基于IBM 0.08um SOI CMOS设计两级AB类功率放大器

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上传日期: 2017-10-31

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标签:IBM(342)放大器(1310)CMOS(1139)

  近年来,基于CMOS 工艺的高性能射频功率放大器一直是研究的热点和难点一。一方面,基于CMOS工艺的射频电路易与数字电路集成,从而降低整体芯片的成本; 另一方面,随着CMOS 工艺进人深亚微米区域,器件的击穿电压也随着降低,限制了CMOS功率放大器的输出功率。对于功率放大器而言,输出功率与电源电压的平方成正比,与漏端的负载阻抗成反比用。所以,可以通过增大电源电压和减小负载阻抗来提高输出功率。但是由于负载阻抗必须匹配到50 欧姆,而较低的负载阻抗会使得输出阻抗转换网络的阻抗转换比偏高。由集总参数元件组成的阻抗转换网络功率损耗会随着阻抗转换比的升高而升高。故而,漏端的负载阻抗不能取的过低。所以,就提高功率放大器的输出功率而言,提高电源电压的优势比降低负载阻抗更明显。

基于IBM 0.08um SOI CMOS设计两级AB类功率放大器

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