简介
今天我要向大家介绍的是 Semelab 的硅DMOS RF FET晶体管——D2013UK。这是一款专为HF/VHF/UHF通信频段（从1MHz至2 GHz）设计的推挽式射频功率场效应管，在28V工作电压、1GHz频率下可提供20W的输出功率。作为一款高性能射频器件，它具备极低的反向传输电容（典型值0.72 pF）和低噪声特性，极大简化了放大器设计；其简单的偏置电路与优异的宽带适用性，确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行；支持20:1的负载失配容忍度，是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。
主要特性
类型： 硅DMOS RF FET（推挽式/Push-Pull，金属栅极）
工作条件： VDS = 28V，IDQ = 0.8A，f = 1GHz
输出功率： 20W（在1GHz下）
功率增益： 7 dB 最小值（在20W输出，1GHz下）
漏极效率： 48%（典型值，在20W输出，1GHz下）
灵敏度/容差： 负载失配容忍度 20:1 VSWR
反向传输电容： 极低（典型值0.72 pF，最大1 pF）
漏源击穿电压： 65V
热阻： 结到外壳最大 2.1°C/W
工作/存储温度： -65°C 至 150°C（存储温度），最高结温200°C
封装： SOT171（含氧化铍陶瓷，请注意毒性防范）
环保： RoHS compliant（符合RoHS标准）
应用
HF/VHF/UHF 通信系统（从1MHz至2GHz）
宽带射频放大器应用
简化设计的射频功率放大模块
工业及要求高增益、高效率的射频发射设备
相关型号
D2014UK
D2015UK
D2016UK
D2017UK
D2018UK
D2019UK
D2020UK
D2021UK
D2022UK
D2024UK
D2026UK
D2029UK
D2030UK
D2031UK
D2032UK
