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D2001UK,1GHz频段下2.5W高功率输出的单端式硅DMOS RF FET射频晶体管

型号: D2001UK

--- 产品参数 ---

  • 产品型号 D2001UK
  • 产品类型 射频晶体管
  • 品牌 TT Electronics/Semelab

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

D2001UK

简介
      今天我要向大家介绍的是 Semelab 的硅DMOS RF FET晶体管——D2001UK。这是一款专为VHF/UHF通信频段(50 MHz至1 GHz)设计的单端式射频功率场效应管,在28V工作电压、1GHz频率下可提供2.5W的输出功率。作为一款高性能射频器件,它具备极低的反向传输电容(典型值0.5 pF)和低噪声特性,极大简化了放大器设计;其简单的偏置电路与优异的宽带适用性,确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行;支持20:1的负载失配容忍度,是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。

 

主要特性
类型: 硅DMOS RF FET(单端式/Single-Ended,金属栅极)
工作条件: VDS = 28V,IDQ = 0.1A,f = 1GHz
输出功率: 2.5W(在1GHz下)
功率增益: 13 dB 最小值(在2.5W输出,1GHz下)
漏极效率: 40%(典型值,在2.5W输出,1GHz下)
灵敏度/容差: 负载失配容忍度 20:1 VSWR
反向传输电容: 极低(典型值0.5 pF)
漏源击穿电压: 65V
热阻: 结到外壳最大 10°C/W
工作/存储温度: -65°C 至 150°C(存储温度),最高结温200°C
封装: SOT171(含氧化铍陶瓷,请注意毒性防范)
环保: RoHS compliant(符合RoHS标准)

 

应用
VHF/UHF 通信系统(50 MHz 至 1 GHz)
宽带射频放大器应用
简化设计的射频功率放大模块
工业及要求高增益、高效率的射频发射设备

 

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