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TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

数据: TPS54116-Q1中文资料.pdf

产品信息

描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸。特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案 4A 同步降压转换器集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 固定频率电流模式控制 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz 与一个外部时钟同步 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1% 可调逐周期峰值电流限制针对预偏置输出的单调性启动直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调热关断 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装应用嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端 信息娱乐和仪表板 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)All trademarks are the property of their respective owners.

电路图、引脚图和封装图

技术文档

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