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DMP26M1UPS 20VP 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP26M1UPS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP26M1UPS
  • 名称 20VP 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMP26M1UPS  

产品简介
DIODES 的 DMP26M1UPS 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP26M1UPS
名称                  20VP  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  PowerDI®5060-8


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 2.76 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 75 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 5392 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
热效率封装冷却器运行应用
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 — 确保最终应用更加可靠和稳健
<1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择


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