资料介绍
根据IEEE 521-2002标准,X波段是指频率在8-12 GHz的无线电波波段,在电磁波谱中属于微波。而在某些场合中,X波段的频率范围则为7-11.2 GHz。通俗而言,X波段中的X即英语中的“extended”,表示“扩展的”调幅广播。本文介绍基于X波段的天线、频率合成器、振荡器等的设计实现方案,供大家参考。
X波段频率合成器设计
本文提出LL频率合成方案是用于频率合成器设计的一种较好的方案,PLL频率合成器在相位噪声特性、杂波抑制及频率分辨率等方面相对于单一的频率合成方式都较大的优势,其更大的优点还在于相对于多环锁相和混频锁相其结构简单、调试方便、性能稳定。
基于SFCR新型介质的X波段压控振荡器的研制
本文基于负阻振荡器的基本理论,采取调谐振荡器负阻电路部分的状态的方法来达到改变整个负阻振荡器的输出频率的方法成功设计并制作了一个新型介质压控振荡器—VCDO。由于基于SFCR介质压控振荡器(VCDO)体积小、指标优良,具有较好的实用前景。
X波段间接式频率综合器的设计
本文主要介绍了针对恶劣的环境条件进行的技术攻关,充分发挥DAS和PLL的优点,获得了具有高稳定、低相噪、低杂散和捷变频等特性的全相参间接式频综器,并且全面达到环境适应性等方面的要求。
X波段MCM T/R组件的系统补偿设计
本文所使用的金丝模型直接采用ADS软件中电路静态模型,针对实际电路中金丝可能的拱高以及与前后LTCC微带线的压接位置,在三维仿真软件HFSS中对金丝进行了三维建模仿真,仿真结果表明三维模型与电路静态模型精度相当,权衡仿真速度和精度,采用静态模型更有效。
X波段宽带微带阵列天线设计
本文设计的X波段宽带微带阵列天线的天线单元即是采用这种缝隙耦合馈电的双层微带天线。为了减小背向辐射,采用带状线作为天线单元的馈电线和阵列的馈电网络。由于设计需求,阵列中心缺失单元,属于不规则阵列,因此采用遗传算法对阵列的权值分布进行了全局优化,以得到较低的副瓣电平。
X波段LNA设计
本文的微波低噪声放大器是利用微波低噪声场效应管在微波频段进行放大。实现的放大器噪声低、增益高、体积小、重量轻, 作为接收机的射频前端, 已经在无人机机载和地面设备中得到应用。
X波段相控阵雷达单片微波集成电路芯片组
本文介绍了高性能的X波段相控阵雷达元芯片组,在发送端包括驱动和功放器件,接收端包括低噪声放大器/限幅器,控制端包括衰减器和移相器。这些器件提供了100%的RF和DC检测,确保他们的性能,并能使用户提高产量,降低成本。
机载低相位噪声X波段频率合成器的研究
本文介绍了机载频率合成器的实用设计。一种混合合成器结构可以使芯片相位噪声性能提升8dB。最佳的实用合成器结构对来自所有源的杂散进行抑制,使其输出水平小于-64dBc。
X波段基片集成波导带通滤波器的设计
文中利用基片集成波导结构设计并制作出了一种X波段中心频率是9.58 GHz、相对带宽是8.35%的9阶切比雪夫并联电感耦合波导带通滤波器。该滤波器在9.18~9.98 GHz的通带范围内表现出了良好的性能。
高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关
本文提出了一种通过CPW传输线与共面波导地平面间的衬底刻槽,提高隔离度并应用于X波段的RF MEMS电容式并联开关。该设计在不改变开关结构和电路结构的基础上提高了开关的隔离性能,为基于CPW结构的RF MEMS高性能电路设计提供了一种参考。
X波段频率合成器设计
本文提出LL频率合成方案是用于频率合成器设计的一种较好的方案,PLL频率合成器在相位噪声特性、杂波抑制及频率分辨率等方面相对于单一的频率合成方式都较大的优势,其更大的优点还在于相对于多环锁相和混频锁相其结构简单、调试方便、性能稳定。
基于SFCR新型介质的X波段压控振荡器的研制
本文基于负阻振荡器的基本理论,采取调谐振荡器负阻电路部分的状态的方法来达到改变整个负阻振荡器的输出频率的方法成功设计并制作了一个新型介质压控振荡器—VCDO。由于基于SFCR介质压控振荡器(VCDO)体积小、指标优良,具有较好的实用前景。
X波段间接式频率综合器的设计
本文主要介绍了针对恶劣的环境条件进行的技术攻关,充分发挥DAS和PLL的优点,获得了具有高稳定、低相噪、低杂散和捷变频等特性的全相参间接式频综器,并且全面达到环境适应性等方面的要求。
X波段MCM T/R组件的系统补偿设计
本文所使用的金丝模型直接采用ADS软件中电路静态模型,针对实际电路中金丝可能的拱高以及与前后LTCC微带线的压接位置,在三维仿真软件HFSS中对金丝进行了三维建模仿真,仿真结果表明三维模型与电路静态模型精度相当,权衡仿真速度和精度,采用静态模型更有效。
X波段宽带微带阵列天线设计
本文设计的X波段宽带微带阵列天线的天线单元即是采用这种缝隙耦合馈电的双层微带天线。为了减小背向辐射,采用带状线作为天线单元的馈电线和阵列的馈电网络。由于设计需求,阵列中心缺失单元,属于不规则阵列,因此采用遗传算法对阵列的权值分布进行了全局优化,以得到较低的副瓣电平。
X波段LNA设计
本文的微波低噪声放大器是利用微波低噪声场效应管在微波频段进行放大。实现的放大器噪声低、增益高、体积小、重量轻, 作为接收机的射频前端, 已经在无人机机载和地面设备中得到应用。
X波段相控阵雷达单片微波集成电路芯片组
本文介绍了高性能的X波段相控阵雷达元芯片组,在发送端包括驱动和功放器件,接收端包括低噪声放大器/限幅器,控制端包括衰减器和移相器。这些器件提供了100%的RF和DC检测,确保他们的性能,并能使用户提高产量,降低成本。
机载低相位噪声X波段频率合成器的研究
本文介绍了机载频率合成器的实用设计。一种混合合成器结构可以使芯片相位噪声性能提升8dB。最佳的实用合成器结构对来自所有源的杂散进行抑制,使其输出水平小于-64dBc。
X波段基片集成波导带通滤波器的设计
文中利用基片集成波导结构设计并制作出了一种X波段中心频率是9.58 GHz、相对带宽是8.35%的9阶切比雪夫并联电感耦合波导带通滤波器。该滤波器在9.18~9.98 GHz的通带范围内表现出了良好的性能。
高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关
本文提出了一种通过CPW传输线与共面波导地平面间的衬底刻槽,提高隔离度并应用于X波段的RF MEMS电容式并联开关。该设计在不改变开关结构和电路结构的基础上提高了开关的隔离性能,为基于CPW结构的RF MEMS高性能电路设计提供了一种参考。
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