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陆芯:单管IGBT、IGBT模块、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域2022-04-11 01:12
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10.3.6 锗锡 GeSn∈《集成电路产业全书》2022-04-11 01:07
GeSn审稿人:南方科技大学王辉https://www.sustech.edu.cn审稿人:北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成电路新材料第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、集成电路 717浏览量 -
10.2.2 横向漂移区∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-10 01:09
10.2.2横向漂移区10.2单极型器件漂移区的优化设计第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思:SPARTAN6系列4、国科微GK碳化硅 680浏览量 -
10.3.5 碳纳米管(CNT)∈《集成电路产业全书》2022-04-10 01:07
CarbonNanotube(CNT)审稿人:北京大学傅云义https://www.pku.edu.cn审稿人:北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成电路新材料第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MC集成电路 854浏览量 -
10.2.1 垂直漂移区(SM)JTE∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-09 04:17
10.2.1垂直漂移区10.2单极型器件漂移区的优化设计第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思:SPARTAN6系列4、国科微GK碳化硅 640浏览量 -
10.3.4 纳米线材料∈《集成电路产业全书》2022-04-09 01:31
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10.1.7 多浮空区(MFZ)JTE和空间调制(SM)JTE∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-08 05:02
10.1.7多浮空区(MFZ)JTE和空间调制(SM)JTE10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILIN碳化硅 1112浏览量 -
10.3.3 类石墨烯材料∈《集成电路产业全书》2022-04-08 01:07
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10.1.6 浮空场环(FFR)终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-04-07 03:02
10.1.6浮空场环(FFR)终端10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思:SPARTAN碳化硅 1252浏览量 -
10.3.2 石墨烯(Graphene)∈《集成电路产业全书》2022-04-07 01:07
Graphene审稿人:北京大学傅云义https://www.pku.edu.cn审稿人:北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成电路新材料第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、G集成电路 639浏览量