产品简介
DIODES 的DMN2009UFDF 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS( ON ) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2009UFDF
名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6 (Type F)
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 27.9 nC
CISS Typ (pF) 1083 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积 4mm 2
低栅极阈值电压
低导通电阻
相关型号
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
