表面贴装封装技术SMP介绍
SMP是指采用表面贴装技术 (Surface Mounted Technology， SMT) 将集....
先进封装（Advanced Package）
2.5D 封装是在2D封装结构的基础上，在芯片和封装载体之间加入了一个硅中介转接层，该中介转接层上利....
传统封装通常是指什么？包括哪些封装形式？
传统封装通常是指先将晶片切割成单个芯片再进行封装的工艺形式，主要包含SIP、DIP、SOP、SOT、....
集成电路传统封装的定义及其作用
狭义的封装定义是指安装集成电路芯片外壳的过程；广义的封装定义应包括将制备合格的芯片、元件等装配到载体....
全球封测业发展现状与趋势
随着芯片技术的发展，封装具有了新的作用，如功能集成和系统测试。从封装类型的发展来看，早期的封装主要是....
动态随机存储器集成工艺（DRAM）详解
在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded....
详解三维NAND集成工艺（3D-NAND Integration Technology）
在20nm 工艺节点之后，传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而....
后段集成工艺（BEOL Integration Flow）- 2
双镶嵌工艺分为先通孔 （Via-First） 和先沟槽(Trench-First）两种技术。以先通孔....
主侧墙和N+/P+源漏的形成
首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮....
高K介质（High-k Dielectric)和替代金属栅(RMG)工艺介绍
高k介质（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等）模块....
自对准硅化物 (Self -Aligned Silicide) 工艺
形成多晶硅栅和源漏之后，先用湿法或干法清除在有源区 (AA)和多晶硅栅表面的氧化物，溅射一薄层（厚度....
前段集成工艺（FEOL）
其制造工艺流程如下：首先形成补偿侧墙 (Offset Spacer)，经n+/p+轻掺杂源漏后，选择....
前段集成工艺（FEOL）-4
在硅表面保留的这一层氧化层，在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 LDD....
嵌入式源漏选择性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）
源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露....
应变硅（Strained Silicon）
根据应变的作用方向差异，应变还可以分为双轴应变（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y两个....
双重图形化技术（Double Patterning Technology，DPT）
SADP 技术先利用浸没式光刻机形成节距较大的线条，再利用侧墙图形转移的方式形成 1/2 节距的线条....
铝/铜互连工艺与双镶嵌法（AL/Cu Interconnect and Dual Damascenes）
铝/铜互连工艺是指将前段工艺制备的晶体管连接起来的工艺。硅片上的金属互连工艺过程是应用化学方法和物理....
接触孔工艺（Contact Process）
接触孔工艺是集成电路制造中的关键工艺，也是技术难度最高的工艺之一。接触孔的尺寸是集成电路工艺中最小的....
集成电路芯片制造中的3种硅化物工艺介绍
为了降低接触电阻和串联电阻，在集成电路制造中引入了硅化物工艺，业界先后采用了可规模生产的 WSi2 ....
高K金属栅工艺（HKMG）
目前，高K栅介质与金属栅极技术已广泛应用于 28mmn 以下高性能产品的制造，它在相同功耗情况下可以....
多晶硅栅（Poly-Si Gate）
多晶硅栅光刻工艺使用的光刻机是同一技术代集成电路工艺线中最先进、最昂贵的设备，它采用 UV 光源进行....
沟道工艺（Channel Process）
沟道工艺是集成电路的核心工艺之一，它确定了场效应晶体管的基本特性，如阈值电压、短沟道特性、噪声特性、....
模块工艺——隔离工艺（Isolation）
最早的隔离技术是 pn 结隔离，因为加上反向偏压，pn结就能起到很好的天然隔离作用。但是，由于其需要....
CMOS集成电路的双阱工艺简析
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
模块工艺——双阱工艺（Twin-well or Dual-Well）
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別....
湿法刻蚀和清洗（Wet Etch and Cleaning）
湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀....
干法刻蚀和清洗（Dry Etch and Cleaning）
干法刻蚀工艺流程为，将刻蚀气体注入真空反应室，待压力稳定后，利用射频辉光放电产生等离子体；受高速电子....
外延工艺（Epitaxy）
固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入....
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