肖特基势垒二极管及制造方法

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上传日期: 2011-03-09

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资料介绍

一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前,
由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚眈亚胶层等,故
不能推进芯片的小型化,并且,电极间存在距离,
不能提高特性。另外,其制造方法中肖特基结部分
的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n
型及n+ 型离子注入区域形成动作区域,不再需要
设置台面及聚眈亚胶层,可实现化合物半导体的平
面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本,由于
可使电极间距离接近,故可实现芯片的缩小,也可
提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻
GaAs ,故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。


 

 

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