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TOSM和UOSM校准方法的基本原理与误差分析研究

射频百花潭 2018-12-04 16:09 次阅读

1.1 传统(已知)直通校准方法的误差模型

传统的同轴系统校准方法通常叫TOSM----Through Open Short Match(又称SOLT----Short Open Load Through),是基于早期的网络分析仪的3接收节架构的一种校准方法(以2端口网络分析仪为例,可以统称为N+1结构,即端口数为N,接收机数目为N+1)。该架构中,参考接收机是两个端口之间共享的,通过开关分别在两个端口之间切换。因此误差模型是12项误差模型,这也是经典的网络分析仪误差模型,如图1和2所示,一般分为正向和反向两个子模型,通常可以省略串扰项ex和ex’,即简化为10项误差模型。该模型里面的各个误差项eij的含义如表1。实际网络分析仪中,e10、e32、e23、e01或e'01、e'23、e'32、e'10值不会等于0,因此可以将这8个项中的某2项指定为非零的任意值,这会改变波量(wave quantity)的绝对值,但是不会影响波量之间的比值(S参数的定义是波量之间的比值)因此这里假设e10=1和e'23=1,这样就得到10个独立的误差项,即10个独立的未知数。

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图1  3接收机架构中前向测量的误差模型

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图2  3接收机架构中反向测量的误差模型

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表1  10项误差模型中误差项的物理意义

所谓校准,就是测量一组已知器件(即校准件或称标准件),根据仪器接收机实际测试的结果和已知校准件的特性比较,联列方程组,解出上述的误差项eij,从而为后续的测量提供修正。

这里需要对校准件做进一步说明,在同轴系统中,校准件通常是开路、短路、匹配和直通,但是由于现实中无法实现理想的开路、短路、匹配和直通,因此需要正确的标定校准件的“特征数据(characteristic data)”,例如开路应该表征为一个寄生电容和一段传输线;短路表征为寄生电感和一段传输线,匹配一般表征为一个理想50欧姆,现代网络分析仪也可以对匹配的不理想性进行表征。如图3所示。

因此下面的公式推导中,我们使用ΓopenΓshortΓmatch 分别表示开路、短路、匹配校准件的实际反射系数,由于匹配通常定义为理想50欧姆,所以一般Γmatch =0,且上述3个参数为已知量,一般在校准件的附带的存储设备里面,都以文件形式定义,对于低频的同轴校准件,其差异性不是很大,所以大部分商用网络分析仪都内置了常见型号的校准件“特征数据”的典型值(typical)。

对于直通校准件,必须精确的表征(或者说“告诉”网络分析仪)其插损和电长度,严格来讲还需要知道其S11和S22,但是目前网络分析的模型都是把直通当一个理想50欧姆的有损传输线来处理的。

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图3 常用校准件的电路模型,特征数据描述了校准件的不理想性

1.2 校准的步骤

分别测试开路、短路、匹配(1和2端口分别测试,共6次)这三种单端口校准件,可以列出6个方程,再测试一次直通件,可以列出4个方程。

由于参考接收机是共用的,前向和反向测试的时候需要用2个独立的子模型,其中前向误差模型如图1,其中真正到达参考面的信号波量(wave quantity)为aG1 和bG1;网分内部接收机实测信号波量为aG2 和bG2,两者的关系如下面公式:

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当测量单端口校准件时,可以得到

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分别在两个端口连接Open、Short、Match校准件可以得到6个方程,其中bG2/aG2 和bH2/aH2 是接收机真正接收的数据,是实测数据,在方程组中当作已知数处理。Γstd 分别为Γopen 、Γshort 和Γmatch,可以用图3中的模型描述。

对于直通件Through的测量

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当正向测试直通校准件Through的时候,会得到两个结果,即两个方程,分别是Through校准件的插损S21-T,Through校准件串联负载匹配e22之后,整体的反射系数ΓTHR FWD

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类似的反向误差子模型如图2:

测试直通校准件Through的时候,方程如下,其中ΓTHR REV代表反向负载匹配e'11和Through串联之后总体反射系数

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公式(7)(8)(9)(10)中的aG2、bG2 、aH2、bH2是接收机真正接收的数据,是实测数据,在方程组中当作已知数处理,又可以列出4组方程,和上面的6组方程一共构成10组方程,而误差项刚好也是10个,正好可以解出每个误差项,即可完成校准过程。

1.3 未知直通校准方法和模型

现代网络分析仪普遍采用了2N接收机架构,例如2端口网络分析仪的接收机数目为4,即每个端口都有自己的参考接收机和测量接收机,因此仪器端口的反射系数e11和e22无论在前向测试还是反向测试中,始终保持不变,即反向测试的负载匹配和前向测试的源匹配相同,反之亦然。因此其误差模型如图4所示,对应的误差项如表2,其中源和负载匹配部分用灰色底色表示。和1.1节类似,实际网络分析仪中,e10、e32、e23和e01 的值不会等于0,因此可以将这4个项中的某一项指定为非零的任意值,这会改变波量的绝对值,但是不会影响波量之间的比值(S参数的定义是波量之间的比值)因此这里假设e32=1,因此共有7个独立的误差项(即7个未知数)【3】。

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图4 现代网络分析仪4接收机架构的误差模型

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表2  7项误差模型中误差项的物理意义

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由此可以得出真正到达参考面的信号aG1 和bG1和网分内部接收机实测信号aG2 和bG2的关系:

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同理可得在端口2,到达参考面的信号aH1 和bH1和网分内部接收机实测信号aH2 和bH2的关系

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对于单端口校准,可以使用公式(3)和(4)列出6个方程。对于直通校准件分别仅测试其插损S21和S21

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注意,(17)和(18)中,4个接收机实测信号都是参与的,因此要正向的测试一次直通校准件,把4个接收机的结果带入(17),再反向测试一次,把4个接收机的结果带入(18)。只要保证直通校准件是互易的,即S21=S12,即可以使(17)和(18)相等,得出一个方程。和上面单端口校准的6个方程联列,一共有7个方程,和7个未知数,就可以解出各个误差项eij【3】。

2.1 采用校准件进行验证的结果和常见误区

在介绍验证之前,先简单介绍一下有效系统数据(effective system data)这个概念:通过系统误差校准,对误差网络进行数学补偿后,剩余的系统测量误差称为“有效系统数据”。

对于网络分析仪测试精度(包括校准)的验证方法有很多,例如T-check,失配负载、50Ω-25Ω-50Ω阶跃空气线等,并且还带有可溯源的参数文件。验证的方法也比较复杂,主要是面向计量单位的。普通用户通常会直接使用校准件做一些简单的验证。

首先这里要强调,用校准件去验证,实际测试的结果不是“理想”参数,而是校准件“特征数据”。

因此直接测试Open,并不是在史密斯圆图最右端开路位置的一圈点,而是一个沿等驻波比圆,向源(generator)方向的一条曲线。这是因为如图3中的开路校准件实际上是一个寄生电容串联一段有损传输线,对于不同频率传输线引起的相移(包括损耗)是不一样的,因此聚在一起的数百个扫频点,每个点的频率是不一样的,相移各不相同,就显示成一个曲线了,如果看S11的相位,也不是0度,原因同上。

同理如果测试Short校准件的S11,看到的也是在史密斯圆图左端短路点附近,沿等驻波比圆,向源(generator)方向的一条线,曲线的长度和扫频范围有关。

至于Match,由于目前的网络分析仪一般把它当作理想50欧姆匹配来处理的。所以校准完再次接上Match校准件,其反射系数非常低,一般能达到-60dB左右,这个值可以理解为“有效系统数据”即补偿后的剩余误差。值得注意的是,对于Match会有一个特殊的所谓“记忆(re-recognition)”现象,也就是说用某套校准件校准,如果还是测刚刚校准用的那个Match,反射系数可以到-60dB左右,如果换任何其他一套校准件中的Match,都不可能达到-60dB,一般只能达到-30dB左右。这主要是因为,低频段的网络分析仪都把Match当作理想50欧姆,校准算法仅仅根据当前测试的这个Match的结果来补偿,而实际上每个Match的物理特性都是略有差别的,因此换上另外的Match就不可能达到-60dB左右的反射系数。当然理想的50欧姆也是不可能实现的,这也是影响测量不确定度的一个因素,目前商用网络分析仪在测试反射系数,特别是反射系数特别小的器件的时候(-25dB到-35dB),不确定度一般都能达到2-3dB。

因此有必要再次强调,任何匹配校准件真实的S11(反射系数)达不到-60dB,一般只有-30到-40dB左右。在校准时,系统将它当作理想的匹配,就得到了-60dB这样低的结果。

现代网络分析仪也支持用S参数包来定义校准件,如果采用S参数包文件定义,校准后再测量Open,Short和Match,测量的结果就和S参数定义包里面的数据完全一样。值得注意的是,目前的商用校准件通常只是对Open、Short、Match使用S参数包,对Through还是使用有损传输线的模型。这主要是由于传输线模型已经能比较精确的描述其特性了,由于Through是2端口器件,必须是有S2P文件,而如果用了S2P文件,文件的参数必须和校准件的连接的方向有关,而实际中也不方便规定校准的时候Through的连接方向。

2.2 直通校准件的验证

无论是TOSM还是UOSM校准方法,最后一个接的校准件就是Through。因此校准完之后直接看Through的结果也是最方便和最常用的简单验证方法。下面对在TOSM和UOSM两种方法下Through测量的结果进行详细分析。

和上面类似,使用TOSM校准之后,直接测量Through的结果就是校准件模型中对应的“特征数据”,有一定的插损和相位。这一点是需要注意的,很多使用者一直有一个认识的误区,认为这时候的插损应该是0,相位也是0,这是不正确的。

对于UOSM校准,校准后直接测量Through校准件,这时网络分析仪就把Through直接当成一个被测件来处理,测到的插损和相位就是这个校准件实际的特性。值得一提的是,UOSM校准非常适合两端为不同接头类型的器件的测试。例如一个被测件的输入是N型接头,输出是SMA接头。在测试这种器件时,可以在网分的一端使用N型电缆,另一端使用SMA型电缆,校准的时候,可以在N型接头这边使用N型的Open、Short、Match校准件校准,在SMA型接头这边使用SMA的Open、Short、Match校准件。在校准Through的时候,使用任意一个质量较好的N-SMA转接头即可,校准完之后,参考面就是电缆的N型接头和SMA型接头的末端。因此UOSM校准方法也可以用于测试一些接头适配器和射频电缆。

TOSM校准完之后,Through校准件不拿掉,直接测试S11或S22,此时测得的是有效负载匹配(可以当做接近理想50欧姆)串联一段有损传输线的结果,如图5所示,是在史密斯原图中心匹配点附近的一个小圆圈,随着频率的变化呈现一定的复数阻抗特性,逐步偏离50欧姆原点。由于如图3,Through校准件是当作理想50欧姆的有损传输线来处理的,没有考虑Through本身的S11反射,这个值换算成反射系数用dB表示仍然很小,一般网络分析仪在8GHz以下,仍然有-50dB左右。

如公式(8)和(10),TOSM校准在测量直通时,仍然要测试S11和S22,并对其补偿,因此校准之后,对当前使用的这个Through校准件也有所谓“记忆(re-recognition)”现象,此时换成另外任何一个Through之后,都不可能达到-50dB的回波损耗的,甚至仅仅把当前这个Through换一个方向连接,也达不到-50dB这个量级。

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图5  TOSM校准之后直接测试当前校准件的S11在史密斯圆图上的结果

但是USOM对Through的S11和S22没有做测量和补偿,Through甚至是未知的,更没有把它描述为一个理想有损传输线,因此就没有所谓的“记忆(re-recognition)”现象。校准完之后,直接测试Through,其S11和S22就是这个Through本身的端口反射系数,一般在-30dB以下。但是这才是合理的,TOSM校准后的结果实际上是“记忆(re-recognition)”效应的结果,是过于理想化的仪器的剩余误差,不能反映校准件和系统的真实特性。

虽然UOSM校准之后,直接测试校准件的结果没有TOSM那么理想,但是UOSM才是更精确的校准方法,其结果更能真实的反映校准件的特性。

3.小结

本文详细介绍了传统直通校准方法TOSM和未知直通UOSM校准方法的基本原理,误差模型,校准件不理想性的表征和所谓的“记忆(re-recognition)”现象,在这个基础上,对比了不同校准方法,校准之后测量当前校准件的结果,指出了一些常见的误区,强调了UOSM校准方法的优点和方便性。为广大网络分析仪使用者的日常使用提供指导。

原文标题:矢量网络分析仪校准和验证的常见误区

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和特点 2.4 pF关断电容 电荷注入小于1 pC低泄漏:0.6 nA(最大值,85°C)导通电阻:120 Ω额定电源电压:±15 V、+12 V无需VL 电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作6引脚SOT-23封装 产品详情 ADG1201/ADG1202是单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置一个采用iCMOS®(工业CMOS)工艺设计的单刀单掷(SPST)开关。iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。这些开关具有超低电容和电荷注入特性,因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽,使这些器件适合视频信号切换应用。iCMOS结构可确保功耗极低,因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。ADG1201/ADG1202内置一个单刀单掷(SPST)开关。图1显示,当逻辑输入为1时,ADG1201开关闭合,ADG1202开关则断开。当接通时,各开关在两个方向的...
发表于 02-15 18:34 82次 阅读
ADG1201 低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、单刀单掷开关,采用SOT-23封装

ADG1208 低电容、8通道、±15 V/+12 V iCMOS® 多路复用器

和特点 电荷注入:小于1 pC(整个信号范围内) 1 pF关断电容 电源电压范围:33 V 导通电阻:120 Ω 额定电源电压:±15 V/+12 V 3 V逻辑兼容输入 轨到轨工作 先开后合式开关动作 采用16引脚TSSOP、16引脚LFCSP_WQ和16引脚SOIC封装 典型功耗:<0.03 μW产品详情 ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS® 模拟多路复用器,分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址,将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。接通时,各通道在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。iCMOS (工业CMOS)是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS(互补金属氧化物半导体)与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS 器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封...
发表于 02-15 18:34 8次 阅读
ADG1208 低电容、8通道、±15 V/+12 V iCMOS® 多路复用器

ADG1209 低电容、4通道、±15 V/+12 V iCMOS™ 多路复用器

和特点 电荷注入:小于1 pC(整个信号范围内) 1 pF关断电容 电源电压范围:33 V 导通电阻:120 Ω 额定电源电压:±15 V/+12 V 3 V逻辑兼容输入 轨到轨工作 先开后合式开关动作 采用16引脚TSSOP、16引脚LFCSP_WQ和16引脚SOIC封装 典型功耗:<0.03 μW产品详情 ADG1208和ADG1209均为单芯片 iCMOS®模拟多路复用器,分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址,将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。接通时,各通道在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。iCMOS (industrial CMOS) (工业CMOS)是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS(互补金属氧化物半导体)与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同, iCMOS 器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能...
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ADG1209 低电容、4通道、±15 V/+12 V iCMOS™ 多路复用器

LTC1051 具内部电容器的双通道、精准型、零漂移运算放大器

和特点 双通道低成本精准型运放无需外部组件最大失调电压:5μV最大失调电压漂移:0.05μV/°C低噪声:1.5μVP-P (0.1Hz 至 10Hz)最小电压增益:120dB最小 PSRR:120dB最小 CMRR:114dB低电源电流:每个运放为 1mA单电源操作:4.75V 至 16V输入共模范围包括地电位输出摆动至地电位典型过载恢复时间:3ms引脚与业界标准的双通道运放相兼容 产品详情 LTC®1051 / LT1053 是高性能、低成本双通道 / 四通道零漂移运算放大器。LTC1051 / LT1053 的独特成就是实现了其他斩波放大器通常在外部需要的采样及保持电容器的片内集成。而且,与其他带或不带内部采样 / 保持电容器的斩波器稳定型放大器相比,LTC1051 / LT1053 还可提供更好的整体 DC 和 AC 性能组合。LTC1051 / LT1053 具有 0.5μV 的失调电压、0.01μV/°C 的漂移、通常为 1.5μVP-P 的 DC 至 10Hz 输入噪声电压、和 140dB 的典型电压增益。实现 4V/μs 转换速率和 2.5MHz 增益带宽乘积,每个放大器仅需 1mA 的电源电流。从正和负饱和状态的过载恢复时间分别为 1.5ms 和 3ms,比采用外部电容器的斩波放大器加快了约 100 倍或更多。LTC1051 采用 8 引脚...
发表于 02-15 18:26 10次 阅读
LTC1051 具内部电容器的双通道、精准型、零漂移运算放大器

LTC1150 具内部电容器的 ±15V 零漂移运算放大器

和特点 高电压操作:±16V无需外部组件最大失调电压:10μV最大失调电压漂移:0.05μV/°C低噪声:1.8μVP-P (0.1Hz 至 10Hz)最小电压增益:135dB最小 PSRR:120dB最小 CMRR:110dB低电源电流:0.8mA单电源操作:4.75V 至 32V输入共模范围包括地电位200μA 电源电流 (引脚 1 接地)典型过载恢复时间:20ms 产品详情 LTC®1150 是一款高电压、高性能、零漂移运算放大器。其他斩波放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器实现了片内集成。而且,LTC (现隶属 ADI) 专有的高电压 CMOS 结构还允许 LTC1150 在高达 32V (总值) 的电源电压下工作。LTC1150 具有 0. 5μV 的失调电压、0.01μV/°C 的漂移、1.8μVP-P 的 0.1Hz 至 10Hz 输入噪声电压和 180dB 的典型电压增益。3V/μs 转换速率和 2.5MHz 增益带宽乘积的实现仅需使用 0.8mA 电源电流。从正和负饱和状态的过载恢复时间分别为 3ms 和 20ms。对于要求较低功耗的应用,可采用引脚 1 来设置电源电流。引脚 5 是一个任选的 AC 耦合时钟输入,适用于同步处理。LTC1150 采用标准的 8 引脚塑料双列直插式封装,以及 8 引脚 SO 封装。LTC1150 可以是大多...
发表于 02-15 18:26 19次 阅读
LTC1150 具内部电容器的 ±15V 零漂移运算放大器

LTC1053 具内部电容器的四通道、精准型、零漂移运算放大器

和特点 四通道低成本精准型运放无需外部组件最大失调电压:5μV最大失调电压漂移:0.05μV/°C低噪声:1.5μVP-P (0.1Hz 至 10Hz)最小电压增益:120dB最小 PSRR:120dB最小 CMRR:114dB低电源电流:每个运放为 1mA单电源操作:4.75V 至 16V输入共模范围包括地电位输出摆动至地电位典型过载恢复时间:3ms引脚与业界标准的双通道运放相兼容 产品详情 LTC®1051 / LT1053 是高性能、低成本双通道 / 四通道零漂移运算放大器。LTC1051 / LT1053 的独特成就是实现了其他斩波放大器通常在外部需要的采样及保持电容器的片内集成。而且,与其他带或不带内部采样 / 保持电容器的斩波器稳定型放大器相比,LTC1051 / LT1053 还可提供更好的整体 DC 和 AC 性能组合。 LTC1051 / LT1053 具有 0.5μV 的失调电压、0.01μV/°C 的漂移、通常为 1.5μVP-P 的 DC 至 10Hz 输入噪声电压、和 140dB 的典型电压增益。实现 4V/μs 转换速率和 2.5MHz 增益带宽乘积,每个放大器仅需 1mA 的电源电流。从正和负饱和状态的过载恢复时间分别为 1.5ms 和 3ms,比采用外部电容器的斩波放大器加快了约 100 倍或更多。LTC1051 采用 8 引...
发表于 02-15 18:23 13次 阅读
LTC1053 具内部电容器的四通道、精准型、零漂移运算放大器

请问数字万用表中的基准电容是做什么用的?

数字万用表中的基准电容是做什么用的? 积分电容听的多,还有个基准电容是什么作用? 好像也跟测量值读数误差有关。...
发表于 02-14 14:42 111次 阅读
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浅谈电容在电路中的27种应用案例

所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它....
的头像 MCU开发加油站 发表于 02-14 13:50 272次 阅读
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请问图中104的电容单位是多少?

在学着画PCB,发现这个电容没有标单位,那单位是多少呢?...
发表于 02-14 00:26 24次 阅读
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如图所示电路中的0.1uf 电容有什么作用?

1. 如下图, 在一个P型mos 管的G,S 角位, 接一个.1uf的电容,是何用意? 2. 自举? RC?似乎都不是! ...
发表于 02-13 09:11 603次 阅读
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MLCC如何成产业景气的风向标

在经历近两年的疯狂涨价潮后,MLCC价格崩跌。作为电子工业的黄金配角,MLCC竟成了产业景气的风向标....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-05 09:00 555次 阅读
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芯片超人创始人分享了她这一年的收获以及对行业转型的理解

.这是三星和索尼这些传统大厂的展位,如果不是在CES展看到他们,我可能都忘记他们的存在了,因为现在我....
的头像 芯世相 发表于 01-30 14:25 1053次 阅读
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ADAU1761的两个输入通道底噪有较大差别

大家好,我在使用ADAU1761的时候遇到一个问题,如下图所示,ADAU1761使用两组差分输入的模式,当我把ADAU1761的输入...
发表于 01-29 11:38 59次 阅读
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多旋翼飞行器设计与控制的PPT讲义资料合集免费下载

本门课程讲授多旋翼设计、动态模型建立、状态估计、控制和决策等方面的基础知识。涉及到空气流体力学、电机....
发表于 01-28 08:00 75次 阅读
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实现 TensorFlow 架构的规模性和灵活性

TensorFlow 是为了大规模分布式训练和推理而设计的,不过它在支持新机器学习模型和系统级优化的....
的头像 TensorFlow 发表于 01-26 14:48 197次 阅读
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20万、50万、100万的算法工程师,到底有什么区别

随着去年AlphaGo大破李世石,大佬们在心底喊出“我操”的同时,慌不择路地把各种搞劫持、送外卖的生....
的头像 TechSugar 发表于 01-26 10:44 348次 阅读
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STM32F051C8电容触摸按键怎么处理

问题描述:想要使用STM32F0的电容触摸按键,参考STM32F051R8开发板设计硬件。使用ST的Touch library。 目前的问题是...
发表于 01-25 07:16 223次 阅读
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如何用一个简单的电路测试你的反应速度

上图是一个555定时器组成的人体反应时间测试电路。该电路只是对人体反应时间的一个大体展现,并不能给到....
发表于 01-24 16:50 0次 阅读
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【每天看电路第91期】反应速度测试电路

活动宗旨:为锻炼大家的分析电路问题的能力,从今天开始,每天一个小电路,一期应用电路,一期习题电路,同时照顾到工程师以及学...
发表于 01-24 14:16 2535次 阅读
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如何使用会话时序相似性进行矩阵分解数据填充

针对已有数据填充方法只考虑评分信息和传统相似性,无法捕获用户间真实相似关系的问题,提出了基于会话时序....
发表于 01-23 14:50 34次 阅读
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基于环上误差学习问题的新型后量子认证密钥交换协议

针对量子计算机技术的迅速发展使得传统公钥密码体制的安全性面临严重威胁的现实性问题,提出一种新型的基于....
发表于 01-23 13:46 32次 阅读
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基于加权核非负矩阵分解的短文本聚类算法的资料说明

对互联网产生的大量短文本进行聚类分析具有重要的应用价值,但由于短文本存在特征稀疏和特征难以提取的问题....
发表于 01-23 11:05 45次 阅读
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请问极性电容和非极性电容有什么区别?

如题
发表于 01-23 06:36 51次 阅读
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电容式触摸按键遥控器

在做一个自感电容式触摸按键的遥控器,但遥控器容易受到干扰(如频谱仪,电梯)。希望大神帮助分析 ...
发表于 01-22 17:25 176次 阅读
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基于图像结构纹理分解及局部总变分最小化的图像修复模型

在基于样例的图像修复算法中,由于优先权公式的计算容易受图像局部噪声和细小纹理的干扰,导致修复顺序错乱....
发表于 01-22 16:18 47次 阅读
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使用GAN进行民航陆空通话文本生成的方法说明

民航陆空通话是飞行员与管制员进行话音通信的主要方式,是管制员指令发送与飞行员指令回复的信息载体,飞行....
发表于 01-22 15:54 56次 阅读
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请问电容充放电公式里面的VC电容电压指的是电源电压的63.2%吗

请问这里面的VC电容电压指的是不是电源电压的63.2%,而充电电压指的是电源电压呢?...
发表于 01-21 06:36 33次 阅读
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使用深度模型迁移进行细粒度图像分类的方法说明

针对细粒度图像分类方法中存在模型复杂度较高、难以利用较深模型等问题,提出深度模型迁移( DMT)分类....
发表于 01-18 17:01 56次 阅读
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数据挖掘在择优定兵中的应用研究

近年来,随着信息产业规模化程度的日益加深,数据量呈指数式爆炸增长,庞大数量的多源异构数据带来一系列挑....
发表于 01-18 16:23 40次 阅读
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如何使用融合型深度学习进行滚动轴承亚健康识别算法

抢险救灾行动的有效规划和调度在挽救人民群众生命和减轻财产损失中起着重要作用,利用数学建模方法和计算机....
发表于 01-18 14:32 178次 阅读
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数据库设计的案例分析资料概述

某学校设计学生教学管理系统。学生实体包括学号、姓名、性别、生日、民族、籍贯、简历、登记照,每名学生选....
发表于 01-17 15:12 50次 阅读
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基于双种群协同进化遗传算法的电力仓库货位分配方法

针对电力自动化立体仓库出入库效率和高层货架稳定性问题,建立了多目标货位分配优化模型。提出了一种基于精....
发表于 01-17 10:31 30次 阅读
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如何使用随机理论进行公交选择建模的详细资料说明

基于分层信息处理思想,运用随机理论框架下的公交路径选择模型,分析出行者在时空维度下的站点选择和公交车....
发表于 01-16 14:25 32次 阅读
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如何使用人机社会力模型进行人群疏散算法

针对公共场合紧急情况下人群疏散困难和效果有限的问题,提出一种基于人机社会力模型的机器人疏散人群的方法....
发表于 01-15 16:48 34次 阅读
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如何使用MS-KCF模型进行图像序列中人脸快速稳定检测

为快速稳定地检测图像序列中角度变化较大、遮挡较为严重的人脸,结合快速精确的目标检测模型MobileN....
发表于 01-15 15:44 38次 阅读
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电梯运行方案如何使用计算机进行模拟优化设计

运用计算机模拟等模型解决了医院门诊大楼中的电梯调度方案的设计问题。针对以下的三个问题:电梯的使用、高....
发表于 01-15 15:44 40次 阅读
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如何使用分层差分方程进行热防护服热量分布规律的模拟

为研究耐热服装在高温环境中的热量分布情况,降低在高温环境工作下耐热服装的制作成本,且缩短其研发周期,....
发表于 01-15 14:13 40次 阅读
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一些关于机器学习工具在学习过程中所犯错误的问题

咨询公司Cambridge Consultants的专家级机器学习工程师Sally Epstein说....
的头像 嵌入式资讯精选 发表于 01-14 14:56 358次 阅读
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如何设计一个网络垃圾信息ILDR传播模型

针对网络垃圾信息传播研究多采用定性分析方法,难以揭示垃圾信息内在传播规律的问题,基于病毒传播的建模思....
发表于 01-11 14:14 205次 阅读
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基于期望最大化算法的兰姆波信号参数估计方法

在基于兰姆波技术的结构健康监测或无损检测系统中,从信号中提取的波包的准确有效特性是评估损伤的关键因素....
发表于 01-11 08:00 157次 阅读
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两亿多用户,六大业务场景,知乎AI用户模型服务性能如何优化?

知乎 AI 用户模型服务于知乎两亿多用户,主要为首页、推荐、广告、知识服务、想法、关注页等业务场景提....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-05 11:06 934次 阅读
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刘铁岩谈机器学习:随波逐流的太多

机器学习从业者在当下需要掌握哪些前沿技术?展望未来,又会有哪些技术趋势值得期待?
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 01-05 10:58 701次 阅读
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如何使用生成少数类技术进行深度自动睡眠分期模型设计说明

针对现阶段可用睡眠脑电数据皆为类不平衡小数据集,深度学习模型的直接迁移应用所取得的分期效果较差的问题....
发表于 01-03 16:07 55次 阅读
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基于运动平滑约束项的快速误匹配剔除算法

针对图像拼接时用随机抽样一致性( RANSAC)算法迭代计算过程中计算量大、匹配正确率低的问题,提出....
发表于 01-03 14:50 43次 阅读
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matlab经典算法数字实验教程之回归分析

本文档的主要内容详细介绍的是matlab经典算法数字实验教程之回归分析主要内容包括了:1.一元线性与....
发表于 01-03 11:46 51次 阅读
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如何使用混合果蝇优化算法进行现场服务调度问题的解决方法

员工技能熟练程度对现场服务调度问题( FSSP)的执行效率有极大影响,现有研究中未考虑员工技能因素。....
发表于 01-03 11:11 42次 阅读
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常用的十大电子元器件,命名为“十大电子元器件明星

识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二....
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基于内窥镜视觉导航的盆腔微创手术,往往因为病灶的复杂解剖位置以及内窥镜视野的局限性,对手术的顺利开展....
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针对目前用户偏好数据和社交关系数据十分稀疏的问题,以及用户可能更加喜欢朋友推荐的商品而不喜欢非朋友推....
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如何使用指标相关性对网络运维质量评估模型

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如何使用人工蜂群算法进行轨道交通列车行车的间隔优化

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intel新CPU架构详细解读

在近日举办的架构日活动上,英特尔罕见地公布了未来多年的CPU、GPU架构路线图,以及一系列相关技术、....
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针对遥感影像薄云去除易出现地物失真的问题,在传统加性云污染模型的基础上提出了一种改进的薄云去除方法,....
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离散制造业MES和ERP如何进行信息集成分析

ERP在管理过程中以信息技术作为基础,以资源计划作为管理目标,从而实现资源的优化配置和管理,其在发挥....
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如何使用改进偏最小二乘法进行多模态过程故障检测方法资料概述

针对传统的数据驱动方法偏最小二乘法( PLS)中存在的多模态数据故障检测效果不佳的问题,提出了一种新....
发表于 12-24 16:29 140次 阅读
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如何进行马来语语音合成系统的设计与实现概述

马来语广泛使用于马来西亚、新加坡等东南亚国家,目前使用人数约有2亿多人。本文研究马来语语音合成系统的....
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如何使用结合全局信息进行局部图像灰度拟合模型

针对局部图像拟合( LIF)模型对初始轮廓大小、形状和位置敏感的问题,提出一个结合全局信息的局部图像....
发表于 12-24 15:53 176次 阅读
如何使用结合全局信息进行局部图像灰度拟合模型

TMUX6104 36V、低电容、低泄漏电流、4:1 精密模拟多路复用器

TMUX6104是一款现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器.TMUX6104提供4:1单端开关功能,并且使用双电源(±5V至±18V)和单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。此外,该器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能所有数字输入均具有兼容TTL逻辑的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。 TMUX6104具有非常低的导通和关断泄漏电流以及超低的电荷注入,因此该器件可用于高精度测量应用中,低功耗是一个关键问题。当开关处于OFF位置时,该器件还可通过阻断到达电源的信号电平来提供出色的隔离能力。电源电流低至17μA,使得该器件可用于便携式应用中,中对于效率,高电源密度和稳健性的需求。 特性 低导通电容:5pF 低输入泄漏:1pA 低电荷注入: 0.35pC 轨至轨运行 宽电压范围:±5V至±18V(双电源)或10V至36V(单电源) 低导通电阻:125Ω 转换时间:88ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连(集成下拉电阻器) 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流...
发表于 09-03 15:32 38次 阅读
TMUX6104 36V、低电容、低泄漏电流、4:1 精密模拟多路复用器

TMUX136 双路 SPDT 低电容 6.1GHz 模拟开关

TMUX136器件是一款高性能6GHz 2通道2:1开关,同时支持差动和单端信号。该器件具有2.3V至4.8V的比较V CC 范围,支持断电保护功能,当V CC 引脚断电时,强制所有I /O引脚进入高阻抗模式.TMUX136的部分引脚支持1.8V控制电压,允许它们直接与低电压处理器的通用I /O(GPIO)相连。 TMUX136采用小型10引脚UQFN封装,尺寸仅为1.5mm×2mm ,非常适合PCB面积有限的情况。 特性 V CC 范围为2.3V至4.8V 高性能开关特性:< ul> 带宽(-3dB):6.1GHz R ON (典型值):5.7Ω C ON (典型值):1.6pF 电流消耗:30μA(典型值) 特殊特性: I < sub> OFF 保护防止在断电状态下产生泄漏电流 1.8V兼容控制输入(SEL, EN ) 静电放电(ESD)性能: 5kV人体放电模型(A114B,II类) 1kV带电器件模型( C101) 紧凑型10引脚UQFN封装(1.5mm×2mm,间距为0.5mm) < small>所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of Channels (#) Power Supply Type Vss (Min) (V) V...
发表于 09-03 14:34 98次 阅读
TMUX136 双路 SPDT 低电容 6.1GHz 模拟开关

MUX508 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX508和MUX509(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX508提供8:1单端通道,而MUX509提供4:1差分通道或双4:1单端通道。 MUX508和MUX509在双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。两种器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V,V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可确保TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX508和MUX509这两款多路复用器的导通和关断泄漏电流都非常低,因此能够以最小误差切换高输入阻抗源信号。该器件的电源电流低至45μA,因此适用于便携式进行VTT放电。 特性 低导通电容 MUX508:9.4pF MUX509:6.7pF 低输入泄漏电流:10pA 低电荷注入:0.3pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:92ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 人体放电...
发表于 09-03 14:32 30次 阅读
MUX508 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX509 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX508和MUX509(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX508提供8:1单端通道,而MUX509提供4:1差分通道或双4:1单端通道。 MUX508和MUX509在双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。两种器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V,V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可确保TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX508和MUX509这两款多路复用器的导通和关断泄漏电流都非常低,因此能够以最小误差切换高输入阻抗源信号。该器件的电源电流低至45μA,因此适用于便携式进行VTT放电。 特性 低导通电容 MUX508:9.4pF MUX509:6.7pF 低输入泄漏电流:10pA 低电荷注入:0.3pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:92ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 人体放电...
发表于 09-03 14:28 7次 阅读
MUX509 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX36D08 36V、低电容、低电荷注入、高精度模拟复用器

MUX36S16和MUX36D08(MUX36xxx)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX36S16提供16:1单端通道,而MUX36D08提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX36S16和MUX36D08在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX36S16和MUX36D08的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于便携式应用。 特性 低导通电容 MUX36S16:13.5pF MUX36D08:8.7pF 低泄漏电流:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:85ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:4...
发表于 09-03 11:27 63次 阅读
MUX36D08 36V、低电容、低电荷注入、高精度模拟复用器

MUX507 MUX50x 36V 低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器

MUX506和MUX507(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(MUX).MUX506提供16:1单端通道,而MUX507提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX506和MUX507在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX507和MUX507的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于功耗敏感型应用。 特性 低导通电容 MUX506:13.5pF MUX507:8.7pF 低输入泄漏:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:97ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA ESD保护HBM:20...
发表于 09-03 11:24 89次 阅读
MUX507 MUX50x 36V 低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器