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10.1.5 节终端扩展（JTE）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-06 02:02
10.1.5节终端扩展（JTE）10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6碳化硅 1041浏览量 -
10.3.1 金刚石(Diamond)∈《集成电路产业全书》2022-04-06 00:44
Diamond审稿人：北京大学傅云义https://www.pku.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成电路新材料第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GD集成电路 644浏览量 -
10.1.4 斜面边缘终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-05 01:10
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10.2.8 生物医学芯片∈《集成电路产业全书》2022-04-05 01:07
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10.1.3 沟槽边缘终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-04 01:10
10.1.3沟槽边缘终端10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、碳化硅 681浏览量 -
10.2.7 非易失性逻辑集成电路∈《集成电路产业全书》2022-04-04 01:07
NonvolatileLogicIntegratedCircuit审稿人：清华大学刘勇攀https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成电路第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP集成电路 905浏览量 -
10.1.2 二维电场集中和结的曲率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-03 01:10
10.1.2二维电场集中和结的曲率10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN碳化硅 534浏览量 -
10.2.6 认知无线电集成电路∈《集成电路产业全书》2022-04-03 01:08
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10.2.5 量子集成电路∈《集成电路产业全书》2022-04-02 05:01
我们QuantumIntegratedCircuit审稿人：中国科学院半导体研究所吴南健http://www.semi.ac.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成电路第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Alte集成电路 969浏览量 -
10.1.1 碰撞电离和雪崩击穿∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-02 01:13
10.1.1碰撞电离和雪崩击穿10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系碳化硅 932浏览量