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LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

数据:

描述

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。

提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。

特性

  • 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ......
  • 独立高低 - 驱动器逻辑输入
  • 自举电源电压高达118 V DC
  • 快速传播时间(典型值为25 ns)
  • 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间
  • 优秀的传播延迟匹配(3 ns
    典型值)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗< /li>
  • 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容

参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
LM5100C LM5100A LM5100B LM5101C LM5102 LM5104
2     2     2     2     2     2    
MOSFET     MOSFET     MOSFET     MOSFET     MOSFET     MOSFET    
100     100     100     100     100     100    
1     3     2     1     2     2    
9     9     9     9     9     9    
14     14     14     14     14     14    
10     10     10     10     10     10    
10     10     10     10     10     10    
25     25     25     25     35     35    
10     10     10     10     10     10    
CMOS     CMOS     CMOS     TTL     TTL     TTL    
CMOS     CMOS     CMOS     TTL     TTL     TTL    
-1     -1     -1     -1     -1     -1    
N/A     N/A     N/A     N/A     N/A     N/A    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125    
SOIC     SO PowerPAD
SOIC
WSON    
SOIC
WSON    
MSOP-PowerPAD
SOIC
WSON    
VSSOP
WSON    
SOIC
WSON    

方框图 (2)

技术文档

数据手册(1)
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