金鉴实验室

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• 发布了文章 2026-08-07 15:12

  DSC测试熔融与结晶分析

  

  差示扫描量热法（DSC）凭借快速、简便、重复性好等优势，已成为测定材料熔融与结晶温度的常规手段。国际热分析及量热学联合会（ICTAC）规定：吸热事件在热流曲线上呈向下峰。由此，熔融峰的起始点（Onset）、拐点（Inflection）、峰值（Peak）和终止点（Endset）便成为研究者最常提取的四个温度指标。实验部分1.仪器与校准仪器：梅特勒托利多DSC3

  DSC 测试

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• 发布了文章 2026-08-06 15:30

  解密EBSD技术在材料研究中的应用: 从晶粒结构到制备质量

  

  概述EBSD技术能够揭示材料的晶体对称性、取向、完整性以及晶格常数等关键信息。它在材料学中的应用包括确定晶粒的尺寸和形状，以及晶体结构的取向。EBSD技术能够提供多种织构信息，如极图、取向成像图和取向分布图（ODF），这些信息对于理解晶粒取向、微区织构、取向关系、惯习面测定、物相鉴定、应变分布、晶界性质以及晶格常数等方面至关重要。优势EBSD技术相较于其他材

  显微镜 晶体 材料

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• 发布了文章 2026-08-04 11:54

  都是元素分析，XRF和EDS怎么选？

  

  在做高分子材料的逆向分析或失效分析时，我们经常会这样操作：把一块塑料放进马弗炉里，烧到600度甚至800度。等有机树脂全部化为灰烬，看着坩埚里剩下的一小撮白色或灰色的粉末——这就是灰分，也就是无机填料。这时候，主管通常会给出个明确的指示：“拿去打个元素分析，看看里面加了什么无机物。”到了填写测试申请单的时候，很多工程师就犯了难。检测中心的表格上通常有两个选项

  EDS xrf 失效分析

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• 发布了文章 2026-08-03 14:03

  常见的电子元器件失效机理与分析

  

  电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。电子元器件的失效模式与机理1.电阻器失效模式与机理失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。失效机理：是导

  半导体器件 失效模式 电子元器件

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• 发布了文章 2026-08-03 14:00

  高温高湿试验的重要性与执行标准

  

  在工业制造领域，产品常常需要在极端环境下保持性能稳定，其中高温高湿环境是最为常见的挑战之一。高温高湿试验的目的高温高湿试验旨在模拟产品在极端气候条件下的使用情况，其主要目的包括：评估产品的耐受能力：测试产品在高温高湿环境下能否正常工作，满足设计规范和性能要求。验证产品的可靠性：长时间暴露在高温高湿环境中，以检验产品的性能和功能是否持久稳定。发现产品存在的问题

  工业制造 试验 高温

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• 发布了文章 2026-07-28 11:37

  2D与3D X-RAY检测：透视现代工业检测的双翼

  

  在电子制造与半导体行业，X-RAY检测技术已成为不可或缺的无损检测手段。随着技术进步，2D与3DX-RAY技术逐渐发展成为两种各有特色的检测方案，它们共同构筑了现代工业质量控制的防线。技术原理：平面与立体的根本差异2DX-RAY技术是最早应用于工业检测的成像技术，它通过X射线穿透被测物体，利用不同材料对X射线的吸收差异生成二维平面图像。这种方法类似于我们常见

  x-ray 半导体 工业检测

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• 发布了文章 2026-07-22 11:58

  实战检修必知：功率MOSFET最常见的五种失效模式

  

  在开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中，功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是最核心的开关元件之一。然而，在实际工况中，MOSFET的失效占据了设备故障的相当大比例。雪崩破坏——电压尖峰“击穿”1.破坏机理当MOSFET处于关断状态时，漏极和源极之间承受着母线电压。如果这个电压突然超出器件的额定耐压值（VDS），并且达到了雪崩击穿电压V(B

  MOSFET 失效模式

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• 发布了文章 2026-07-20 23:22

  芯片封装的隐形关卡：DA和WB如何决定最终成败

  

  如果把芯片制造的全过程比作一场漫长的接力赛，那么前道制程无疑是其中最需要耐力的赛段——在纳米尺度上反复沉积、刻蚀，相当于把建筑材料一层层精准堆叠。而到了封装阶段，比赛进入最后的冲刺：这些精密的微观结构需要被妥善安置，并接通“水电”，才能真正发挥作用。在整个封装流程中，有两道工序虽然看起来不够光鲜，却承担着“一票否决”的责任：DieAttach（贴片，简称DA

  DA WB 封装 芯片封装

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• 发布了文章 2026-07-03 11:24

  四种键合丝材料深度解析：如何为芯片互连选择最佳方案？

  

  在半导体封装工艺中，引线键合作为芯片与载体或引线框架之间实现电气互连的核心技术，其材料选择直接关系到器件的性能、可靠性以及制造成本。目前，主流的键合丝按照成分可分为金丝、铜丝、银丝以及铝丝四大类，每种材料都有其独特的性能特点和适用场景。金及金合金键合丝金丝长期以来一直是引线键合的首选材料，这主要归功于其优异的综合性能。金具有极佳的化学稳定性，不易氧化和腐蚀，

  半导体 材料 芯片

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• 发布了文章 2026-06-15 14:20

  AEC-Q200与冲击试验的核心价值

  

  在汽车电子技术迅猛发展的背景下，被动元器件作为电子系统的基础构成单元，其可靠性直接影响整车的安全性与性能表现。AEC-Q200是由汽车电子委员会（AutomotiveElectronicsCouncil）制定的权威可靠性认证标准，专门针对应用于汽车环境的被动元器件进行规范。其中，冲击试验作为该标准中的关键测试项目，承担着验证元器件在机械冲击条件下稳定性的核心

  冲击试验 汽车电子 电子系统

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