作为第三代半导体材料的代表,碳化硅(SiC)凭借其禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性,成为高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新应用场景设备功率器件的新宠。在不久前的一场罗姆SiC产品分享会上,笔者详细了解了SiC产品在功率器件中的比较优势,以及该公司在SiC产品线、车规产品以及生产制造方面的情况。
比较优势
与Si功率器件相比,SiC产品的耐高压特性使得器件可以使用更薄的半导体层(约1/10),并且由于其漂移区阻值只有Si器件的1/300,所以它的导通损耗非常低。
上图显示,以二极管(PN、SBD)和晶体管(IGBT、MOSFET)这两种功率器件为例,目前在超过400V和600V电压的少子和多子器件中,SiC在导通电阻和开关速度上都有绝对优势。由于SiC材料具有更低的阻抗,更高的运行频率以及更耐高温,所以在同等效果下,SiC器件只需要Si器件1/2的尺寸,1/10的被动元件以及1/5的冷却系统。
以目前光伏和车载电源系统中常用的5kW LLC DC/DC转换器为例,SiC芯片面积只有Si-IGBT的1/4左右,重量也只有其1/8左右,而损耗能降低63%!总的来看,目前市场上高压应用中,Si-IGBT还占据主导地位,SiC只占1/10左右,可以说市场前景广阔。光伏、数据中心、智能电网充电站、工业自动化驱动电源、电动汽车、铁路、风电和家电都是罗姆关注的SiC功率器件的目标市场。
提升产能
基于这样的市场潜力,罗姆正在积极扩张该公司产能。去年4月,罗姆在日本福冈县启动了12年来首座新厂——ROHM Apollo筑后工厂——的建设,原计划总建筑面积为1.1万平方米,后又决定加建到2万平方米。该厂主要生产6英寸SiC功率器件的衬底、外延片和晶圆加工的预处理工艺。预计新厂房将于2020年12月竣工,2021年开始投入运营,2022年开始大批量生产。新厂投产后,预计到2024财年,罗姆SiC器件全球总产能较2016财年将增长16倍,栅极驱动则较2016财年增长15倍。
上面两张图分别是罗姆目前所有的SiC分立和功率模块产品。罗姆是全球少数完全拥有SiC垂直整合制造工艺的公司,包括从晶棒生产到晶圆再到封装。据悉,今年该公司将扩充6英寸第三代工艺600V SBD产品,预计年底将推出1200V样片;在SiC-MOSFET上,今年会推出非车规第四代6英寸工艺产品,明年则将推出车规级产品。
重在车载
电动汽车的主驱逆变器、车载充电器和降压转换器将是SiC功率器件的主要应用。由于SiC功率器件体积减少,省出的空间和重量可以增加到电池组,这增加了电池容量并因此延长了续航里程。此外,SiC功率器件高转换效率大大缩短了充电时间,而其耐压特性,也使得整车充电电缆重量降低——因为可以支持800V电池电压。
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