一种小型DMS低通滤波器的介绍和设计资料说明

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上传日期: 2020-09-30

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资料介绍

标签:混频器(391)功率放大器(1123)滤波器(3507)

近年来出现的缺陷微带结构(DefectedMicrostripStructure,DMS,过去曾称为EBG)凭借阻带宽、体积小的优势受到国内外专家学者的高度关注,它是直接在微带线上蚀刻出高电感高电容,因而易于加工实现。利用其高电感高电容低通带阻特性设计出的低通滤波器可以用于功率放大器、混频器等微波有源器件的谐波抑制。在L、S波段,国内外专家和学者对DMS结构在低介电常数基板材料上做了大量的研究工作,在更高频段,高介电常数基板上的有关报道较少。为了实现将DMS的宽阻带,小尺寸特性应用于高频段,高介电常数材料,有必要对其进行做新的探讨。

DMS结构单元如图1,微带介质为三层Ferro-A6M生瓷带材料,每层生瓷带烧结后厚度为0.096mm,三层厚0.288mm,该材料相对介电常数εr=5.9,损耗角正切tanδ=0.0015。两端50Ω微带线宽0.43mm,蚀刻DMS处低阻抗微带线用于补偿DMS高阻抗特性,以实现滤波器50Ω匹配阻抗,低阻抗补偿段选用34Ω微带线宽0.82mm。利用HFSS(HighFrequencySructrueSimulator)仿真分析,T形单元“一横”缝隙宽度对传输性能的影响不大,我们变化T形单元“一横”缝隙的长度,从仿真分析图2得出,DMST形单元有带阻低通特性,谐振频率随T形“一横”缝隙长度增加而减小。谐振频率随T形“一竖”长度增加而减小,如图3。图4表明,T形“一竖”宽度增加,谐振频率增大。


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