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TOSM和UOSM校准方法的基本原理与误差分析研究

射频百花潭 2018-12-04 16:09 次阅读

1.1 传统(已知)直通校准方法的误差模型

传统的同轴系统校准方法通常叫TOSM----Through Open Short Match(又称SOLT----Short Open Load Through),是基于早期的网络分析仪的3接收节架构的一种校准方法(以2端口网络分析仪为例,可以统称为N+1结构,即端口数为N,接收机数目为N+1)。该架构中,参考接收机是两个端口之间共享的,通过开关分别在两个端口之间切换。因此误差模型是12项误差模型,这也是经典的网络分析仪误差模型,如图1和2所示,一般分为正向和反向两个子模型,通常可以省略串扰项ex和ex’,即简化为10项误差模型。该模型里面的各个误差项eij的含义如表1。实际网络分析仪中,e10、e32、e23、e01或e'01、e'23、e'32、e'10值不会等于0,因此可以将这8个项中的某2项指定为非零的任意值,这会改变波量(wave quantity)的绝对值,但是不会影响波量之间的比值(S参数的定义是波量之间的比值)因此这里假设e10=1和e'23=1,这样就得到10个独立的误差项,即10个独立的未知数。

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图1  3接收机架构中前向测量的误差模型

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图2  3接收机架构中反向测量的误差模型

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表1  10项误差模型中误差项的物理意义

所谓校准,就是测量一组已知器件(即校准件或称标准件),根据仪器接收机实际测试的结果和已知校准件的特性比较,联列方程组,解出上述的误差项eij,从而为后续的测量提供修正。

这里需要对校准件做进一步说明,在同轴系统中,校准件通常是开路短路、匹配和直通,但是由于现实中无法实现理想的开路、短路、匹配和直通,因此需要正确的标定校准件的“特征数据(characteristic data)”,例如开路应该表征为一个寄生电容和一段传输线;短路表征为寄生电感和一段传输线,匹配一般表征为一个理想50欧姆,现代网络分析仪也可以对匹配的不理想性进行表征。如图3所示。

因此下面的公式推导中,我们使用ΓopenΓshortΓmatch 分别表示开路、短路、匹配校准件的实际反射系数,由于匹配通常定义为理想50欧姆,所以一般Γmatch =0,且上述3个参数为已知量,一般在校准件的附带的存储设备里面,都以文件形式定义,对于低频的同轴校准件,其差异性不是很大,所以大部分商用网络分析仪都内置了常见型号的校准件“特征数据”的典型值(tyPIcal)。

对于直通校准件,必须精确的表征(或者说“告诉”网络分析仪)其插损和电长度,严格来讲还需要知道其S11和S22,但是目前网络分析的模型都是把直通当一个理想50欧姆的有损传输线来处理的。

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图3 常用校准件的电路模型,特征数据描述了校准件的不理想性

1.2 校准的步骤

分别测试开路、短路、匹配(1和2端口分别测试,共6次)这三种单端口校准件,可以列出6个方程,再测试一次直通件,可以列出4个方程。

由于参考接收机是共用的,前向和反向测试的时候需要用2个独立的子模型,其中前向误差模型如图1,其中真正到达参考面的信号波量(wave quantity)为aG1 和bG1;网分内部接收机实测信号波量为aG2 和bG2,两者的关系如下面公式:

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当测量单端口校准件时,可以得到

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分别在两个端口连接Open、Short、Match校准件可以得到6个方程,其中bG2/aG2 和bH2/aH2 是接收机真正接收的数据,是实测数据,在方程组中当作已知数处理。Γstd 分别为Γopen 、Γshort 和Γmatch,可以用图3中的模型描述。

对于直通件Through的测量

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当正向测试直通校准件Through的时候,会得到两个结果,即两个方程,分别是Through校准件的插损S21-T,Through校准件串联负载匹配e22之后,整体的反射系数ΓTHR FWD

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类似的反向误差子模型如图2:

测试直通校准件Through的时候,方程如下,其中ΓTHR REV代表反向负载匹配e'11和Through串联之后总体反射系数

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公式(7)(8)(9)(10)中的aG2、bG2 、aH2、bH2是接收机真正接收的数据,是实测数据,在方程组中当作已知数处理,又可以列出4组方程,和上面的6组方程一共构成10组方程,而误差项刚好也是10个,正好可以解出每个误差项,即可完成校准过程。

1.3 未知直通校准方法和模型

现代网络分析仪普遍采用了2N接收机架构,例如2端口网络分析仪的接收机数目为4,即每个端口都有自己的参考接收机和测量接收机,因此仪器端口的反射系数e11和e22无论在前向测试还是反向测试中,始终保持不变,即反向测试的负载匹配和前向测试的源匹配相同,反之亦然。因此其误差模型如图4所示,对应的误差项如表2,其中源和负载匹配部分用灰色底色表示。和1.1节类似,实际网络分析仪中,e10、e32、e23和e01 的值不会等于0,因此可以将这4个项中的某一项指定为非零的任意值,这会改变波量的绝对值,但是不会影响波量之间的比值(S参数的定义是波量之间的比值)因此这里假设e32=1,因此共有7个独立的误差项(即7个未知数)【3】。

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图4 现代网络分析仪4接收机架构的误差模型

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表2  7项误差模型中误差项的物理意义

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由此可以得出真正到达参考面的信号aG1 和bG1和网分内部接收机实测信号aG2 和bG2的关系:

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同理可得在端口2,到达参考面的信号aH1 和bH1和网分内部接收机实测信号aH2 和bH2的关系

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对于单端口校准,可以使用公式(3)和(4)列出6个方程。对于直通校准件分别仅测试其插损S21和S21

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注意,(17)和(18)中,4个接收机实测信号都是参与的,因此要正向的测试一次直通校准件,把4个接收机的结果带入(17),再反向测试一次,把4个接收机的结果带入(18)。只要保证直通校准件是互易的,即S21=S12,即可以使(17)和(18)相等,得出一个方程。和上面单端口校准的6个方程联列,一共有7个方程,和7个未知数,就可以解出各个误差项eij【3】。

2.1 采用校准件进行验证的结果和常见误区

在介绍验证之前,先简单介绍一下有效系统数据(effective system data)这个概念:通过系统误差校准,对误差网络进行数学补偿后,剩余的系统测量误差称为“有效系统数据”。

对于网络分析仪测试精度(包括校准)的验证方法有很多,例如T-check,失配负载、50Ω-25Ω-50Ω阶跃空气线等,并且还带有可溯源的参数文件。验证的方法也比较复杂,主要是面向计量单位的。普通用户通常会直接使用校准件做一些简单的验证。

首先这里要强调,用校准件去验证,实际测试的结果不是“理想”参数,而是校准件“特征数据”。

因此直接测试Open,并不是在史密斯圆图最右端开路位置的一圈点,而是一个沿等驻波比圆,向源(generator)方向的一条曲线。这是因为如图3中的开路校准件实际上是一个寄生电容串联一段有损传输线,对于不同频率传输线引起的相移(包括损耗)是不一样的,因此聚在一起的数百个扫频点,每个点的频率是不一样的,相移各不相同,就显示成一个曲线了,如果看S11的相位,也不是0度,原因同上。

同理如果测试Short校准件的S11,看到的也是在史密斯圆图左端短路点附近,沿等驻波比圆,向源(generator)方向的一条线,曲线的长度和扫频范围有关。

至于Match,由于目前的网络分析仪一般把它当作理想50欧姆匹配来处理的。所以校准完再次接上Match校准件,其反射系数非常低,一般能达到-60dB左右,这个值可以理解为“有效系统数据”即补偿后的剩余误差。值得注意的是,对于Match会有一个特殊的所谓“记忆(re-recognition)”现象,也就是说用某套校准件校准,如果还是测刚刚校准用的那个Match,反射系数可以到-60dB左右,如果换任何其他一套校准件中的Match,都不可能达到-60dB,一般只能达到-30dB左右。这主要是因为,低频段的网络分析仪都把Match当作理想50欧姆,校准算法仅仅根据当前测试的这个Match的结果来补偿,而实际上每个Match的物理特性都是略有差别的,因此换上另外的Match就不可能达到-60dB左右的反射系数。当然理想的50欧姆也是不可能实现的,这也是影响测量不确定度的一个因素,目前商用网络分析仪在测试反射系数,特别是反射系数特别小的器件的时候(-25dB到-35dB),不确定度一般都能达到2-3dB。

因此有必要再次强调,任何匹配校准件真实的S11(反射系数)达不到-60dB,一般只有-30到-40dB左右。在校准时,系统将它当作理想的匹配,就得到了-60dB这样低的结果。

现代网络分析仪也支持用S参数包来定义校准件,如果采用S参数包文件定义,校准后再测量Open,Short和Match,测量的结果就和S参数定义包里面的数据完全一样。值得注意的是,目前的商用校准件通常只是对Open、Short、Match使用S参数包,对Through还是使用有损传输线的模型。这主要是由于传输线模型已经能比较精确的描述其特性了,由于Through是2端口器件,必须是有S2P文件,而如果用了S2P文件,文件的参数必须和校准件的连接的方向有关,而实际中也不方便规定校准的时候Through的连接方向。

2.2 直通校准件的验证

无论是TOSM还是UOSM校准方法,最后一个接的校准件就是Through。因此校准完之后直接看Through的结果也是最方便和最常用的简单验证方法。下面对在TOSM和UOSM两种方法下Through测量的结果进行详细分析。

和上面类似,使用TOSM校准之后,直接测量Through的结果就是校准件模型中对应的“特征数据”,有一定的插损和相位。这一点是需要注意的,很多使用者一直有一个认识的误区,认为这时候的插损应该是0,相位也是0,这是不正确的。

对于UOSM校准,校准后直接测量Through校准件,这时网络分析仪就把Through直接当成一个被测件来处理,测到的插损和相位就是这个校准件实际的特性。值得一提的是,UOSM校准非常适合两端为不同接头类型的器件的测试。例如一个被测件的输入是N型接头,输出是SMA接头。在测试这种器件时,可以在网分的一端使用N型电缆,另一端使用SMA型电缆,校准的时候,可以在N型接头这边使用N型的Open、Short、Match校准件校准,在SMA型接头这边使用SMA的Open、Short、Match校准件。在校准Through的时候,使用任意一个质量较好的N-SMA转接头即可,校准完之后,参考面就是电缆的N型接头和SMA型接头的末端。因此UOSM校准方法也可以用于测试一些接头适配器和射频电缆。

TOSM校准完之后,Through校准件不拿掉,直接测试S11或S22,此时测得的是有效负载匹配(可以当做接近理想50欧姆)串联一段有损传输线的结果,如图5所示,是在史密斯原图中心匹配点附近的一个小圆圈,随着频率的变化呈现一定的复数阻抗特性,逐步偏离50欧姆原点。由于如图3,Through校准件是当作理想50欧姆的有损传输线来处理的,没有考虑Through本身的S11反射,这个值换算成反射系数用dB表示仍然很小,一般网络分析仪在8GHz以下,仍然有-50dB左右。

如公式(8)和(10),TOSM校准在测量直通时,仍然要测试S11和S22,并对其补偿,因此校准之后,对当前使用的这个Through校准件也有所谓“记忆(re-recognition)”现象,此时换成另外任何一个Through之后,都不可能达到-50dB的回波损耗的,甚至仅仅把当前这个Through换一个方向连接,也达不到-50dB这个量级。

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图5  TOSM校准之后直接测试当前校准件的S11在史密斯圆图上的结果

但是USOM对Through的S11和S22没有做测量和补偿,Through甚至是未知的,更没有把它描述为一个理想有损传输线,因此就没有所谓的“记忆(re-recognition)”现象。校准完之后,直接测试Through,其S11和S22就是这个Through本身的端口反射系数,一般在-30dB以下。但是这才是合理的,TOSM校准后的结果实际上是“记忆(re-recognition)”效应的结果,是过于理想化的仪器的剩余误差,不能反映校准件和系统的真实特性。

虽然UOSM校准之后,直接测试校准件的结果没有TOSM那么理想,但是UOSM才是更精确的校准方法,其结果更能真实的反映校准件的特性。

3.小结

本文详细介绍了传统直通校准方法TOSM和未知直通UOSM校准方法的基本原理,误差模型,校准件不理想性的表征和所谓的“记忆(re-recognition)”现象,在这个基础上,对比了不同校准方法,校准之后测量当前校准件的结果,指出了一些常见的误区,强调了UOSM校准方法的优点和方便性。为广大网络分析仪使用者的日常使用提供指导。

原文标题:矢量网络分析仪校准和验证的常见误区

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的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-29 09:42 387次 阅读
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双足机器人STL 3D模型详细资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是双足机器人STL 3D模型详细资料合集免费下载。
发表于 04-29 08:00 46次 阅读
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测试表现优秀的模型就真的能很好解决真实世界的问题吗?

经过了五年时间我才终于明白了,「拟合出最佳的机器学习模型」这件事的影响有多小。可明白这个为什么要花五....
的头像 中国人工智能学会 发表于 04-28 11:01 372次 阅读
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如何使用蚁群算法及博弈论进行多Agent路径规划算法的实现资料说明

针对多 Agent 路径规划问题,提出了一个两阶段的路径规划算法。首先,利用改进的蚁群算法来为每个A....
发表于 04-26 16:24 52次 阅读
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基于多因子判定与渗流模型相结合的裂缝检测算法资料概述

针对传统的基于渗流模型的裂缝检测算法效率过低且检测结果易存在断裂的问题,提出一种多因子判定与渗流模型....
发表于 04-26 16:23 40次 阅读
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OpenAI新模型Sparse Transformer,预测长度超过去30倍

减少内存消耗一种方法是在反向传播期间从检查点重新计算注意力矩阵,这是深度学习中的一种成熟技术,以增加....
的头像 新智元 发表于 04-26 09:38 411次 阅读
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ZStack Mini超融合延伸更多应用场景

过去两年中,“软件定义数据中心”的超融合架构逐渐成为IT架构最热门的发展趋势。超融合架构可以将网络、....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-25 18:53 258次 阅读
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剖析关于电容和波纹以及自发热

要了解这些因素如何发挥作用,我们以使用固体钽电容在直流电源输出级平滑残留AC纹波电流为例。
的头像 电磁兼容EMC 发表于 04-25 17:58 433次 阅读
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如何使用节点映射进行核型企业重叠社群发现算法的资料说明

针对现有企业社群发现算法多侧重于同质性市场环境,不能反映部分企业会参与多条供应链作业的问题,提出一种....
发表于 04-25 17:16 49次 阅读
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如何使用粒子群优化支持向量机进行花粉浓度预测模型的资料说明

为了提高花粉浓度预报的准确率,解决现有花粉浓度预报准确率不高的问题,提出了一种基于粒子群优化( PS....
发表于 04-25 17:13 45次 阅读
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电容击穿是开路还是短路?电容击穿原因是什么?

电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的,当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电,就破坏了绝....
的头像 单片机精讲吴鉴鹰 发表于 04-25 14:43 704次 阅读
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拜雅发布 MCE 85 BA 电池或幻象供电驻极电容枪式话筒

MCE 85 BA是一款为室内和户外拾音设计的专业驻极电容枪式话筒,将高品质和出色的指向性结合到轻量....
的头像 Midifan 发表于 04-23 15:41 295次 阅读
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物联网成熟度模型和物联网成功部署的秘诀

准备好开始物联网之旅了吗?借助这份包含成功秘诀的物联网成熟度模型路线图,从曾经受益于物联网的人那里获....
的头像 物联之家网 发表于 04-23 15:00 411次 阅读
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村田电容的型号参数和村田贴片电感规格书及识别资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是村田电容的型号参数和村田贴片电感规格书及识别资料说明。
发表于 04-23 08:00 83次 阅读
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GANs领域值得深入研究的七个问题,让我们得以窥视GANs未来的发展走向

如果样本中的元素被模型设置了0概率,那么惩罚将会变成无穷大!而GANs则通过间接的方式设置0概率,惩....
的头像 将门创投 发表于 04-22 14:26 379次 阅读
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你了解计算机的仿真技术吗本文档带你详细了解

计算机仿真作为分析和研究系统运行行为、揭示系统动态过程和运动规律的一种重要手段和方法, 随着系统科学....
的头像 TechSugar 发表于 04-20 11:44 412次 阅读
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CM1263-02SE 用于高速串行接口的低电容ESD保护阵列

信息此瞬态电压抑制器/ ESD保护器具有0 V时0.85 pF的低I / O电容,以及±8 kV接触放电的系统内ESD保护IEC 61000-4-2国际标准。该器件采用5引脚SOT-553封装。 2通道ESD保护 每通道0.85 pF典型负载电容 提供ESD保护EC61000-4-2第4级:8kV接触放电和15kV空气放电
发表于 04-18 22:24 0次 阅读
CM1263-02SE 用于高速串行接口的低电容ESD保护阵列

CM1293A ESD保护阵列,2通道和4通道,低电容

信息 CM1293A系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,可将正或负ESD电流脉冲转向正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,有助于保护VCC轨道免受ESD冲击。 CM1293A可根据IEC 61000-4-2 Level 4标准防止高达±8kV接触放电的ESD脉冲。该器件特别适用于使用高速端口保护系统,如USB2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI以及可移动存储,数码摄像机,DVD-RW中的相应端口驱动器和其他应用中,在小封装尺寸中需要具有ESD保护的极低负载电容。 CM1293A系列器件具有符合RoHS标准的无铅表面处理。 高达±8kV接触放电的两个和四个ESD保护通道 最大2.0pF的低负载电容。 I / O电容的通道I / O典型值为1.5pF 齐纳二极管可保护电源轨并无需外部旁路电容...
发表于 04-18 22:24 2次 阅读
CM1293A ESD保护阵列,2通道和4通道,低电容

CM1263-06DE 用于高速串行接口的低电容ESD保护阵列

信息该瞬态电压抑制器/ ESD保护器具有0 V时1 pF的低I / O电容,以及±8 kV接触放电的系统内ESD保护IEC 61000-4-2国际标准。 6通道ESD保护 典型每通道1pF负载电容 8kV ESD保护(IEC 61000-4-2,接触放电) 15kV ESD保护(IEC 61000-4-2,空气放电)
发表于 04-18 22:23 2次 阅读
CM1263-06DE 用于高速串行接口的低电容ESD保护阵列

CM1230 低电容ESD保护阵列

信息 CM1230是一系列2通道,4通道和8通道,非常低电容的ESD保护二极管阵列,采用CSP封装。它是保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路的理想选择。每个通道由一对ESD二极管组成,这些ESD二极管用作钳位二极管,以将ESD电流脉冲引导至正或负电源轨。齐纳二极管集成在正负电源轨之间。 VCC轨道可防止ESD冲击,无需旁路电容即可吸收对地的正ESD冲击。每个通道可以安全地消除±8kV的ESD冲击,符合IEC61000-4-2国际标准的4级要求以及符合IEC61000-4-2规范的±15kV空气放电。 两个,四个和八个ESD保护通道 低负载电容典型值0.8pF 通道I / O与GND电容相差0.02pF典型值为差分信号的理想选择 随温度和电压变化的最小电容...
发表于 04-18 22:23 2次 阅读
CM1230 低电容ESD保护阵列

CM1224 低电容ESD保护阵列

信息 CM1224系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,具有两个优点。首先,它可以保护VCC导轨免受ESD冲击,其次,它不需要旁路电容,否则需要吸收正向ESD冲击接地。 CM1224可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统,如USB 2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI和可移动存储中的相应端口,数码摄像机以及DVD- RW驱动器和其他需要极低负载电容和ESD保护的应用。 CM1224系列器件在小封装尺寸内具有无铅精加工。 两个或四个ESD保护通道,高达8kV接触放电 通用高速数据线ESD保护 低通道输入电容典型值为0.7pF,最小电容随温度和电压变化 典型值为0.02pF的通道输入电容匹配是差分信号的理想选择 齐纳二极管可保护电源轨,无需外部旁路电容...
发表于 04-18 22:23 0次 阅读
CM1224 低电容ESD保护阵列

CM1223 ESD保护阵列,低电容,带反向驱动保护

信息 CM1223系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,用于吸收正ESD冲击并为VP轨提供ESD保护。集成了一个额外的二极管作为反向驱动电流保护。 CM1223可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。此外,所有引脚都受到保护,免受大于±15kV的接触放电,如MIL-STD-883D(方法3015)人体模型(HBM)ESD规范所述。这些器件特别适用于使用高速端口保护系统,如USB2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI和可移动存储,数码摄像机,DVD-RW驱动器中的相应端口,以及在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护的其他应用。 CM1223系列器件采用符合RoHS标准的无铅封装制造。 两路,四路和八路ESD保护,并在所有线路上集成反向驱动保护 低通道输入电容为1.0pF(典型值),电容随温度和电压变化最小 通道I / O与GND电容差值典型...
发表于 04-18 22:23 2次 阅读
CM1223 ESD保护阵列,低电容,带反向驱动保护

CM1216 低电容ESD阵列

信息 CM1216系列二极管阵列为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。 CM1216可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±15kV的ESD脉冲。 六通道和八通道ESD保护 每个通道提供±15 kV ESD保护IEC 61000-4-2 ESD要求 通道负载电容典型值为1.6 pF...
发表于 04-18 22:23 0次 阅读
CM1216 低电容ESD阵列

CM1213 低电容ESD保护阵列

信息用于需要最小电容负载的电子元件或子系统。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,具有两个优点。首先,它可以保护VCC导轨免受ESD冲击,其次,它不需要旁路电容,否则需要吸收正向ESD冲击接地。 CM1213可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。 6或8通道ESD保护 通道输入电容匹配为0.02pF 典型的差分信号非常理想 提供SOIC和MSOP,无铅 包装...
发表于 04-18 22:23 0次 阅读
CM1213 低电容ESD保护阵列

CM1213A ESD保护阵列,低电容,1,2和4通道

信息 CM1213A系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,具有两个优点。首先,它可以保护VCC导轨免受ESD冲击,其次,它不需要旁路电容,否则需要吸收正向ESD冲击接地。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统,如USB 2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI和可移动存储中的相应端口,数码摄像机,DVD-RW驱动器和在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护的其他应用。...
发表于 04-18 22:23 0次 阅读
CM1213A ESD保护阵列,低电容,1,2和4通道

TPS736 单路输出 LDO、400mA、可调节电压(1.2 至 5.5V)、无电容、低噪声、反向电流保护

信息描述 The TPS736xx family of low-dropout (LDO) linear voltage regulators uses a new topology: an NMOS pass element in a voltage-follower configuration. This topology is stable using output capacitors with low ESR, and even allows operation without a capacitor. It also provides high reverse blockage (low reverse current) and ground pin current that is nearly constant over all values of output current. The TPS736xx uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering very low dropout voltages and low ground pin current. Current consumption, when not enabled, is under 1 µA and ideal for portable applications. The extremely low output noise (30 µVRMS with 0.1-µF CNR) is ideal for powering VCOs. These devices are protected by thermal shutdown and foldback current limit.特性Stable with No Output Capacitor or Any Value or Type of CapacitorInput Voltage Range of 1.7 V to 5.5 VUltra-Low Dropout Voltage: 75 mV...
发表于 04-18 22:20 21次 阅读
TPS736 单路输出 LDO、400mA、可调节电压(1.2 至 5.5V)、无电容、低噪声、反向电流保护

NCP1729 50 mA,35 kHz开关电容电压反相器,带有关断功能

信息 NCP1729是CMOS电荷泵电压逆变器,设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作,输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为122μA,并提供省电关断输入,以进一步将电流降至仅0.4μA。该器件包含一个35 kHz振荡器,可驱动四个低阻MOSFET开关,产生26Ω的低输出电阻和99%的电压转换效率。该器件仅需两个外部3.3μF电容即可实现完整的逆变器,使其成为众多电池供电和板级应用的理想解决方案。 NCP1729采用节省空间的TSOP-6(SOT-23-6)封装。 典型应用 •LCD面板偏差 •手机 •寻呼机 •个人数字助理 •电子游戏 •数码相机 可携式摄像机 •手持式仪器 优势特点 •工作电压范围为1.5 V至5.5 V •输出电流能力超过50 mA •低电流消耗122 A •省电关断输入,电流降低0.4 A •35 kHz运行 低输出电阻26 •节省空间的TSOP-6封装 •用于汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的现场和控制变更要求; AEC-Q100认证和PPAP功能 •这些器件无铅且符合RoHS标准 规格参数 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:22 0次 阅读
NCP1729 50 mA,35 kHz开关电容电压反相器,带有关断功能

MAX1720 50 mA,12 kHz开关电容电压反相器,带有关断功能

信息 MAX1720是CMOS电荷泵电压逆变器,设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作,输出电流能力超过50 mA 。工作电流消耗仅为67?A,并提供省电关断输入,以进一步将电流降至仅为0.4?A。该器件包含一个12 kHz振荡器,可驱动四个低阻MOSFET开关,输出电阻低至26?电压转换效率为99%。该器件仅需两个外部10?F电容即可实现完整的逆变器,使其成为众多电池供电和板级应用的理想解决方案。 MAX1720采用节省空间的TSOP-6薄型(SOT-23-6)封装。 工作电压范围1.15 V至5.5 V 输出电流能力超过50 mA 低电流消耗67μA 节能关断输入,降低电流0.4μA 12 kHz工作 低输出电阻26 节省空间的TSOP-6(SOT-23-6)封装 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:46 2次 阅读
MAX1720 50 mA,12 kHz开关电容电压反相器,带有关断功能

LC717A10PJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

信息 LC717A10PJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的,因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果(ON / OFF)可以通过串行接口(I C兼容总线或SPI)读出。此外,每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外,可以使用串行接口调整增益和其他参数。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(16个差分输入): 30ms(典型值)(初始配置 6ms(典型值)(最小间隔配置) 用于测量的外部组件:不需要 接口:I C兼容总线或SPI可选。 电流消耗:570μA(典型值) (V = 2.8 V),1.3 mA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V 检测操作:切换...
发表于 04-18 20:26 18次 阅读
LC717A10PJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

LC717A30UJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

信息 LC717A30UJ是一款高性能,低成本,高可用性的电容转换器,适用于静电电容式触摸和接近传感器。 8个电容感应输入通道,适用于需要一系列开关的任何终端产品。 LC717A30J通过其自动校准功能和最少的外部元件简化了系统开发时间。每个传感器的检测结果(ON / OFF)由串行接口(I C或SPI)读出。 检测系统:使用互电容的差分电容检测 传感器输入焊盘:使用小到大电容传感器输入焊盘工作 输入电容分辨率:电容检测低至毫微微法拉水平 8个传感器的测量时间为16 ms 最小外部组件 可选接口:I C或SPI 电流消耗:0.8 mA(V = 5.5 V) 供电电压:2.6至5.5 V AEC-Q100认证和PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:26 24次 阅读
LC717A30UJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

LC717A10AR 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

信息 LC717A10AR是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的,因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果(ON / OFF)可以通过串行接口(I C兼容总线或SPI)读出。此外,每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外,可以使用串行接口调整增益和其他参数。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(16个差分输入): 30ms(典型值)(初始配置时), 6ms(典型值)(最小间隔配置)< / li> 用于测量的外部组件:不需要 接口:I C兼容总线或SPI可选。 电流消耗:570μA(典型)(V = 2.8 V),1.3 mA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V < / li> 检测操作:切换...
发表于 04-18 20:26 19次 阅读
LC717A10AR 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

LC717A00AR 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

信息 LC717A00AR是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有8通道电容传感器输入。内置逻辑电路可以检测每个输入的状态(ON / OFF)并输出结果。这使其成为各种开关应用的理想选择。在电源激活期间或环境发生变化时,内置逻辑电路会自动执行校准功能。此外,由于配置了参数的初始设置(例如增益),因此当应用推荐的开关模式时,LC717A00AR可以独立运行。此外,由于LC717A00AR具有与I C和SPI总线兼容的串行接口,因此可以根据需要使用外部设备调整参数。此外,8输入电容数据的输出可以作为8位数据进行检测和测量。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(8个差分输入): 18ms(典型值)(初始配置时), 3ms(Typ (最小间隔配置) 用于测量的外部元件:不需要 电流消耗:320μA(典型值)(V = 2.8 V), 740μA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V 检测操作:开关 接口:I C兼容总线或SPI可选。...
发表于 04-18 20:26 25次 阅读
LC717A00AR 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

LC717A10AJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

信息 LC717A10AJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的,因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果(ON / OFF)可以通过串行接口(I C兼容总线或SPI)读出。此外,每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外,可以使用串行接口调整增益和其他参数。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(16个差分输入): 30ms(典型值)(初始配置时), 6ms(典型值)(最小间隔配置)< / li> 用于测量的外部组件:不需要 接口:I C兼容总线或SPI可选。 电流消耗:570μA(典型)(V = 2.8 V),1.3 mA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V < / li> 检测操作:切换...
发表于 04-18 20:26 22次 阅读
LC717A10AJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

LC717A00AJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

信息 LC717A00AJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有8通道电容传感器输入。内置逻辑电路可以检测每个输入的状态(ON / OFF)并输出结果。这使其成为各种开关应用的理想选择。在电源激活期间或环境发生变化时,内置逻辑电路会自动执行校准功能。此外,由于配置了参数的初始设置(如增益),因此在应用推荐的开关模式时,LC717A00AJ可以独立运行。此外,由于LC717A00AJ具有与I C和SPI总线兼容的串行接口,因此可以根据需要使用外部设备调整参数。此外,8输入电容数据的输出可以作为8位数据进行检测和测量。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(8个差分输入): 18ms(典型值)(初始配置时), 3ms(Typ (最小间隔配置) 用于测量的外部元件:不需要 电流消耗:320μA(典型值)(V = 2.8 V), 740μA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V 检测操作:开关 接口:I C兼容总线或SPI可选。...
发表于 04-18 20:26 21次 阅读
LC717A00AJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器

TPD2E001-NM 用于高速数据接口的低电容2通道+/- 15kV ESD保护阵列

信息描述 The TPD2E001 is a two-channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. The TPD2E001 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 Level 4 international standard.The DRS package (3.00 mm × 3.00 mm) is also available as a non-magnetic package for medical imaging applications.See also TPD2E2U06DRLR which is p2p compatible to TPD2E001DRLR and offers higher IEC ESD Protection, lower clamping voltage, and eliminates the input capacitor requirement.特性IEC 61000-4-2 ESD Protection (Level 4) ±8-kV Contact Discharge ±15-kV Air-Gap Discharge IO Capacitance: 1.5 pF (Typ) Low Leakage Current: 1 nA (Maximum) Low Supply Current: 1 nA 0.9 V to 5.5 V Supply-Voltage Range Space-Saving DRL, DRY, and QFN Package Options Alternate 3, 4, 6-Channel options Available: TPD3E001, TPD4E001,...
发表于 04-18 20:04 26次 阅读
TPD2E001-NM 用于高速数据接口的低电容2通道+/- 15kV ESD保护阵列

LA5797MC 用于可变电容二极管的电荷泵升压电源

信息 LA5797MC是可变电容二极管的电荷泵升压电源。 使用电荷泵,无需线圈。 合并了时基发生器(140kHz)。 内置热关断电路。
发表于 04-18 19:04 14次 阅读
LA5797MC 用于可变电容二极管的电荷泵升压电源