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总线传输替代点对点传输是目前发展的热点

传感器技术 2019-05-07 16:13 次阅读

总线,英文叫作“BUS”,即我们中文的“公共车”,这是非常形象的比如,公共车走的路线是一定的,我们任何人都可以坐公共车去该条公共车路线的任意一个站点。如果把我们人比作是电子信号,这就是为什么英文叫它为“BUS”而不是“CAR”的真正用意。当然,从专业上来说,总线是一种描述电子信号传输线路的结构形式,是一类信号线的集合,是子系统间传输信息的公共通道。通过总线能使整个系统内各部件之间的信息进行传输、交换、共享和逻辑控制等功能。如在计算机系统中,它是CPU、内存、输入、输出设备传递信息的公用通道,主机的各个部件通过主机相连接,外部设备通过相应的接口电路再于总线相连接。

现代网络信息的发展,特别是对于成本和空间而言,总线传输替代点对点传输是目前发展的热点,它的出现将给信息传输上提供了最大的方便和最有效的技术解决方案。

系统总线的基本组成

数据总线:传送数据信息

地址总线:传送地址信息

控制总线:传送控制信息(完成总线操作功能)

电源线:为系统提供电源信号

总线的功能

1、数据传输功能

数据传输功能是总线的基本功能,用总线传输率来表示,即每秒传输的字节数,单位是Mbps(兆字节每秒)。

2、多设备支持功能

多个设备使用一条总线,首先是总线占用权的问题,哪一个主设备申请占用总线,由总线仲裁器确定。

3、中断

中断是计算机对紧急事务响应的机制。当外部设备与主设备之间进行服务约定时,中断是实现服务约定的联络信号。

4、错误处理

错误处理包括奇偶校验错、系统错、电池失效等错误检测处理,以及提供相应的保护对策。

总线的数据传输流程

1、申请占用总线

需要使用总线的总线主设备(如CPU、DMA控制器等)向总线仲裁机构提出占用总线的请求,经总线仲裁机构判定,若满足响应条件,则发出响应信号,并把下一个总线传送周期的总线控制权授予申请者。

2、寻址

3、传送数据

总线主设备也叫主模块,被访问的设备叫从模块。主模块和从模块之间的操作是由主模块控制在两个从模块之间通过数据总线进行数据传送。

4、结束

主、从模块的信息均从总线上撤除,让出总线,以便其它主模块使用。

微机总线的种类

片内总线

它是位于大规模、超大规模集成芯片内部各单元电路之间的总线,作为这些单元电路之间的信息通路。如CPU内部ALU、寄存器组、控制器等部件之间的总线。

局部总线(也称内部总线)

通常指微机主板上各部件之间的信息通路。由于是一块电路板内部的总线,故又称在板局部总线。较典型的局部总线如:IBM-PC总线,ISA总线,EISA总线,VL和PCI总线等。

系统总线(也称外部总线)

是指微机底板上的总线,用来构成微机系统的各插件板、多处理器系统各CPU模块之间的信道。较典型的系统总线如:STD-BUS,MULTI-BUS,VME等。

通信总线

它是微机系统与系统之间、微机系统与其它仪器仪表或设备之间的信息通路。这种总线往往不是计算机专有的,而是借用电子工业其它领域已有的总线标准并加以应用形成的。流行的通信总线如:EIA-RS-232C、RS-422A、RS-485,IEEE-488,VXI等总线标准。

各总线间的关系

使用总线技术的优点

1、简化软、硬件设计:由于总线定义非常严格,任何厂家或个人都必须按其标准制作插件板,有了规范就给用户在硬件设计上带来了很大的方便,简化了设计过程。

2、简化系统结构:采用标准总线,只要将各功能模块(板)挂在总线上就可以方便的构成微机的硬件系统。

3、便于系统的扩充:对于采用标准总线构成的微机系统,只要按总线标准和用户扩充要求设计或直接购买插件板插到总线插槽上就达到了扩充的目的。

4、便于系统的更新:随着电子技术的不断发展,新的器件不断涌现,微机系统也要不断更新,在采用标准总线的插件板上用新的器件取代原来的器件就可以很方便地提高系统性能,而不必做很大改动。

总线技术的分类

总线分类的方式有很多,如被分为外部和内部总线、系统总线和非系统总线等等。

1、按功能分

最常见的是从功能上来对数据总线进行划分,可以分为地址总线(address bus)、数据总线(data bus)和控制总线(control bus)。在有的系统中,数据总线和地址总线可以在地址存器控制下被共享,也即复用。

地址总线是专门用来传送地址的。在设计过程中,见得最多的应该是从CPU地址总线来选用外部存储器的存储地址。地址总线的位数往往决定了存储器存储空间的大小,比如地址总线为16位,则其最大可存储空间为216(64KB)。

数据总线是用于传送数据信息,它又有单向传输和双向传输数据总线之分,双向传输数据总线通常采用双向三态形式的总线。数据总线的位数通常与微处理的字长相一致。例如Intel 8086微处理器字长16位,其数据总线宽度也是16位。在实际工作中,数据总线上传送的并不一定是完全意义上的数据。

控制总线是用于传送控制信号和时序信号。如有时微处理器对外部存储器进行操作时要先通过控制总线发出读/写信号、片选信号和读入中断响应信号等。控制总线一般是双向的,其传送方向由具体控制信号而定,其位数也要根据系统的实际控制需要而定。

2、按传输方式分

按照数据传输的方式划分,总线可以被分为串行总线和并行总线(基于各种总线技术设计电路图集锦)。从原理来看,并行传输方式其实优于串行传输方式,但其成本上会有所增加。通俗地讲,并行传输的通路犹如一条多车道公路,而串行传输则是只允许一辆汽车通过单线公路。目前常见的串行总线有SPII2CUSB、IEEE1394、RS232、CAN等;而并行总线相对来说种类要少,常见的如IEEE1284、ISA、PCI等。

3、按时钟信号方式分

按照时钟信号是否独立,可以分为同步总线和异步总线。同步总线的时钟信号独立于数据,也就是说要用一根单独的线来作为时钟信号线;而异步总线的时钟信号是从数据中提取出来的,通常利用数据信号的边沿来作为时钟同步信号。

总线传输的基本原理

依据前面对总线的定义可知总线的基本作用就是用来传输信号,为了各子系统的信息能有效及时的被传送,为了不至于彼此间的信号相互干扰和避免物理空间上过于拥挤,其最好的办法就是采用多路复用技术,也就是说总线传输的基本原理就是多路复用技术。所谓多路复用就是指多个用户共享公用信道的一种机制,目前最常见的主要有时分多路复用、频分多路复用和码分多路复用等。

时分多路复用(TDMA)

时分复用是将信道按时间加以分割成多个时间段,不同来源的信号会要求在不同的时间段内得到响应,彼此信号的传输时间在时间坐标轴上是不会重叠。

频分多路复用(FDMA)

频分复用就是把信道的可用频带划分成若干互不交叠的频段,每路信号经过频率调制后的频谱占用其中的一个频段,以此来实现多路不同频率的信号在同一信道中传输。而当接收端接收到信号后将采用适当的带通滤波器和频率解调器等来恢复原来的信号。

码分多路复用(CDMA)

码分多路复用是所被传输的信号都会有各自特定的标识码或地址码,接收端将会根据不同的标识码或地址码来区分公共信道上的传输信息,只有标识码或地址码完全一致的情况下传输信息才会被接收。

总线主要技术指标

评价总线的主要技术指标是总线的带宽(即传输速率)、数据位的宽度(位宽)、工作频率和传输数据的可靠性、稳定性等。

带宽(传输速率)、位宽和工作频率

总线的带宽指的是单位时间内总线上传送的数据量,即每钞传送MB的最大数据传输率。总线的位宽指的是总线能同时传送的二进制数据的位数,或数据总线的位数,即32位、64位等总线宽度的概念;总线的位宽越宽,数据传输速率越大,总线的带宽就越宽。总线的工作时钟频率以MHz为单位,它与传输的介质、信号的幅度大小和传输距离有关。在同样硬件条件下,我们采用差分信号传输时的频率常常会比单边信号高得多,这是因为差分信号的的幅度只有单边信号的一半而已。

总线的带宽、位宽和工作频率,这三者密切相关,它们之间的关系:

传输数据的可靠性

可靠性是评定总线最关键的参数,没有可靠性,传输的数据都是错误的信息,便就失去了总线的实际意义。为了提高总线的可靠性,通常采用的措施有:

1、采用数据帧发送前发送器对总线进行侦听,只有侦听到总线处于空闲状态下时才可向总线传送数据帧,这样避免了不同节点的数据冲突。

2、采用双绞线差分信号来传送数据,以降低单线的电压升降幅度,减小信号的边沿产生的高次谐波。

3、适当的让数据的边沿具有一定的斜坡。

4、增加匹配电阻电容等来减少总线上信号的发射和平衡总线上的分布电容等。

5、采用合适的网络拓扑结构和屏蔽技术等来减少受其他信号的干扰。

几种典型的总线技术及特点

STD系统总线

1、模块化的小板结构、开放式的灵活组态

STD总线使得微机系统被划分成若干模块,并制作成标准的功能模板(插件卡)。用户可根据需要选择功能模板组成自己的微机,插件卡与外设之间可用其他方式连接,因此可以灵活方便地构成适应不同要求的微机系统。

2、高可靠性、高抗干扰能力和高信号质量

STD总线优良的物理特性使之具有抗恶劣环境的能力。其模块化小尺寸结构使其具有抗冲击和振动的能力,也可以减少自身发热产生的问题。由于STD总线采用印刷电路板边缘做接插件,可防止插件卡反插,引脚弯曲或折断。同时STD总线的结构可使信号流有序地从总线接口流向用户接口,提高了信号的质量。

3、兼容的结构、配套的产品和齐全的功能

STD总线的兼容式结构可以使8位的STD产品与新标准的16位或32位STD产品一起工作。STD总线还支持多处理器系统。随着技术的发展和STD产品的推广和应用,其标准插件板的功能不断增强,配套产品越来越丰富,给使用带来极大方便。

RS-232C通信总线

RS-232C是一种串行通信总线标准,也是数据终端设备(DTE)和数据通信设备(DCE)之间的接口标准,是1969年由美国电子工业协会(EIA)从CCITT远程通信标准中导出的一个标准。当初制定这一标准的目的是为了使不同厂家生产的设备能达到接插的兼容性,即无论哪一家生产的设备,只要具有RS-232C标准接口,则不需要任何转换电路就可以互相接插起来,但这个标准只保证硬件兼容而不保证软件兼容。

RS-232C标准包括机械指标和电气指标,其中机械指标规定:RS-232C标准接口通向外部的连接器(插针和插座)是一个“D”型保护壳25针插头。

RS-232C的主要特点

1、信号线少:RS-232C总线共有25根线,它包括有主副两个通道,用它可进行双工通信。实际应用中,多数只用主信号通道(即第一通道),并只使用其中几个信号(通常3~9根线)。

2、传输距离远(相对于并行):由于RS-232C采用串行传输方式,并将TTL电平转换成了RS-232C电平,在基带传输时,距离可达30m。若是采用光电隔离20A电流环传送,其传输距离可达1000m 。当然,如果在串行接口加上调制解调器,利用有线、无线或光纤进行传送,其距离会更远。

3、可供选择的传输速率多:RS-232C规定的标准传送速率有:50,75,110,150,300,600,1200,2400,4800,9600,19200波特。可以灵活地使用于不同速率的设备。

4、抗干扰能力强:RS-232C采用负逻辑,空载时以+3~+25V之间任意电压表示逻辑“0”,以-3~-25V之间任意电压表示逻辑“1”,且它是无间隔不归零电平传送,从而大大提高了抗干扰能力。

RS-422A总线

RS-422A采用平衡输出的发送器,差分输入的接收器。发送器有两根输出线,当一条线向高电平跳变的同时,另一条输出线向低电平跳变,线之间的电压极性因此翻转过来。在RS-422A线路中发送信号要用两条线,接收信号也要用两条线,对于双工通信,至少要有4根线。由于RS-422A线路是完全平衡的,一般情况下,RS-422A线路不使用公共地线。这使得通信双方由于地电位不同而对通信线路产生的干扰减至最小。双方地电位不同产生的信号成为共模干扰会被差分接收器滤波掉,而这种干扰却能使RS-232C的线路产生错误。

RS-485总线

RS-485总线使用接口电路进行全双工通信,需要两对线或4条线,使线路成本增加。RS-485适用于收发双方共用一对线进行通信,也适用于多个点之间共用一对线路进行总线方式联网,通信只是半双工的。

由于共用一条线路,任何时刻,只允许有一个发送器发送数据,其它发送器必须处于关闭(高阻)状态,这是通过发送器芯片上的发送允许端控制的。例如,当该端为高电平时,发送器可以发送数据,而为低电平时,发送器的两个输出端都呈现高阻状态,好象从线路上脱开一样。

IEEE 488总线

IEEE 488是一种并行的外总线,它是20世纪70年代由HP公司制定的。1975年IEEE以IEEE- 488标准总线予以推荐,1977年国际电工委员会(IEC)也对该总线进行认可与推荐,定名为IEC-IB。所以这种总线同时使用了IEEE-448,IEC-IB(IEC接口总线),HP-IB(HP接口总线)或GP-IB(通用接口总线)多种名称。由于IEEE-448总线的推出,使得当用IEEE-448标准建立一个由计算机控制的测试系统时,不要再加一大堆复杂的控制电路,IEEE-488系统以机架层叠式智能仪器为主要器件,构成开放式的积木测试系统,因此IEEE-488总线是当前工业上应用最广泛的通信总线之一。

IEEE-488总线使用的约定:1、·数据传输速率≤1MB/S。2、·连接在总线上的设备(包括作为主控器的微型机)≤15个。3、·设备间的最大距离≤20M。4、·整个系统的电缆总长度≤220M,若电缆长度超过220M,则会因延时而改变定时关系,从而造成工作不可靠。这种情况应附加调制解调器。5、·所有数字交换都必须是数字化的。6、·总线规定使用24线的组合插头座,并且采用负逻辑,即用小于+0.8V的电平表示逻辑“1”;用大于2V的电平表示逻辑“0”。

系统上设备的工作方式:1、“听者”方式:这是一种接收器,它在数据总线上接收数据,一个系统在同一时刻,可以有两个以上的“听者”在工作。2、“讲者”方式:这是一种发送器,一个系统可以有两个以上的“讲者”但任一时刻只能有一个讲者在工作。3、“控者”方式:这是一种向其他设备发布命令的设备,例如对其他设备寻址,或允许“讲者”使用总线。任一时刻只能有一个控者。

IEEE- 488 总线传送数据时序:IEEE-488总线上数据传送采用异步方式,即每传送一个字节数据都要利用DAV,NRFD和NDAC 3条信号线进行握手联络。

原文标题:一文读懂总线技术

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东芝推出XG6-P固态硬盘系列 XG6-P系列最高存储容量[2]可达2,048GB

2019年第一季度世界存储器产品营收为271.24亿美元 下降26.8%

2019年第一季度,世界存储器(DRAM和NAND)产品营收额为271.24亿美元,与2018年第四....
的头像 集成电路园地 发表于 06-05 08:51 466次 阅读
2019年第一季度世界存储器产品营收为271.24亿美元 下降26.8%

YUY-3200 DSP教学实验系统实验箱的详细资料说明

采用德州仪器(TI)的TMS320VC54xx芯片作为主处理器(CPU),如5402、5409、54....
发表于 06-05 08:00 63次 阅读
YUY-3200 DSP教学实验系统实验箱的详细资料说明

储存型快闪存储器将成为各大应领用领域新宠 群联将获利

群联抢搭储存型快闪存储器(NAND Flash)需求爆发商机 ,今年在台北国际电脑展( Comput....
的头像 半导体动态 发表于 06-04 17:02 647次 阅读
储存型快闪存储器将成为各大应领用领域新宠 群联将获利

华为禁令加速存储器国产化进程 长江存储加足马力

2019将成为中国存储器发展的关键年,希望在强有力的政策支持下,加上国内厂商的不懈努力,中国存储器能....
的头像 DIGITIMES 发表于 06-04 16:27 1245次 阅读
华为禁令加速存储器国产化进程 长江存储加足马力

什么是MCU?

MCU,中文简称单片机。即将CPU、存储器(RAM和ROM)、多种I/O接口等集成在一片芯片上,形成....
的头像 玩转单片机 发表于 06-04 14:07 457次 阅读
什么是MCU?

五月DRAM与NAND Flash价格持续滑落5-10%,第三季跌幅可望收敛

智能型手机和笔记本计算机市场需求疲软的情况持续,五月份内存和闪存价格持续滑落,客户端的库存去化速度不....
发表于 06-04 10:02 360次 阅读
五月DRAM与NAND Flash价格持续滑落5-10%,第三季跌幅可望收敛

K9F1G08UOM存储器芯片的数据手册免费下载

三星 K9F1GXXX0M 提供了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量,另外还有 3....
发表于 06-04 08:00 45次 阅读
K9F1G08UOM存储器芯片的数据手册免费下载

工业控制计算机基本构造原理的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是工业控制计算机基本构造原理的详细资料说明。
发表于 06-03 08:00 76次 阅读
工业控制计算机基本构造原理的详细资料说明

51单片机汇编语言教程之单片机逻辑与或异或指令的详细资料讲解

本文档的主要内容详细介绍的是51单片机汇编语言教程之单片机逻辑与或异或指令的详细资料讲解。
发表于 05-31 16:59 79次 阅读
51单片机汇编语言教程之单片机逻辑与或异或指令的详细资料讲解

51单片机汇编语言教程之数据传送类指令的详细资料说明

在51系列单片机中,与外部存储器RAM 打交道的只能是A 累加器。所有需要传送入外部RAM 的数据必....
发表于 05-31 16:41 50次 阅读
51单片机汇编语言教程之数据传送类指令的详细资料说明

51单片机汇编语言教程之单片机并行口结构的详细资料说明

上两次我们做过两个实验,都是让P1.0 这个管脚使灯亮,我们能设想:既然P1.0 能让灯亮,那么其它....
发表于 05-31 16:40 76次 阅读
51单片机汇编语言教程之单片机并行口结构的详细资料说明

51单片机汇编语言教程之单片机存储器结构的详细资料说明

我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,通电后,单片机就可以执行这条指令,那么....
发表于 05-31 15:50 33次 阅读
51单片机汇编语言教程之单片机存储器结构的详细资料说明

STM32F105xx和STM32F107xx系列微控制器的数据手册免费下载

STM32F105xx和STM32F107xx互联型系列使用高性能的ARM® Cortex™-M3 ....
发表于 05-31 08:00 90次 阅读
STM32F105xx和STM32F107xx系列微控制器的数据手册免费下载

RFID打破收费解决方案的速度记录 可用于识别被盗车辆

科技公司Kathrein Solutions和Tonnjes合作利用Kathrein的读写器和软件平....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-30 11:30 657次 阅读
RFID打破收费解决方案的速度记录 可用于识别被盗车辆

中国半导体存储器产业竞争激烈 市场进入新的整合阶段

据介绍,尽管有一些周期性和季节性影响,但是独立存储器市场在过去十年中经历了非凡的增长。这是由重要的行....
发表于 05-29 17:00 295次 阅读
中国半导体存储器产业竞争激烈 市场进入新的整合阶段

示波器快速维修与CPU及总线相关的故障

用普通万用表无法判断CPU的时钟振荡是否建立。更无法测量时钟频率,对于总线信号以及其他辅助脉冲信号也....
发表于 05-28 10:30 299次 阅读
示波器快速维修与CPU及总线相关的故障

《全球半导体市场发展趋势白皮书》解读

全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示,2018年全球半导体市场规模达到4688亿美元,同比增长13....
的头像 墨记 发表于 05-28 10:01 3468次 阅读
《全球半导体市场发展趋势白皮书》解读

SN74LVC1G08单2输入正极和栅极的数据手册免费下载

这种单2输入正极和栅极设计用于1.65-V至5.5-V VCC操作。该CMOS器件具有高输出驱动,同....
发表于 05-28 08:00 43次 阅读
SN74LVC1G08单2输入正极和栅极的数据手册免费下载

单片机的基础知识详细资料概述

本文档的主要内容详细介绍的是单片机的基础知识详细资料概述包括了:1 单片机简介,2 单片机的发展历....
发表于 05-27 08:00 160次 阅读
单片机的基础知识详细资料概述

根据自动驾驶的应用场景详解汽车架构和开发模式变化资料概述

本文基于自动驾驶应用场景分别从E/E架构、通讯方式、软件架构和流程标准等方面谈下与当前模式相比可能加....
的头像 智车科技 发表于 05-26 10:29 635次 阅读
根据自动驾驶的应用场景详解汽车架构和开发模式变化资料概述

LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

信息 LE2416RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读取):0.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...
发表于 04-18 20:23 6次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 32次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 28次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 26次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 31次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 44次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 4次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 6次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 4次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 0次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 0次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 2次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 34次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 62次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 64次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 33次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器