以想象,在当今这个高速信息时代,其以超摩尔定律的速度带给社会生活无穷的创新和改变,推动着现代信息产业的快速发展。

掩模行业取得巨大技术进步

伴随集成电路的发展,随之而来的首先是半导体(集成电路)光刻技术的发展,光刻技术经历了从最初的接触/接近式光掩模技术起步,之后为了克服掩模缺陷和分辨率的进一步缩小,迫使工艺技术人员进一步寻求新的光刻方法来满足批量生产和线宽缩小的要求,1976年美国GCA公司首先开发出了全球首台分步重复投影曝光机系统,此后几年间业界成功开发出具有更大曝光视场的步进扫描投影曝光机,随着这种曝光技术的不断成熟,进一步将集成电路图形线宽推进到0.35μm节点,相应的掩模制版技术也得到了大幅提升。今天的世界最先进光刻技术已经跨越到了7nm。

20纪纪80年代初期伴随着国内集成电路产业的发展,国内相关科研机构和工厂陆续开始进行集成电路用掩模研究和生产。改革开放的40年,掩模行业也从最初的零星的、分散的小厂和车间,技术水平10μm节点以上,发展到今天以凸版光掩模、华润掩模工厂、无锡中微掩模以及中芯国际等内配掩模为主的规模企业,整体技术水平已经达到最高28nm节点,技术进步是巨大的,同时极大地缩小了与国际先进水平的差距,为产业发展打下了坚实基础。

集成电路掩模行业技术进步巨大,把握发展新时代

结合市场需求 推进掩模项目

40年的改革开放带来了我国经济社会的深刻变化,也为我国集成电路产业的发展注入了新的生机与活力。无锡中微掩模的建设实践成功印证了发展带来的新活力!

集成电路技术和产品市场的变化极快,新技术、新工艺不断快速涌现,只有很好地把握住市场需求变化的要求,紧跟市场变化的步伐,项目建设才能取得成功。无锡中微掩模项目的建设就是充分了解了国内掩模市场的需求和变化,针对国内已有晶圆代工和大量设计公司的现实需求和未来发展要求,经过充分论证而实施的。技术节点瞄准8英寸晶圆生产线的掩模需求,直接建成具备研发和生产130nm集成电路用掩模的公共服务平台,项目投产后,发挥了应有的作用。

在集成电路技术发展迭代迅速的今天,产业融合模式创新成为当今企业在竞争中获胜的重要因素。产业生态从最初的IDM模式正在向FABLESS、FOUNDRY模式分化,世界上主要的几家专业大厂仍然以IDM的模式快速发展成为行业翘楚,但是另外更多地二线企业是向着既分工、又协同的合作发展模式转变,也取得了不俗的成绩。因此,国内掩模产业的发展更应该遵循合作发展的理念,要坚持中国特色发展之路,也要借鉴学习其他国外优秀企业的发展经验,摸索和走出一条适合国情的自我发展之路。

集成电路产业首先是一项系统工程,通常是资金密集、人才密集产业,项目建设起点越高投入资金越大。必须形成相应规模的生产、研发能力,具备一定的规模,形成规模经济,才能保持良好的发展。同时为了紧随不断变化的市场需求和行业整体技术水平的不断提升和产能的扩充,需要持续不断地资金投入。在人才引进和培养方面要着力打造一支具备一流的工艺技术、芯片设计和管理人才队伍,保证技术、产品的不断创新和企业高效运营。在技术储备和引进工作中要形成自有的先进工艺技术和芯片设计服务能力,拥有一批自主的知识产权和专利。

实践证明,国内外集成电路产业大多采用集中人力物力,集中建设,上下游融合,抱团规划共谋发展的战略,行业发展更多的是相互合作,而不是单打独斗的局面。集成电路用掩模产业的发展就是在这种背景和发展思路的指导下,逐步建立和发展起来的,行业内的企业间更多的是协同、合作、支持。

掩模项目的成功建设就是在政府的大力支持下,结合市场的细分了解和客户需求,全面评估后作出的正确选择,项目建成后取得了较好的社会效益和企业发展。

掩模产业发展迎来机遇期

我国集成电路产业发展面临着前所未有的新机遇。一方面,我国逐步成为世界上集成电路最大的消费国,另一方面未来几年国内和国际知名企业纷纷登陆中国建设新的晶圆厂。以上产业市场的积极变化,对掩模行业的配套发展可以说是重大历史机遇,我们要在清醒认识自我的同时,抓住机遇,群策群力,全方位、大视野、大格局的有效开展项目论证和建设,扩大国际合作的深度与广度,多渠道、全方位开展合作,实现掩模行业飞跃发展。

创新是产业发展的灵魂,是不竭的动力。掩模产业的创新发展应不仅停留在技术、管理上,更应该把制度、体制创新放在突出位置,激发人才的主观创造性,最终打造出企业长期发展的核心竞争力。

当今科技和产业的发展,带来了社会生活的巨大变革,我们注意到在物联网、大数据、AI智能应用逐步普及的今天,集成电路的发展和应用需求发生着巨大的变化,以新能源、智慧产业、数据分析等领域的这些将深刻影响我们未来生活的应用,极大推动了半导体产业的发展,它将有可能成为影响未来经济社会发展的大产业。

回首过去,我们满怀信心!展望未来,我们壮志不已!相信集成电路掩模产业必将迎来发展的新时代!

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LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

发表于 2018-09-17 16:30 88次阅读
LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

发表于 2018-09-17 15:48 12次阅读
LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 2018-09-13 14:35 24次阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 2018-09-06 17:29 31次阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 2018-08-06 17:13 155次阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 2018-08-03 17:56 72次阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...