电压不对称，相损，相序 160 ~ 690VAC
2024-03-14 23:00:07
G473使用TIM1非对称模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做对角的移相与门输出，为啥占空比对了时序不对？
2024-03-14 07:49:55
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:02
93 此外，黄仁勋还强调指出，扩大直接部属规模有助于破除由信息不对称导致的不公现象。与此观点相对比，他认为，CEO直接对接的人员越多，员工在公司的地位便越不受其掌握核心信息能力所限。
2024-03-11 11:06:08190 RDS(ON) 达到业内先进水平，提高功率密度、能效和热性能
2024-03-08 09:12:15144 
各位大侠，半桥llc轻载时（10%载以下）谐振电流不对称，下管驱动与Vds如下。是发生倒灌了吗？
2024-02-19 14:32:30
产品概述： DK87XXAD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。 DK87XXAD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管
2024-01-30 15:18:04
产品概述： DK87XXAD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。 DK87XXAD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS
2024-01-27 16:48:34
产品概述： DK87XXAD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。 DK87XXAD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS
2024-01-26 16:31:23
产品概述： DK87XXAD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。 DK87XXAD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS
2024-01-26 16:19:08
的不对称流动、电压的不对称分配以及过电压的产生等。具体问题包括： - 电流的不对称流动：由于电力系统中负载的不对称，电流在变压器的三相绕组中分布不均匀，中性点电流会导致变压器绝缘损坏或过载。 - 电压的不对称分配：三相负载的不
2024-01-26 16:06:48531 , 0, 0) 例程时，我的零序列运行 880nS，这太慢了。 正在寻找 400 纳秒或更少。
另外，当我运行 ws2812_SendPixel（255、255、255）时，我的代码似乎运行正常，但发出的数据并不对称，最后 3 位与前 4 位不同。
2024-01-23 08:34:51
！
发现之前测量的0.003和0.026是个别现象，今天又用万用表测量了3路，比较一致，但是还是不对称。怀疑0.003那只互感器后端焊接或物料问题，重新换了物料并焊接后，4只互感器后端的输出电压已经
2023-12-27 07:01:46
AD5290的datasheet中有写其供电电压范围：+20 V to +30 V single-supply operation 或者±10 V to ±15 V dual-supply operation，对于双电源供电，我的应用是正电源是12V，负电源是-3V。这样的非对称电源供电是否可以？
2023-12-15 08:19:27
MOSFET - 阵列 12V 20A（Tc），60A（Tc） 27W（Tc），48W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双通道不对称
2023-12-14 00:41:06
AD5363的参考电压VREF范围具体是多少，芯片手册上有个VREF range为2-5V，我想问能否小于2V，此外VDD和VSS不对称可以么？
2023-12-12 06:22:44
电流的幅度不对称时，那么DSP采样正、负半周电流值得到的数字量也是高、低相差很大的，这就导致DSP控制交流输出电压的正、负半周的幅度也不对称，以致交流输出电流的直流分量增大，再且，直流分量的增大，也会使
2023-11-23 07:24:40
共模干扰：一般指在两根信号线上产生的幅度相等，相位相同的噪声。
2023-11-21 10:54:09187 ADA4661不对称双电源供电，对运放有什么影响？对输出信号有什么影响？正电源 5V，负电源-3V。
2023-11-20 08:13:53
高低温试验箱的结构在很大程度上影响工作中间温度均匀，由于结构难于完全对称，从而对温度均匀性造成不利影响。大门在前，空调箱在后部，上送风下回风。显然这种结构左右对称性好，可以较易达到左、右温度均匀，但结构上、下不对称，前后也完全不同，对工作空间温度产生了不均匀影响
2023-11-17 14:27:37164 
我采用AD8253做一款放大电路，输入信号均为mv级，输出在0-5V范围内，由于电源设计原因导致正负双电源不对称，如正电源为﹢8v，负电源为-6.5v，想咨询一下，这种不对称供电是否对信号有影响。另外，不对称的供电方式是否对输入信号的或者输出信号产生一个直流偏量。
2023-11-17 07:30:33
单片机晶振电路中两个微调电容不对称会怎样？相差多少会使频率怎样变化？我在检测无线鼠标的接受模块时，发现其频率总是慢慢变化（就是一直不松探头的手,发现频率慢慢变小）晶振是新的！
2023-11-15 15:54:47399 MOSFET - 阵列 100V 7.1A（Ta），19.5A（Tc），6.9A（Ta），19.1A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
2023-11-01 14:35:12
前面两期分别讲了单相绕组和多相绕组产生的磁势，在前面两期的分析中，都是在绕组中通以对称正弦交流电流的前提下进行分析的。实际在电机运行时，经常会遇到三相电流不平衡、电流的波形不是完美的正弦波的情况。本期专门讲一下在三相电流不对称和电流波形不是正弦波时，绕组产生的磁势。
2023-10-26 15:13:26908 
一、在三相电路中，由于负载的不平衡，往往会使电路中的电压、电流不对称。要对这种不对称电压或电流进行分析，可以把它们分解成三组分量：正序分量、负序分量、零序分量。设电源的相序为ABC
2023-09-24 16:14:464477 产品概述：DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片。DK8715AD利用漏感能量，可以实现原边功率管ZVS，副边整流管ZCS，回收漏感能量，从而
2023-09-21 09:58:211222 
，反映负载的电流；电压线圈与负载并联，反映负载的电压。 一、功率表的使用 1、 只要三相电路是对称的，不论是三线制还是四线制，都可以用一块功率表来测量三相有功功率。 2、 当三相负载不对称时，在三相三线制电路中，通
2023-09-19 09:39:501639 张兴柱-不对称半桥变换器中的高频变压器设计公式
2023-09-19 07:57:12
以应用于数模混合信号芯片中的运算放大器为对象，完成芯片设计验证的全流程，包括运算放大器的电路和版图设计、设计阶段的前仿和后仿验证、以及对PDK的验证全流程实验。
2023-09-18 14:26:28526 
切割器、医疗超声波设备等方面。 1、压电陶瓷的基本概念 压电陶瓷是指在特定方向上施加力或电场时，具有产生电荷或产生形变的特性的陶瓷材料。压电陶瓷的特性是由于其晶体结构的不对称性所引起的。 2、压电陶瓷的特性 （
2023-09-15 11:36:27398 
在扇出型晶圆级封装（fowlp） 华海诚科的FOWLP封装是21世纪前十年，他不对称的封装形式提出环氧塑封料的翘曲控制等的新要求环氧塑封料更加残酷的可靠性要求，经过审查后也吐不出星星，芯片电性能维持良好。
2023-09-13 11:49:37753 ，即故意失配的不对称结构。与常规的对称结构相比，节省了大约20%的版图面积以及10%的静态功耗。
5.作品介绍
5.1 不对称结构
如上图，为运算放大器的主体部分结构。 输出侧采用较大尺寸MOS，非
2023-09-01 13:42:42
SM712的内部结构为双向的不对称结构，特别为RS485研发的收发电平为7V和12V的保护器件，可以满足IC 在15KV的空气放电不损坏。
2023-08-31 15:10:53542 
微型电路的TCML-1-19X+是频率为800兆赫至1.9千兆赫的不对称,插入损耗0.13至1.22分贝,电流30毫安,功率0.25瓦,返回损耗5.94至20.13分贝。
2023-08-22 11:38:31
骁龙820和天玑700哪个好 骁龙820和天玑700是两种相对较新的芯片，它们都被广泛应用于智能手机和其他移动设备中。然而，它们的性能、功能、成本和应用范围有很大的不同。在本文中，我们将比较这两种
2023-08-17 11:45:401953 2023-08-15 15:45:27
1 多层板在设计的时候，各层应保持对称，而且是偶数铜层，若不对称，容易造成扭曲。多层板布线是按电路功能进行，在外层布线时，要求在焊接面多布线，元器件面少布线，有利于印制板的维修和排故。
2023-08-09 09:22:25404 
频段的多标准蜂窝功率放大器应用。特征包括输入和输出匹配；高增益和耐热增强型塑料包覆成型封装，带无耳法兰。 特征宽带内部输入输出匹配不对称多
2023-08-02 17:46:59
迁移率晶体管 (HEMT)，设计用于 n78 频段蜂窝放大器应用。 特征碳化硅基氮化镓 HEMT 技术不对称多尔蒂设计P输出（平均）：47.5
2023-08-02 17:33:15
高功率 RF LDMOS FET 430 W；28V；2110 – 2170 兆赫PXAD214218FV 是一款 430 瓦 (P3dB) LDMOS FET，采用不对称设计，适用于 2110 至
2023-08-02 17:31:16
高功率 RF LDMOS FET 420 W；28V；1805 – 1880 兆赫PXAD184218FV 是一款 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET，采用不对称
2023-08-02 17:27:02
高功率 RF LDMOS FET 50 W；28V；2300 – 2400 兆赫PTAC240502FC 是一款 47 瓦 LDMOS FET，采用不对称设计，适用于 2300 至 2400 MHz
2023-08-02 13:59:46
高功率 RF LDMOS FET 55 W；28V；1805 – 2170 兆赫 PXAC210552FC 是一款采用不对称设计的 55 瓦 LDMOS FET，适用于 1805 至
2023-08-02 13:44:08
这是一种常用的音频功率放大器，由于该电路采用不对称电源工作，因此可用作汽车低音炮放大器。 24V 铅酸电池（汽车蓄电池）非常适合这款低音炮放大器。
2023-08-01 17:10:34558 
前言：下图是不对称谐振半桥变换器的电路图和工作波形，由于输出侧仅在开关管关闭后才由谐振电感和电容谐振放电释放能量到输出，因此输出功率被变压器绕组的损耗、变压器体积，输出整流二极管的电流应力所限
2023-06-23 09:57:00492 
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作，布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能，确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会，从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
电子发烧友网站提供《迷你700mW功率放大器.zip》资料免费下载
2023-06-08 10:59:250 ，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
推荐一款双功率桥电机驱动芯片，带有精确的电流监控，电流控制和电流限制彻底解决传统功率桥芯片电流控制复杂的问题。提高控制感性线圈负载的电流精度。内置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
小功率反激变换器目前主要是ACF应用的多，但是最近又有一种新颖的拓扑不对称半桥谐振反激开始展现出优势。
2023-05-02 15:19:002956 
不对称谐振半桥反激变换器（AHB）应用在隔离型的直流转直流领域，通过占空比调整半桥开关的高端开关的占空比实现对输出电压的控制，通过使用占空比调节方法，所以比较适合在宽输入输出范围工作
2023-05-02 11:41:00841 
绕组解决方案可以显著提高了高输入电压下的性能，但具有额外的设备、绕组和控制电路。不对称绕组解决方案提供更简单的解决方案，但只能应用于不对称半桥拓扑。而且它引入了其他问题，如输出电流不连续和不平衡强调为了赶上并领先于
2023-04-27 09:19:332 本文研究tn系统常见故障及防范措施，主要分析：（1）当三相设备发生单相碰壳故障时，pen线因某种原因断开或设备外壳接零线断裂、虚接、未接时主要故障及采取的防范措施（2）三相负荷不对称，pen线
2023-04-26 16:54:16
运放的失调电压是指，在理想条件下运放两个输入端的电压应该相等，但实际上会存在一定的差异。这个差异产生的原因是运放内部元器件的不对称性、制造工艺等因素。
2023-04-26 16:31:058304 
NNCD18DT 至 NNCD36DT 数据表
2023-04-21 19:53:180 %。 非对称故障 该故障产生不对称电流，即电力系统三相中大小和相位不同的电流称为不对称故障。它也被定义为涉及一个或两个相位的故障，例如L-G，L-L，L-L-G故障。不对称使系统不平衡。它主要分为
2023-04-19 17:46:20
那里，因为该密钥可用于生成虚假消息并使整个系统无用。理想情况下，加密是不对称的，公钥在区块链上。有谁知道这个问题的解决方案？
2023-04-14 06:21:54
共模电感的两边感量不对称，有一边匝数少一匝也可引起传导150kHz-3MHz超标。 11、一般传导的产生有两个主要的点：200kHz和20MHz左右，这几个点也体现了电路的性能;200kHz左右主要是漏感产生的尖刺。
2023-04-04 09:31:542727 SIZ240DT-T1-GE3
2023-03-29 22:41:26
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:09:14
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
2023-03-29 15:09:12
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
2023-03-29 15:09:07
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:08:19
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:08:09
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:56
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:15
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:14
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:10
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:07:09
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:07:09
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:04
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
2023-03-29 15:06:11
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 14:30:13
双不对称N沟道AlphaMOS VDS=30V ID1=16A ID2=18A DFN8A_3X3MM_EP
2023-03-28 18:20:07
SIZ254DT-T1-GE3
2023-03-28 13:12:50
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:53:45
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
2023-03-27 13:53:39
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:53:31
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
2023-03-27 13:53:28
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:51:29
MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
2023-03-27 13:51:06
MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
2023-03-27 13:51:01
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:51:01
X-Ray检测仪是一种利用X射线技术，可以快速准确检测出电子元件、线路板上的毛刺、不对称、漏定义等问题的设备，它的应用在IC芯片检测中就表现出色，可以准确检测出IC芯片上的毛刺、断路、不对称、短路
2023-03-23 10:51:38789 三相不对称负载星型连接有无中心线对电路工作是否有影响？若有影响是什么影响？
2023-03-23 09:55:20
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