西斯特精密加工

动态

• 发布了文章 2024-03-24 08:08

  西斯特科技与您再相约，SEMICON China 2025再会

  

  SEMICONChina2024回归3月，在人头攒动中开启一年的活力，3月20-22日，上海新国际博览中心汇聚了半导体行业芯片设计、制造、封测、设备、材料、显示和零部件等全产业链的众多企业参展，并吸引了众多观众参观交流。在本次展会上，西斯特科技作为国内重要的划切方案提供商，展示了最新产品和服务，与行业同仁进行了深入交流，进一步提升了品牌知名度和影响力，为推动

  半导体 芯片设计

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• 发布了文章 2023-03-28 16:10

  喜讯！西斯特荣获“专精特新企业”认定

  

  2023年3月，深圳市中小企业服务局公布《2022年深圳市专精特新中小企业名单》，深圳西斯特科技有限公司被认定为深圳市“专精特新”中小企业。“专精特新”概念，在2011年7月由国家工信部首次提出，2021年7月，《关于支持“专精特新”中小企业高质量发展的通知》发布，提出发展“专精特新”中小企业，加快解决“卡脖子”难题，被提升至国家战略层面。“专精特新”已经成

  半导体 芯片

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• 发布了文章 2022-12-08 16:38

  碳化硅晶圆划切方案集合

  

  碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应，切割划片很有难度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圆切割方面积累了丰富的经验，现将部分案例整理如下，供各位朋友参考。更多方案细节欢迎来电来函咨询。划切案例一►材料情况晶圆规格6寸晶圆厚度0.175mm划片槽宽度100umDiesize3.0*2.

  晶圆

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• 发布了文章 2022-11-19 16:34

  西斯特科技受邀参加第二十届中国半导体封装测试技术与市场年会

  

  2022年上半年面对不确定的疫情形势，大量的人员流动与不可避免的近距离交流给疫情防控增加了难度，让线下展会一延再延，甚至取消。这无疑给企业交流带来了诸多不便，9、10月份随着防疫政策的优化与经济活力的复苏，各地大型展会及线下活动迅速排上日程。11月14-16日，CSPT2022第二十届中国半导体封装测试技术与市场年会在江苏南通国际会议中心隆重举行，本次大会聚

  半导体

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• 发布了文章 2022-10-27 08:34

  案例分享第十期：砷化镓(GaAs)晶圆切割实例

  

  砷化镓晶圆的材料特性砷化镓(GaAs)是国际公认的继“硅”之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，作为第二代半导体材料中价格昂贵的一种，被冠以“半导体贵族”之称，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。砷化镓晶圆的脆性高，与硅材料晶圆相比，在切割过程中更容易产生芯片崩裂现象，使芯片的晶体内部产生应

  晶圆

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• 发布了文章 2022-09-29 02:04

  深圳西斯特2022年10月招聘计划

  

  广纳英才人才是企业的发动机，企业是人才的推进器。西斯特科技始终把人才视为支撑发展的第一资源，用“打磨”精神着力培养造就优秀人才，在机制创新、考核激励及平台建设等方面，给员工创造更多发展机会，让优秀人才更高端，让高端人才更成长，为每一位有理想、有抱负的青年人成就事业、实现个人理想和价值提供发展机遇。现诚挚地邀请你，共谋中国高端制造和半导体封测高速发展之大计。—

  封测

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• 发布了文章 2022-09-22 01:49

  案例分享第九期：氮化铝陶瓷切割实例

  

  氮化铝陶瓷的特性大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材料，具有较高的绝缘性能和优异的高频特性，同时线膨胀系数与电子元器件非常相近，化学性能非常稳定且热导率高，是电子封装中常用的基板材料。长期以来，绝大多数大功率混合集成电路的基板材料一直沿用Al₂O₃氧化铝和BeO氧化铍陶瓷。但Al₂O₃基板的热导率低，热膨胀系数和硅不太匹配。BeO虽然具有优良的综合性能，但其较

  切割

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• 发布了文章 2022-09-10 02:04

  案例分享第八期：窄迹晶圆切割实例

  

  窄迹晶圆的特性在晶圆切割环节中，经常遇到的较窄迹道(street)晶圆，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内。虽然目前有激光切割、等离子切割等方式，理论上可以实现窄迹晶圆的切割，但是考虑到技术成熟度不高、适用产品范围小、设备价格高等方面因素，应用金刚石划片刀仍是最优的选择。这就要求切割设备具备更高的精度和更先进的对准运算，以及厚度尽可能薄、刚性更强的刀片

  晶圆

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• 发布了文章 2022-08-18 19:29

  案例分享第七期：背银晶圆切割实例

  

  镀银晶圆的材料特性晶圆经过背面研磨减薄后，经由背面蒸镀金属，切片加工而成的芯片将在器件热阻降低、工作散热和冷却、封装厚度减薄等各个方面实现很大的改善。在晶圆背面金属化过程中，一般选择钛、镍、银作为三层背面金属，厚度在10μm以内。通常，切割的晶圆的质量标准是：如果背面碎片的尺寸在10µm以下，忽略不计，当尺寸大于25µm时，可以看作是潜在的受损，50µm的平

  晶圆

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• 发布了文章 2022-08-02 02:59

  加工条件不明确，选刀难免有偏差

  

  在晶圆划切过程中，不仅需要选择合适的划片刀，而且要关注加工条件的优化。合适的划片刀和良好的加工条件，对于获得好的切割效果起着至关重要的作用。上期我们已经分析划片刀选型的几个关键因素，本期关注加工条件的影响。加工条件主要涉及以下几个方面：主轴转速进给速度冷却水主轴转速刀片固定在划片机主轴上，以非常高的速度旋转，通常在每分钟25000至60000转之间，这就是我

  晶圆

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