LCOS和MILC技术分析

LCOS和MILC技术分析  
内容摘要:本文介绍LOGS和MILG技术的近来发展及应用。LGOS技术是矽基CMOS集戚电路技术和LGD技术相结合的反射式显示技术，它具有高密度、高解析度显示特点，应用於投影显示和头盔显示。MILG技术是金属诱导横向晶体生长技术，此技术成功地应用到低温p－Si TFT，并成为激退火低温p一Si TFT技术的有力竞争者。它具有设备投入低、工艺筒便可靠、重复性好、均匀性好等特点。MlLG将成为低温p一Si TFT的核心技术，受到TFT产业界的重视。
 
直视式大萤幕电视和显示器尚未大量投放市场，使投影显示发展活跃起来，其中LCOS(LiquidCrystalonSilicon)反射式投影显示刚刚迸人市场，引起人们的重视。因为LCOS技术借矽基CMOS积体电路技术，在单晶矽片上CMOS阵列取代a一Si TFT LCD中玻璃基板上a一Si TFT阵列，相比之下前者生产技术更成熟，还有单晶矽迁移率远高於a一Si迁移率，因此不仅适合於高密度、高解析度、高开口率显示，而且可以周边驱动电路集成一体，甚至可以集成资讯处埋系统。但LCOS微型显示通过光学系统放大图像几十到几百倍，带来液晶显示技术的新问题。本文介LCOS的应用和市场、LCOS基本结构、光学系统及液晶显示中的新问题。

本文还要介绍MILC(Metal Induced Lateral Crystallization:金属诱导横向晶体生长)技术。此技术正在形成产业化的低温多晶矽技术，成为准分子镭射退火技术约有力竞争者，受到低温p一Si TFT LCD企业家的高度重视。
LCOS
图1表示LCOS应用范围和市场。LCOS应用於头盔显示、拼接式显示、前投影和背投影显示。近期前投影和拼接式显示占主导，远期背投影占主导，今後LCOS主要应用於数位化HDTV。2000年产值为5亿美元，到2004年产值将达到23亿美元，年增长率为46.5％。
图2表示LCOS结构。在单晶矽片上集成CMOS和存贮电容器的阵列，通过开孔把漏电极和图元电极连结，图元电极用铝做成反射电极。为防止强光照射沟道，加一层金属档光层。另一侧基板是ITO电极的玻璃板。液晶层盒厚爱图元尺寸限制，一般盒厚取几微米。LC0S前投影放大倍数大，显示区内不能用控制盒厚的隔垫物，或者盒厚取小於2微米，可用隔垫物。
图3表示轴上光学投影系统。用金属卤化物灯(亮度6000流明以上)或氖灯(亮度60000流明)，用抛物面反射镜过滤紫外光和红外光，再用冷反射镜过滤红外光，通过聚焦透镜和复眼透镜得到均匀的平行光，然後分色镜分光，再通过PBS得到偏振光，通过LCOS反射进行合成并通过变焦透镜投影到萤幕。在轴上投影系统紧凑性好，但很难得到高对比度。