一、九齐NY8AE51D单片机概述
NY8AE51D是以MTP作为程序存储器,并以EEPROM作为资料存储器的8位单片机，特别适合断电后还需保持资料内容的IO产品的应用，例如遥控器、风扇/灯光控制或是游乐器周边等等。而MTP作为程序存储器能更方便且有效率的开发产品。NY8AE51D核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有60条指令。除了少数指令需要2个时序，大多数指令都是1个时序即能完成，可以让使用者轻松地以程控完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。
在I/O的资源方面，NY8AE51D有6根弹性的双向I/O脚，每个I/O脚都有单独的暂存器控制为输入或输出脚。而且每一个I/O脚位都有附加的程控功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain)输出。此外针对红外线摇控的产品方面，NY8AE51D内建了可选择频率的红外载波发射口。
NY8AE51D有两组计时器，可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。另外NY8AE51D提供3组10位元分辨率的PWM输出及一组蜂鸣器输出，可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。
NY8AE51D采用双时钟机制，高速振荡或者低速振荡都由内部RC振荡输入。在双时钟机制下，NY8AE51D可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)可节省电力消耗延长电池寿命。
在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中，有多种事件可以触发中断唤醒NY8AE51D进入正常操作模式(Normal)或慢速模式(Slow mode)来处理突发事件。
二、九齐NY8AE51D单片机功能
| 宽广的工作电压：(指令周期为4个CPU clock，亦即4T模式)∙2.4V~5.5V@系统频率≦8MHz。
| 宽广的工作温度：-40°C~85°C。
| 1Kx14bitsMTP。
| 64bytesSRAM。
| 64bytesEEPROM。
| 6根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PB[5:0]。
| PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。
| PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。
| 8层程序堆栈(Stack)。
| 存取资料有直接或间接定址模式。
| 一组8位元上数计时器(Timer0)包含可程序化的频率预除线路。
| 一组10位元下数计时器(Timer1)可选重复载入或连续下数计时。
| 三个10位元的脉冲宽度调变输出(PWM1/2/3)。
| 一个蜂鸣器输出(BZ1)。
| 38/57KHz红外线载波频率可供选择，同时载波之极性也可以根据数据作选择。
| 内建上电复位电路(POR)。
| 内建低压复位功能(LVR)。
| 内建16.段低电压侦测功能(LVD)。
| 内建看门狗计时(WDT)，可由程序韧体控制开关。
| 双时钟机制，系统可以随时切换高速振荡或者低速振荡。
Ø 高速振荡:I_HRC(1~20MHz内部高速RC振荡)
Ø 低速振荡:I_LRC(内部32KHz低速RC振荡)
| 四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)。
| 七种硬件中断：
Ø Timer0溢位中断。
Ø Timer1借位中断。
Ø WDT中断。
Ø PB输入状态改变中断。
Ø 外部中断输入。
Ø 低电压侦测中断。
Ø EEPROM写入完成中断。
| NY8AE51D在待机模式(Standby mode)下的六种唤醒中断：
Ø Timer0溢位中断。
Ø Timer1借位中断。
Ø WDT中断。
Ø PB输入状态改变中断。
Ø 外部中断输入。
Ø 低电压侦测中断。
| NY8AE51D在睡眠模式(Halt mode)下的三种唤醒中断：
Ø WDT中断。
Ø PB输入状态改变中断。
Ø 外部中断输入。
| NY8AE51D提供两种电流档位(Small/Normal)。
