静电损伤失效的分析方法详细概述

1901350 2021-01-12 | pdf | 0.14 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

　　电子产品在生产制造过程中的静电放电损伤是引起半导体器件失效的重要原因。产品在生产线上出现批量下线时，应当怀疑是否由于静电放电引起。这种情况，不仅需要对生产线进行排查，而且需要对失效器件开展深入分析工作。失效分析在静电放电损伤方面的应用技术发展迅速，除了常规的外观、电测、内部形貌观察等常规手段外，一些电路模拟技术、热点侦测、微光显微镜等技术对微电子器件进行失效定位，研究的对象也覆盖了普通的 CMOS 集成电路、隧道场效应晶体管、铟镓氧化锌薄膜晶体管、SiC MESFET 等类型。一、静电的产生及来源静电是静止不动的带电电荷（正电荷或者负电荷），通常存在于物体表面，它是由于物体表面局部正负电荷（电子）失衡造成。通常，静电产生有三种方式：摩擦起电、界面剥离起电和感应起电。其中，摩擦起电和剥离起电主要发生在非导体材料之间，如有机聚合物、木制品、橡胶、棉花和羊毛制品、人手、玻璃等，影响的因素包括：材料特性、摩擦或接触面积、速度、环境湿度等；感应起电主要是带电的物体引起非导体材料感应起电。不同静电电位的两个物体间静电电荷的转移过程就是静电放电。静电放电方式有接触放电、空气放电等。一般来说，静电只有在发生静电放电时，才可能会对元器件造成损伤，尤其是快速放电过程。结合企业的电子制造过程，表 1 给出了电子产品生产制造过程中常见的可能产生静电的物品和器材以及对元器件影响分析结果。