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TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

数据: TPS51716中文资料.pdf

产品信息

描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出电压范围:0.7V 至 1.8V 0.8% VREF精度 D-CAP2 针对陶瓷输出电容器的模式 可选 500kH/670kHz 开关频率 自动跳跃功能优化了轻负载和重负载时的效率支持 S4/S5 状态中的软启动 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护 电源正常输出2A LDO(VTT),经缓冲基准 (VTTREF)2A(峰值)灌电流和拉电流只需 10μF 陶瓷输出电容器 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭热关断 20 引脚,3mm x 3mm,四方扁平无引线 (QFN) 封装

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册(1) 相关资料(1)
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