世界晶体管型号命名方法

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上传日期: 2011-03-08

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标签:型号命名(2)晶体管(471)

  一、中国半导体器件型号命名方法

  半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部

  分意义如下:

  第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

  第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表

  示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

  第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻

  尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc< 1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高

  频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件

  、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

  第四部分:用数字表示序号

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