智能功率电子技术应用发展

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上传日期: 2017-09-08

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标签:智能电源(25)功率器件(125)

  随着时间的推移,功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小,功率密度越来越高。在电压高于1kV的大功率晶体管方面,双极结构已成为首选;低于1kV电压,特别是频率高于100kHz时,更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。

  当前功率半导体封装的主要趋势是增强互连,包括旨在降低阻抗/寄生效应的晶圆级技术,以及增强型片上散热。厚铜、金或铝线邦定、缎带(ribbon)/封装黏着(clipbonding),以及功率优化的芯片级封装(CSP)也在增强裸片与外部电极之间的电阻连接效率。下图显示了封装技术的演进。

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