SIC414 - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414CD-T1-GE3 - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414DB - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驱动电路中要求输入一个-25V电压，有什么方法可以产生负的电压？
2016-12-12 11:10:34
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年报告，展示了SiC模块开发活动的现状。我们相信在分立封装中SiC MOSFET的许多亮点仍然存在，因为控制和电源电路的最佳布局实践可以轻松地将分立解决方案的适用性扩展到数十
2023-02-27 13:48:12
（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关，需要能够应对不断发展的市场的新型驱动和转换解决方案。由于其优异的热特性，SiC器件在各种应用中代表了优选的解决方案，例如汽车领域的功率驱动电路。SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-04-22 06:20:22
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
編绝缘型反激式转换器的性能评估和检查要点 所谓隔离型反激式转换器的性能评估和检查要点 性能评估事例中所使用电源IC的概述和应掌握的特征 性能评估事例的设计目标和电路使用评估板进行性能评估测量方法和结果
2018-11-27 16:40:24
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
和设计案例主要元器件的选型输入电容器C1与VCC用电容器C2主要部件的选型电感 L1电流检测电阻 R1输出电容器 C5输出整流二极管 D4 EMI对策 实装PCB板布局与总结使用SiC
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
如图，是一个AP4313的应用电路请问要如何标红的R4的电阻
2018-12-25 09:37:19
CD4017有哪些应用电路
2016-01-10 21:41:51
寄生效应过多，它们的性能可能会下降到硅器件的性能，并可能会导致电路故障。传导EMI会伴随SiC MOSFET产生的快速电压和电流开关瞬变，内部和外部SiC寄生效应会受到这些开关瞬变的影响，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
°C 时典型值的两倍。采用正确封装时，SiC MOSFET 可获得 200°C 甚至更高的额定温度。SiC MOSFET 的超高工作温度也简化了热管理，从而减小了印刷电路板的外形尺寸，并提高了系统稳定性
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
应用，实际上已经在HV/EV/PHV的板上充电电路中采用并发挥着SiC-SBD的优势。关键要点:・ROHMSiC-SBD已经发展到第3代。・第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
本文将介绍全SiC模块的应用要点—缓冲电容器。在高速开关大电流的电路中，需要添加缓冲电容器。什么是缓冲电容器缓冲电容器是为了降低电气布线的寄生电感而连接在大电流开关节点的电容器。寄生电感会使开关
2018-11-27 16:39:33
。准谐振控制软开关的低EMI工作，突发模式下的轻负载时低消耗电流工作，具备各种保护功能的最尖端功能组成，且搭载为SiC-MOSFET驱动而优化的栅极箝位电路。另外，是工业设备用的产品，因此支持长期供应
2018-12-04 10:11:25
） 图片由Bodo的电力系统提供 （D） 图片由Bodo的电力系统提供 图1.使用电压源驱动器BM61M41RFV-C（A和C）和电流源驱动器BM60059FV-C（B和D）的IGBT的典型导
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
在无线电设备中，集成电路的应用愈来愈广泛，对集成电路应用电路的识图是电路分析中的一个重点，也是难点之一。1．集成电路应用电路图功能▼▼▼ 集成电路应用电路图具有下列一些功能： ①它表达了集成电路
2015-08-20 15:59:42
SiC-MOSFET用作开关的准谐振转换器IC。在使用电源IC的设计中，要使用SiC-MOSFET需要专用的电源IC设计中使用的电源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”这款IC
2018-11-27 16:54:24
TOP414G构成的5V、2A隔离式开关电源电路
2019-09-12 09:12:06
个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容，并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家（意大利、法国、德国和捷克共和国）的20个合作伙伴组成，包括大型企业
2019-06-27 04:20:26
经典实用电路大全是经典实用电路丛书修订后的合订本，包括智能报警与控制经典实用电路、灯光控制经典实用电路、家用控制与保护经典实用电路、农牧渔业经典实用电路、机
2009-03-01 13:36:26
0 CAV414是一种专为电容性传感器而设计的通用多用途集成电路,可用于检测被测电容的相对变化,以达到校准参考电容的目的,因而可广泛应用于工业过程控制、远程测量、压力及温度检
2009-04-29 15:18:3234 根据连铸辊高温段的工矿条件，对比进口焊丝，研制了连铸辊堆焊用药芯焊丝414N，并对研制的药芯焊丝进行了性能测试，通过对比，可以看出，研制的414N药芯焊丝完全可以替代进口
2009-12-26 14:48:5211 SiC414 datasheet,pdf(6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO)
The Vishay Siliconix SiC414
2010-03-23 15:28:3323 TOP412/414三端DC/DC PWM开关电源
TOP412/414 Triple－ terminal DC/DC PWM Switching Mode Power Supply
Power lntegrations公司继TOPSwitc
2009-07-21 16:21:11
3858 
TOP414G的典型应用电路
图&
2009-07-21 16:23:403982 
SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25:266539 microBUCK系列集成同步降压稳压器SiC414（Vishay）
Vishay Intertechnology,推出旗下microBUCKTM系列集成同步降压稳压器中的新器件－
2010-03-23 11:23:05951 基于SiC414设计的6A降压电源稳压技术
SiC414是Vishay公司的集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效
2010-04-22 18:10:331414 本内容提供了三星414、415系列显示器原理图
2011-06-02 16:48:35466 电子发烧友网为你提供TI(ti)TPD1S414相关产品参数、数据手册，更有TPD1S414的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，TPD1S414真值表，TPD1S414管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2018-10-16 11:16:58
图和典型应用电路
MK484最简化应用电路
MK484可与以下型号的集成电路兼容：
BS414 ，CD7642CS， CIC7642AP/T ，D414 ，D501
2018-09-20 19:16:492948 TOP414G构成的5V、2A隔离式开关电源电路,TOP414G POWER SUPPLY
关键字：TOP414，开关电源电路
2018-09-20 20:21:181358 电子发烧友网为你提供ADI(ti)HMC414相关产品参数、数据手册，更有HMC414的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，HMC414真值表，HMC414管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 15:36:34
电子发烧友网为你提供()TF414相关产品参数、数据手册，更有TF414的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，TF414真值表，TF414管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-04-18 19:06:09
本文档的主要内容详细介绍的是安桥TX-NR414 AV接收器功放的维修电路图合集免费下载。
2020-09-24 08:00:0030 查看DN414F的参考设计。 http://www.elecfans.com/soft/有成千上万的参考设计，可帮助您使项目栩栩如生。
2021-01-13 19:25:020 查看DN414F的参考设计。 http://www.elecfans.com/soft/有成千上万的参考设计，可帮助您使项目栩栩如生。
2021-01-13 23:05:030 HMC414 S-Parameters
2021-01-31 14:13:250 HMC414 Gerber Files
2021-02-22 10:05:120 HMC414 Gerber Files
2021-03-09 11:41:090 HMC414 S参数
2021-03-23 11:12:520 DC414B - Design Files
2021-03-24 16:25:566 UG-414：评估ADP196高端负载开关
2021-05-11 11:31:286 UG-414：评估ADP196高端负载开关
2021-05-16 11:01:077 DC414B-原理图
2021-05-18 10:47:041 HMC414数据表
2021-05-19 08:02:260 DC414A-演示手册
2021-05-21 14:09:380 DC414A-模式
2021-05-23 10:42:120 HMC414 Gerber文件
2021-05-29 18:22:317 DC414B-设计档案
2021-06-03 16:45:211 电子发烧友网为你提供ADI(ti)DC414B相关产品参数、数据手册，更有DC414B的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DC414B真值表，DC414B管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-07-30 11:00:02
电子发烧友网为你提供TE(ti)CAT-M414-UN385相关产品参数、数据手册，更有CAT-M414-UN385的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，CAT-M414-UN385真值表，CAT-M414-UN385管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-07-30 18:00:04
下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。
2023-02-27 13:41:58737 
RKP414KS 数据表
2023-04-27 20:21:150 电子发烧友网站提供《414j MegaRAID SCSI固件版本.zip》资料免费下载
2023-08-22 15:14:370 用SIC FETs取代机械电路断开器
2023-10-26 14:47:49125 
列文章的第二部分 SiC栅极驱动电路的关键要求 和 NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能 。 分立式 SiC 栅极驱 动 为了补
2023-11-02 19:10:01361 
SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
电子发烧友App
工商网监
评论