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MMBF170 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: MMBF170

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 MMBF170
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23 (Standard)

--- 产品详情 ---

MMBF170 

产品简介
DIODES 的 MMBF170 此MOSFET设计用于最小化导通状态电阻(RDS(on))同时保持卓越的切换性能,使其成为高效电源管理应用。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    MMBF170
名称                    N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                     SOT23 (Standard)


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+PNP
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 0.5 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.63 A
PD @TA = +25°C (W) 2.47 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 736.6 nC
CISS Typ (pF) 60.67 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏


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