产品频道

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

数据: TP2104datasheet.pdf

产品信息

这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。

高输入阻抗和高增益

低功率驱动要求

&nbsp ; 易于并联

低CISS和快速切换速度

卓越的热稳定性

整体来源 - 二极管

免于二次故障

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TP2104 相关库存

相关阅读