大功率的同步升压芯片Hb6803应用指南资料免费下载

　　一：pcb 布线：

　　a： 单点接地，把所有 hb6803 周边元件的地先接到 hb6803 的第7脚，第8脚，再接到最后一个输出电容的地上。必须这样做，也很容易做到。大电流的电源+和地，都必须先经过电容的+和地才能给负载供电，不可以不经过电容直接对负载供电（等于电容容量下降很多）。FB的上拉电阻+电容和下拉电阻最好靠近hb6803的第6 脚，Vout 走线最好不要通过电感，主 mosfet 的（LX 线）下面，否则会引入干扰，如果万不得已必须走，则请在靠近第 6 脚附近加个 1uf 电容对地滤波。

　　b： 主回路（大电流走线）越短越好，含电源正和地线。一者走线有内阻，大电流会发热。二者走线长，EMC 和 EMI 都不好过关，相当于电路中加入漏感。为了进一步减少交流阻抗，可以把输入的瓷片电容的地，下功率管的地，和输出瓷片电容的地靠很近，（可以放第二面，和下功率管的反面）。非常有效的减少交流阻抗。

　　二：mosfet 的选择：不光是考虑内阻，主要考虑的是 mosfet 的开关损耗，有几个关键参数特别注意：a： tr 上升沿时间。b： toff 下降沿时间。c： Ciss，Ciss 越少越好，单管建议不要超过 2500pf 为好。Ciss 太大，会让 hb6803 发热，同时功率管开通关断损耗加大，降低效率，从而增加发热。暂时小功率的 aon7544（30V），aon6504（30V），中功率的 aon6974（30V），aon6234（40V），IRFHM8334（30V）， TPH7R006RL 不错。Aod4186 和 aod4184 也行，（比 aon6234 差些）， 60V 的管子在继续选择。我强烈建议在 100w 以及以下的应用上，选用好的 mosfet，不要用散热片，降低成本，减少空间。