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集肤效应、邻近效应、边缘效应与涡流损耗的原理及作用区别

电子设计 2018-10-10 08:23 次阅读

1.集肤效应

1.1集肤效应的原理

图1.1表示了集肤效应的产生过程。图中给出的是载流导体纵向的剖面图,当导体流过电流(如图中箭头方向)时,由右手螺旋法则可知,产生的感应磁动势为逆时针方向,产生进入和离开剖面的磁力线。如果导体中的电流增加,则由于电磁感应效应,导体中产生如图所示方向的涡流。由图可知:涡流的方向加大了导体表面的电流,抵消了中心线电流,这样作用的结果是电流向导体表面聚集,故称为集肤效应。在此引进一个集肤深度〈skin depth〉的概念,此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度大小的1/e倍:

一般用集肤深度Δ来表示集肤效应,其表达式为:

集肤效应、邻近效应、边缘效应与涡流损耗的原理及作用区别

其中:γ为导体的电导率,μ为导体的磁导率,f为工作频率。

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图1.1.集肤效应产生过程示意图

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图1.2.高频导体电路密度分布图

高频时的导体电流密度分布情形,大致如图1.2所示,由表面向中心处的电流密度逐渐减小。

由上图及式1.1可知,当频率愈高时,临界深度将会愈小,结果造成等效阻值上升。因此在高频时,电阻大小随着频率而变的情形,就必须加以考虑进去。

1.2影响及应用

在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外,为了削弱趋肤效应,在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线,这种多股线束称为辫线。在工业应用方面,利用趋肤效应可以对金属进行表面淬火。

考虑到交流电的集肤效应,为了有效地利用导体材料和便于散热,发电厂的大电流母线常做成槽形或菱形母线;另外,在高压输配电线路中,利用钢芯铝绞线代替铝绞线,这样既节省了铝导线,又增加了导线的机械强度,这些都是利用了集肤效应这个原理。

集肤效应是在讯号线里最基本的失真作用过程之一,也有可能是最容意被忽略误解的。与一般讯号线的夸大宣传所言,集肤效应并不会改变所有的高频讯号,并且不会造成任何相关动能的损失。正好相反,集肤效应会因传导体的不同成分,在传递高频讯号时有不连贯的现象。同样地,在陈旧的线束传导体上,集肤效应助长讯号电流在多条线束上的交互跳动,对于声音造成刺耳的记号。

2.邻近效应

图2.1表示了邻近效应的产生过程。A、B两导体流过相同方向的电流IA和IB,当电流按图中箭头方向突增时,导体A产生的突变磁通ΦA-B在导体B中产生涡流,使其下表面的电流增大,上表面的电流减少。同样导体B产生的突变磁通ΦB-A在导体A中产生涡流,使其上表面的电流增大,下表面的电流减少。这个现象就是导体之间的邻近效应。
当流过导体的电流相同,导体之间的距离一定时,如果导体之间的相对面积不同,邻近效应使得导体有效截面面积不同。研究表明:导体的相对面积越大则导体有效截面越大,损耗相对较小。

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图2.1.临近效应产生过程示意图

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图2.2.临近效应示意图

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图2.3. 一轴对称模型在频率为20KHz时电流密度的分布图

临近效应与集肤效应是共存的。集肤效应是电流主要集中在导体表面附近,但是沿着导体圆周的电流分布还是均匀的。如果另一根载有反向交流电流的圆柱导体与其相邻,其结果使电流不再对称地分布在导体中,而是比较集中在两导体相对的内侧,形成这种分布的原因可以从电磁场的观点来理解。电源能量主要通过两线之间的空间以电磁波的形式传送给负载,导线内部的电流密度分布与空间的电磁波分布密切相关,两线相对内侧处电磁波能量密度大,传入导线的功率大,故电流密度也较大。如果两导线载有相同方向的交变电流,则情况相反,在两线相对外侧处的电流密度大。

3.导体的边缘效应

Dowall提出了计算两绕组变压器绕组交流电阻的方法,此方法先将圆导体转化为方形,并作如下假设:

①磁场被假定为一维变量,垂直于导体的分量被忽略,并且总磁场强度在每个导体层中为常量;

②绕组被假定为无限长片状导体的一部分,电流密度沿每层导体截面是常数,导体边缘效应被忽略;

③假定磁芯不存在,线圈在整个磁芯宽度方向上均匀分布;

④流过绕组的电压和电流均为正弦波,且线圈无开路。

后来的研究者们对此方法提出了一些修正。事实上,导体的边缘效应对磁性元件的损耗和漏感等有较大的影响。绕组的边缘效应会造成由上述假定所限定的一维绕组损耗计算方法所不能计算的额外损耗。在不同的工作频率下,绕组之间距离不同,造成的交流电阻和漏感不同,对于一个指定的频率,存在一个最佳的距离使得绕组交流电阻最小;绕组在磁芯窗口中的位置对绕组参数也有一定的影响;对于高频变压器,原副边绕组的宽度与绕组损耗和能量的存储也有很大关系:原副边绕组宽度相同时高频变压器可以获得最小的交流电阻和漏感。有关学者对这种边缘效应进行了详细的研究,使用二维有限元仿真软件,通过对磁场分布和电流分布进行分析证明了绕组边缘效应对绕组损耗和漏感的影响。

因为有限元分析方法对每个设计方案都要单独求解,因此不能提供一般的结论,Soft Switching Technologies Corporation的Nasser H.Kutkut对传统的一维绕组损耗计算方法进行了改进,通过在Dowell方法分析结果上添加一些修正因数,则可以将二维的边缘效应考虑进去。使用二维有限元的方法分析绕组的边缘效应损耗,通过研究几何因素如绕组间距、位置等对磁场分布和电流分布的影响,进而得出几何因素对绕组损耗的影响,得出了一系列的绕组优化原则。

在大电流时,铜带的使用是比较常见的,但是铜带使用时会出现较明显的绕组边缘效应,电流变成了不均匀分布的形式,可以想象二维场效应是比较严重的。

在分析铜带绕组的二维边缘效应之前,先做一定的假设:

①假定电流集中在一个趋肤深度内。当铜带导体的厚度是当前工作频率对应的趋肤深度的若干倍时,这一点是成立的。

②假定电流密度沿着铜带导体表面是Js,则铜带厚度方向上电流密度的分布满足式(3.1):

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n表示铜带从表面深入到内部的深度,k为结构系数。

在高频的情况下,趋肤深度非常小,导体表面的磁场接近线性磁场,这种情况下,导体表面的电流分布类似于在标量电势作用下的导体表面的静电荷分布,方形铜带问题的分析就可以简化为与之等截面积的椭圆状铜带导体的分析,方形铜带导体和椭圆形铜带导体的截面关系如图3.1所示。

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图3.1.铜带的椭圆近似模型分析

使用这种假设条件,则可以得到沿着铜带的电流密度分布为式(3.2)所示:

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由式(3.2)可以看出,当x=b或者x=-b时电流密度Js最大。

即铜带在导体的边缘处达到最大值,从磁场分布的角度来看,在铜带导体的边缘处由于边缘效应,磁场垂直于导体的分量会很大,这样就导致了这个磁场分量对铜带导体的切割,铜带绕组的涡流损耗会增大,同时导体边缘处的强磁场会导致电流密度的显著增大。电流分布是在边缘处很强,中间较为平均,由于边缘处受强磁场的吸引,显示高的电流密度,这种电流密度在端部的重新分布增加了导体的交流电阻,其结果比一维分析的要大很多。通过优化铜带边缘的场分布,可以减小边缘处的磁场垂直分量,这样可以改善铜带导体电流密度的分布,减小绕组高频损耗。具体方法是在铜带边缘处使用高磁导率磁芯,减小磁路磁阻,这样就会降低了铜带端部的磁场,减小了端部的电流分布,绕组损耗将会降低,但是需要特殊的磁芯工艺。

4.绕组涡流损耗

对于高频变压器,因为存在原边和副边绕组,所以可以通过绕组交错布置的方式小绕组的漏感和涡流损耗。在绕组交错布置时,因为原、副边绕组的磁势是相反的,此会存在一个去磁效应,磁芯窗口中的磁势会有一定的减小,漏磁场和高频时漏磁场成的导体涡流损耗也会比较小。

对于高频电感而言,它只有一个绕组,磁路中的气隙磁势和绕组的磁势平衡,在窗口中没有其它绕组的磁势可以和电感绕组的磁势相平衡产生去磁效应,因此电感磁芯窗口中的磁势较大,磁场较强。

通过分析可以发现,电感中的磁通主要分为以下几个部分:

①主磁路磁通。这部分磁通是流通在电感磁芯中的磁通,它不会在磁芯窗口中出现,因此它不会切割导体,也不会产生导体损耗。

②气隙边缘磁通,即扩散磁通。这部分磁通是由于气隙磁势而产生,它在磁芯窗口中出现,在高频时会切割窗口中的导体造成涡流损耗。

③旁路磁通。这部分磁通不是由于气隙磁势而产生,而是由于相邻磁芯柱之间的磁势差而产生,当气隙较小时,旁路磁通在窗口磁通中占较大比例。

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图4.1. 磁通分布图

4.1旁路磁通损耗

旁路磁通通过磁芯窗口跨过相邻的磁芯柱,在绕组上产生大量的涡流和损耗,气隙的边缘磁通是由于跨过气隙的磁势造成的,而旁路磁通是由于相邻磁芯柱间的磁势差异造成,沿着磁芯柱窗口的磁势分布取决于载流绕组和气隙的位置。沿着磁芯柱磁势随着载流绕组安匝增大而增加,随着跨过气隙而降低。通过做出如下一维假设,可以对旁路磁通作一定的分析。

1.假定磁芯磁导率是无穷的,磁场进入磁芯窗口是垂直于磁芯表面的。

2.绕组添满整个磁芯窗口宽度,绕组边缘效应很小,可忽略。

3.对圆导体进行一维等效,变成一片方导体,使用等效厚度和等效电导率,磁场在磁芯窗口中平行于导体表面,属一维分布。

4.气隙可认为很小,边缘磁通很小,对旁路磁通影响很小,然而无论气隙多么小,边缘磁通都存在,因为气隙磁势是存在的。

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图4.1.1 Dowell绕组损耗分析模型

如图4.1.1所示为磁芯窗口中的第m层铜带绕组,其上、下表面的磁场强度分别Hm1和Hm2,则这层铜带绕组的电流分布和绕组损耗可以通过Dowell方程得出,如式(4.1.1)所示:

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式中f是工作频率,σeq是铜带的等效电导率,μ是绕组的磁导率,Aeq和W是等效铜带的厚度和宽度。总的旁路磁通绕组损耗可以通过求和得出,如式(2.1.3)所示:

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通过用一维的方式分析旁路磁通可知:绕组的电流密度与沿导体的磁场强度密切相关,不同的气隙位置导致不同的窗口磁势,因此沿导体的磁场强度会有较大的不同,沿导体的电流密度分布也会有较大的不同。

旁路磁通的大小是与磁芯高度方向上的平均磁压降密切相关的。当气隙处于中间与两端时,磁压分布如下图所示:

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图4.1.2 EI型(a)和EE(b)型磁芯电感窗口磁势分布

图a中的平均磁压降为IN/2,b为IN/4。

假定旁路磁通与底边平行,又由于B=dU*u0/w,可知,a中的磁密必定大于b中的磁密,磁场方向与线圈垂直。
下面是损耗与平均磁压降的关系:

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图4.1.3 损耗随平均磁压降变化图

由图可看出磁压降越低,损耗越低。
由此,如果我们可以将磁压降降得更低,就可得到损耗更低的电感!

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图4.1.4 磁压降与气隙位置的关系

由于它将气隙交错布置,使磁压降在高度方向上出现二次转折,仅为IN/8。它的损耗比起气隙居中者可再下降约50%。

因此我们可以知道在电感磁势一定的情况下,EE磁芯窗口中的最大磁势是EI磁芯的一半。磁芯窗口中的最大磁势的减小,有助于减小旁路磁通,进而旁路磁通造成的导体涡流损耗也会减小,所以在选择磁芯时应该引起注意,利用交错气隙可以减少磁芯窗口内的旁路磁通。

4.2扩散磁通损耗

滤波电感工作时输入的电流波形是一个直流分量叠加一个开关频率的纹波,因此在设计电感时为了在磁芯中瞬间存储能量,磁路中需要有一个较大的磁势,因此一般都需要添加气隙。在磁路设计时,因为磁芯(比如铁氧体)和磁绝缘物质(比如空气)之间的磁导率比例系数大约为10^3,因此磁通在磁路中并非完全限制在磁芯中,气隙的存在会使这部分散落在空气中的磁通增加。

在含有气隙的电感中,绕组的磁势和气隙的磁势是平衡的,因为绕组的磁势较大,所以气隙的磁势也较大,而且由于气隙和磁芯的磁导率的差异相对较大,磁势主要降落在气隙上面。绕组磁势和气隙磁势的相对位置的不同会导致不同的气隙边缘磁场分布。

高频电感中气隙的添加方式主要有以下几种:

①采用只在中心柱中添加单气隙的方式。这种方法在磁芯窗口中产生的边缘磁通较大,高频时边缘磁通切割绕组导体,在导体上会产生很大的边缘磁通损耗。由于气隙磁势和整个线圈的安匝数相同,因此单气隙周围的磁场会很强,磁芯窗口中的磁场的二维效应特别严重,尤其是气隙附近。

②采用在三个磁芯柱上都添加气隙的方式。在磁路气隙长度一定的情况下,这种方法由于减小了气隙的尺寸,即每个磁芯柱上气隙长度是中柱单气隙的一半,因此每个气隙的磁势是整个线圈安匝数的一半,气隙磁势的降低大大减小了气隙的边缘磁通,因此边缘磁通在导体上造成的损耗会有较大减小,但是这种方式会造成较大的外部散漏磁场,这部分磁场虽然不会造成电感的额外涡流损耗,但是会对周围器件产生一定的电磁干扰。

③采用分布式气隙的方式,即将中柱的大气隙分割成若干个小气隙,而气隙总长度不变的方式。这种方式会减小气隙边缘磁通,从而对减小电感的涡流损耗有益,但此种磁芯需要特殊加工。

④采用均匀分布式气隙。即磁芯中柱使用低磁导率材料,相当于气隙均匀分布在磁芯中,减小了气隙边缘磁通,但是这种方式磁芯需要特殊加工,低磁导率材料在高频时磁芯损耗会比较大,但是这种方式可减小导体的涡流损耗
图4.2.1所示为三种不同的电感气隙布置方式对边缘磁通分布的影响。气隙放置在中柱上时的磁通分布如图4.2.1 (a)所示,等效气隙放置在中柱和外侧柱时的磁通分布如图4.2.1 (b)所示,磁芯中柱用均匀分布气隙磁芯代替时的磁通分布如图4.2.1 (c)所示,由图可知,4.2.1 (a)中边缘磁场范围较大,4.2.1 (b)中气隙尺寸减小后,边缘磁场范围减小了一些,4.2.1 (c)中的边缘磁场最小。在4.2.1 (c)中由于气隙和绕组的长度基本相同,因此二者磁势的空间分布的不平衡因素最小,使得这种情况下的气隙边缘磁场最弱,窗口磁场的分量基本上是平行于导体的一维分布,类似于变压器中的漏磁场。

在导体中流过高频电流时,气隙边缘磁场也是高频交变的,因此它会在导体中产生很大的涡流损耗,用有限元方法对此分析非常方便。当采用4.2.1(a)中的气隙分布时漏在空气中的磁场较小;而4.2.1 (b)中的散落在空气中的外部磁场较大,对外界电磁污染较大; 4.2.1 (c)中气隙边缘磁场和外部磁场都比较小,使用时应该根据实际要求折衷考虑。

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图4.2.1 气隙处于的三种不同位置的电感

我们以气隙至磁芯顶部的距离与磁芯中柱高度之比(hg/h)为变量,可得出气隙在不同位置时电感器损耗变化图如下:

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图4.2.1 损耗随气隙位置变化图

由此图可知,气隙在中间时损耗最小,在两端时损耗最大,差别可达100%。这也就是我们通常EE Core用得比EI Core多的一个原因。

扩散磁通与气隙形状有关,与位置关系不大,当然当它在两端时由于磁路长度发生一定变化,还是有所变化的。
减小气隙边缘磁通的方法主要有以下几种:

①通过使导体远离气隙,保持导体和气隙之间有一定的距离来减小气隙边缘磁通的影响,但是磁芯窗口宽度是很有限的,这样做会减小磁芯窗口的利用率。

②将绕组导体放置在磁芯窗口中一个固定的区域中,而这个区域边缘磁通很小,这种方式同样可以减小气隙边缘磁通造成的导体涡流损耗,但是这种方式增加了绕线的复杂性。

③采用分布式气隙或均匀分布气隙。因为在气隙总长度不变的情况下,每个气隙的尺寸得以减小,这种方式可以在很大程度上减小气隙边缘磁通,它附近导体的涡流损耗会有较大的改善,但是这种方式的磁芯需要特殊的加工,比较复杂。同时增加太多的小气隙,对减少绕组的损耗不一定明显。

磁芯和绕组参数同图4.2.2(a)和表1中的三种方案。气隙布置在3个磁芯柱上,每个磁芯柱上的气隙总长为0.6mm,拆分成的小气隙在磁柱上均匀分布,图4.2.5为每个磁柱上6个分布小气隙的示意图。当电感绕组中通过幅值为1A,频率为300kHz的正弦电流时,用Ansoft Maxwell 2D 电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗随小气隙个数的变化趋势如图4.2.6所示。

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图4.2.2 (a)铜箔绕组结构图(b)漆包线绕组结构图

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图4.2.3 漆包线绕组和铜箔绕组的磁通分布图

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图4.2.4 绕组损耗随气隙间磁柱长度变化的关系图

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图4.2.5 多气隙结构图

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图4.2.6 绕组损耗与分布气隙个数的关系图

对图4.2.6所示的结果进行分析,刚开始增加气隙的个数,能大大减少绕组的损耗。但气隙的个数增加到6到7个气隙以后,再增加气隙的个数对绕组损耗影响不大。

在方案1中当磁柱上为一个集中气隙时,气隙长度为0.6mm,绕组距磁芯边柱的距离为0.45mm,即绕组距边柱为0.75个气隙长度。当磁柱上为两个小气隙时,气隙长度为0.3mm,绕组距边柱为2个小气隙的距离,从图4.2.6可见此时增加气隙能大大减少绕组的损耗。当磁柱上为4个气隙时,小气隙长度为0.15mm,绕组距边柱为3个小气隙长度,以后再增加气隙的个数,绕组损耗的减少就不多了,当气隙增加到6个时,小气隙长度为0.1mm,绕组距边柱为4.5个小气隙长度,以后再增加气隙的个数,绕组损耗的减少就不明显了。这和绕组应避开气隙3个气隙长度的距离是一致的。因为再增加绕组避开气隙的距离,气隙附近的扩散磁通对绕组的损耗影响就较小了。根据上面的分析,当绕组距气隙的距离增大时,所需的小气隙个数应该减少。在方案2中绕组距气隙的距离为0.65mm,用AnsoftMaxwell 2D 电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗如图4.2.6所示。可见比方案1可用较少的气隙个数。在方案3中绕组距气隙的距离为0.85mm,用AnsoftMaxwell 2D 电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗如图4.2.6所示,可见比方案2可用较少的气隙个数。

根据前面的分析,为了减少绕组损耗,小气隙的个数应增加到使绕组距气隙的距离大于3个小气隙。但没有必要增加气隙的个数使绕组距气隙的距离大于5个小气隙的距离,因为此时再增加气隙个数对绕组损耗影响很小。

由以上分析可以得到以下结论:

1) 高频磁件绕组的交叉换位技术能够有效降低绕组的交流电阻和漏感;

2) 绕组层间距对交流电阻的影响与磁件的结构有关;

3) 采用分布气隙可以有效降低气隙扩散磁通的影响, 另外变换气隙的位置及绕组相对气隙的形状, 也可以减小绕组的交流电阻。

4) 气隙设在磁芯窗口的拐角处或其附近,使扩散磁通更容易深入到磁芯窗口内,易导致绕组损耗增加。分别由漆包线和铜箔构成的绕组,电感气隙位置对磁芯窗口内旁路磁通的影响是不同的,最终导致对电感绕组损耗影响的不同。

5) 采用分布小气隙代替集中的大气隙时,当气隙间的磁柱长度约为5个气隙长度左右时,气隙之间的影响较小。

采用较多的分布小气隙代替集中气隙时,小气隙的个数应增加到使绕组距气隙的距离大于3个小气隙。但没有必要增加气隙的个数使绕组距气隙的距离大于5个小气隙,因为此时再增加气隙个数对绕组损耗影响很小。

小结

对磁性元件的绕组进行合理设计, 能够有效地提高磁性元件性能,但是磁性元件的设计是一个复杂的综合过程, 包含非常多的内容, 需要整体、系统地考虑各种因素。

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和特点 两个独立的线性dB通道最大增益时的输入噪声:1.8 nV/√Hz,2.7 pA/√Hz -3 dB带宽:40 MHz差分输入可编程绝对增益范围:–14 dB至 +34 dB(FBK与OUT短路)可变增益调整比例:20 dB/V至40 dB/V增益不随温度和电源变化而变化单端单极性增益控制输出共模独立设置在增益控制下限时电源关断5 V单电源低功耗:每通道90 mW 产品详情 AD605是一款低噪声、高精度、双通道、线性dB可变增益放大器(VGA),并针对所有要求高性能、宽带宽可变增益控制的应用进行了优化。它采用5 V单电源供电,提供差分输入和单极性增益控制,使用方便。用户可决定增益范围,并通过外部基准输入提供用户决定的增益调整比例(dB/V),从而可实现更大的灵活性。借助差分输入、单电源指数放大器(DSX-AMP)架构,AD605可实现高性能线性dB响应。每个DSX-AMP均内置0 dB至-48.4 dB可变衰减器,后接高速固定增益放大器。衰减器基于7级R-1.5R梯形网络。触点之间的衰减为6.908 dB,整个梯形网络的衰减为48.360 dB。当VOCM偏置VP/2时,DSX-AMP架构提供1.8 nV/√Hz输入噪声谱密度,并接受±2.0 V输入信号。AD605的每个独立通道均提供48 dB增益...
发表于 02-15 18:40 21次 阅读
AD605 双通道、低噪声、单电源可变增益放大器

LTC1392 微功率温度、电源和差分电压监视器

和特点 完整的内置环境温度传感器 系统电源监视器 10 位分辨率轨至轨共模差分电压输入 采用 8 引脚 SO 封装和 PDIP 封装 闲置时的电源电流为 0.2μA 以最大速率采样时的电源电流为 700μA 单电源电压:4.5V 至 6V 三线式半双工串行 I/O 可与大多数 MPU 串行端口和所有 MPU 并行 I/O 端口通信 产品详情 LTC®1392 是一款微功率数据采集系统,专为测量温度、片内电源电压和一个差分电压而设计。差分输入具有轨至轨共模输入电压范围。LTC1392 包含一个温度传感器、一个具采样及保持电路的 10 位 A/D 转换器、一个高准确度带隙基准和一个三线式半双工串行接口。 可通过编程使 LTC1392 测量环境温度、电源电压和差分输入引脚上的一个外部电压,还可用于采用一个外部检测电阻器进行电流测量。当测量温度时,A/D 转换器的输出代码与温度 (°C) 成线性比例关系。生产微调在室温条件下实现了 ±2°C 的初始准确度,而在整个 –40°C 至 85°C 的温度范围内则实现了 ±4°C 的初始准确度。 片内串行端口可通过 3 根或 4 根导线实现至多种 MPU 的高效数据传输。这与低功耗相结合,使得远程位置传感成为可能,并有利于穿...
发表于 02-15 18:37 23次 阅读
LTC1392 微功率温度、电源和差分电压监视器

LTC2991 8 通道 I2C 电压、电流和温度监视器

和特点 可测量电压、电流和温度可测量 4 个远端二极管的温度0.7°C (典型值) 准确度、0.06°C 分辨率1°C (典型值) 内部温度传感器串联电阻抵消14 位 ADC 负责测量电压 / 电流PWM 温度输出3V 至 5.5V 电源工作范围8 个可选地址内部 10ppm/°C 电压基准V1 至 V8 输入 ESD 额定保护等级至 6kV HBM16 引脚 MSOP 封装 产品详情 LTC®2991 用于监视系统温度、电压和电流。通过 I2C 串行接口,8 个监视器可单独地测量电源电压,并能配对以进行电流检测电阻器或温度感测晶体管的差分测量。其他的测量包括内部温度及内部 VCC。内部 10ppm 基准最大限度地缩减了所需的支持元件数目以及占板面积。可选地址和可配置功能为 LTC2991 提供了灵活性,使其可应用于各种需要测量温度、电压或电流数据的系统。LTC2991 非常适合于那些要求低于毫伏电压的分辨率、1% 电流测量和 1°C 温度准确度或此三者之任意组合的系统。应用温度测量电源电压监视电流测量远端数据采集环境监视 方框图...
发表于 02-15 18:37 15次 阅读
LTC2991 8 通道 I2C 电压、电流和温度监视器

ADG779 CMOS、低压、2.5 Ω、单刀双掷开关/2:1多路复用器

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2.5 Ω 导通电阻平坦度:0.75 Ω -3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 6引脚SC70封装 快速开关时间 tON 20 ns tOFF 6 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS兼容型 产品详情 ADG779是一款单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。它采用亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性,-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG779可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。 方框图...
发表于 02-15 18:35 0次 阅读
ADG779 CMOS、低压、2.5 Ω、单刀双掷开关/2:1多路复用器

ADG741 CMOS、低压、单刀单掷常开(NO)开关,采用SC-70封装

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 -3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 小型6引脚SC70封装 快速开关时间接通时间tON: 18 ns断开时间tOFF :12 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS兼容型 产品详情 ADG741是一款单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性,-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG741可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。应用电池供电系统通信系统采样保持系统音频信号路由视频开关机械式舌簧继电器的替代产品 方框图...
发表于 02-15 18:35 0次 阅读
ADG741 CMOS、低压、单刀单掷常开(NO)开关,采用SC-70封装

ADG704 CMOS、低压、2.5 Ω、4通道多路复用器

和特点 单电源:+1.8 V至+5.5 V导通电阻:2.5 Ω(典型值)低导通电阻平坦度–3 dB带宽:> 200 MHz轨到轨工作10引脚µSOIC封装快速开关时间接通时间tON :20 ns断开时间tOFF :13 ns典型功耗:<0.01 μWTTL/CMOS兼容型 产品详情 ADG704是一款CMOS模拟多路复用器,内置4个单通道。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。导通电阻曲线在整个模拟信号范围都非常平坦,可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。同时较快的开关速度使该器件适合视频信号切换应用。 方框图...
发表于 02-15 18:35 0次 阅读
ADG704 CMOS、低压、2.5 Ω、4通道多路复用器

ADG751 CMOS、低压、RF/视频、SPST(单刀单掷)开关

和特点 高关断隔离:-75 dB (100 MHz) -3 dB信号带宽:300 MHz 单电源:+1.8 V至+5.5 V 低导通电阻:15 Ω 典型功耗:<0.01 μW 快速开关时间接通时间tON :9 ns断开时间tOFF: 3 ns TTL/CMOS兼容型 产品详情 ADG751是一款低压SPST(单刀单掷)开关。它采用T型开关配置结构,具有出色的关断隔离,同时在接通条件下可以保持良好的频率响应。高关断隔离和宽信号带宽,使之适合RF和视频信号切换应用。该器件具有低功耗和+1.8 V至+5.5 V的工作电压范围,非常适合电池供电的便携式仪表应用。这款器件为完全双向式开关,信号处理范围可以达到电源电压范围。 方框图...
发表于 02-15 18:35 11次 阅读
ADG751 CMOS、低压、RF/视频、SPST(单刀单掷)开关

ADG721 CMOS、低压、4 Ω、双通道单刀单掷开关,采用3 mm × 2 mm LFCSP封装

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 低导通电阻平坦度 −3 dB带宽: 大于200 MHz 小型封装8引脚MSOP3 mm × 2 mm LFCSP (A 级) 最大导通电阻:4 Ω 快速开关时间接通时间TON: 20 ns断开时间TOFF :10 ns 低功耗:小于0.1 μW TTL/CMOS兼容型产品详情 ADG721、ADG722和ADG723均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关,采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。这些器件提供3 mm × 2 mm、小型LFCSP和MSOP两种封装,非常适合空间受限的应用。ADG721、ADG722和ADG723设计采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。ADG721、ADG722和ADG723均内置两个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG721与ADG722的区别仅在于:前者的两个开关为常开式,后者的两个开关为常闭式。ADG723的开关1为常开式,开关2为常闭式。 接通时,ADG721、ADG722和ADG723的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG723为先开后合式开关。产品聚焦 1.8 V至5.5 V单电源供电。极低...
发表于 02-15 18:35 33次 阅读
ADG721 CMOS、低压、4 Ω、双通道单刀单掷开关,采用3 mm × 2 mm LFCSP封装

ADG701 4 Ω、低压、宽带宽、单通道单刀单掷常闭(NC)开关,采用6引脚SOT-23封装

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 -3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 小型6引脚SOT-23和8引脚µSOIC封装 快速开关时间 典型功耗:(<0.01 µW) TTL/CMOS兼容型 产品详情 ADG701是一款单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性,-3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。 方框图...
发表于 02-15 18:35 8次 阅读
ADG701 4 Ω、低压、宽带宽、单通道单刀单掷常闭(NC)开关,采用6引脚SOT-23封装

ADG736 CMOS、低压、2.5 Ω、双通道单刀双掷开关

和特点 1.8 V至5.5 V单电源供电 汽车应用温度范围:-40℃至+125℃ 导通电阻:2.5 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 −3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 10引脚MSOP封装 快速开关时间接通时间:16 ns断开时间:8 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS兼容型 通过汽车应用认证 产品详情 ADG736是一款单芯片器件,内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。这些开关采用亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽特性。导通电阻曲线在整个模拟信号范围都非常平坦,可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。同时较快的开关速度使该器件适合视频信号切换应用。ADG736采用1.8 V至5.5 V单电源供电,因此非常适合便携式电池供电仪表应用。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG736为先开后合式开关。ADG736采用10引脚MSOP封装。 产品聚焦1.8 V至5.5 V单电源供电。ADG736具有高性能、低导通电阻和快速开关时间,保证额定电源电压为3 V和5 V。极低导通电阻RON(5 V时最大值为4.5 Ω,3 V时最大值为8 Ω)。电源电压为1.8 V...
发表于 02-15 18:35 10次 阅读
ADG736 CMOS、低压、2.5 Ω、双通道单刀双掷开关

ADG1613 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

和特点 1 Ω典型导通电阻0.2 Ω导通电阻平坦度±3.3 V至±8 V双电源供电3.3 V至16 V单电源供电无需VL电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作每个通道的连续电流LFCSP封装:280 mATSSOP封装:175 mA16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 产品详情 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。ADG1613具有先开后合式开关动作,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。这些开关具有超低导通电阻特性,对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低,因而这...
发表于 02-15 18:35 15次 阅读
ADG1613 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

ADG1611 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

和特点 1 Ω典型导通电阻0.2 Ω导通电阻平坦度±3.3 V至±8 V双电源供电3.3 V至16 V单电源供电无需VL电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作每个通道的连续电流LFCSP封装:280 mATSSOP封装:175 mA16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 产品详情 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。ADG1613具有先开后合式开关动作,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。这些开关具有超低导通电阻特性,对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低,因而这...
发表于 02-15 18:35 8次 阅读
ADG1611 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

ADG1612 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

和特点 1 Ω典型导通电阻0.2 Ω导通电阻平坦度±3.3 V至±8 V双电源供电3.3 V至16 V单电源供电无需VL电源3 V逻辑兼容输入轨到轨工作每个通道的连续电流LFCSP封装:280 mATSSOP封装:175 mA 16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 产品详情 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。ADG1613具有先开后合式开关动作,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实现最小的瞬变。这些开关具有超低导通电阻特性,对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低,因而这...
发表于 02-15 18:35 11次 阅读
ADG1612 1 Ω典型导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V四路SPST开关

ADG749 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5 Ω 2:1多路复用器/单刀双掷开关,采用SC70封装

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:5Ω(典型值) 导通电阻平坦度:0.75 Ω(典型值) 汽车应用温度范围: −40°C至+125°C -3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 小型6引脚SC70封装 快速开关时间接通时间tON = 12 ns断开时间tOFF = 6 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS兼容型产品详情 ADG749是一款单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。它采用亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性,ADG749可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。接通时,ADG749的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式开关。由于采用先进的亚微米工艺,−3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG749采用6引脚SC70封装。产品聚焦1.8 V至5.5 V单电源供电。ADG749具有高性能、低导通电阻和快速开关时间,在 3 V和5 V供电时保证额定性能。.压为1.8 V时,整个温度范围内RON典型值为40 Ω。 汽车应用温度范围:−40°C至+125°C。导通电阻平坦度(RFLAT(ON)) :0.75 Ω(典型值).−3 dB带...
发表于 02-15 18:35 8次 阅读
ADG749 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5 Ω 2:1多路复用器/单刀双掷开关,采用SC70封装

ADG701L CMOS、低压、2 Ω、单刀单掷常闭(NC)开关

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 在85°C及以下可保证泄漏性能 –3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 快速开关时间接通时间tON :18 ns断开时间 tOFF: 12 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS兼容型产品详情 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关,采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外,−3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。图1和图2显示,当逻辑输入为1时,ADG701L开关闭合,ADG702L开关则断开。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。ADG701L/ADG702L提供5引脚SOT-23、6引脚SOT-23和8引脚MSOP三种封装。应用电池供电系统通信系统采样保持系统音频信号路由视频开关机械式舌簧继电器的替代产品 方框图...
发表于 02-15 18:35 10次 阅读
ADG701L CMOS、低压、2 Ω、单刀单掷常闭(NC)开关

ADG702L CMOS、低压、2 Ω、单刀单掷常开(NO)开关

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 在85°C及以下可保证泄漏性能 –3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 快速开关时间接通时间 tON :18 ns断开时间tOFF :12 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS兼容型产品详情 ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关,采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外,−3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。图1和图2显示,当逻辑输入为1时,ADG701L开关闭合,ADG702L开关则断开。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。ADG701L/ADG702L提供5引脚SOT-23、6引脚SOT-23和8引脚MSOP三种封装。应用电池供电系统通信系统采样保持系统音频信号路由视频开关机械式舌簧继电器的替代产品 方框图...
发表于 02-15 18:35 11次 阅读
ADG702L CMOS、低压、2 Ω、单刀单掷常开(NO)开关

ADG5433 高压防闩锁型三通道SPDT开关

和特点 防闩锁 8 kV HBM ESD 低导通电阻:13.5 Ω ±9 V至±22 V双电源供电 9 V至40 V单电源供电 最大额定电源电压:48 V 额定电压范围:±5V、±20V、+12V、+36V 模拟信号范围:VSS至 VDD 通过汽车应用认证 产品详情 ADG5433和ADG5434均为单芯片工业CMOS模拟开关,分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。 ADG5433(LFCSP和TSSOP封装)提供EN输入,用来使能或禁用器件。 禁用时,所有通道均关断。这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度,对于低失真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决方案。应用继电器替代方案自动测试设备数据采集仪器仪表航空电子音频和视频开关通信系统产品特色- 沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开,保证即使在严重过压状况下,也不会发生闩锁现象。- 低导通电阻RON。- 双电源供电。 对于双极性模拟信号应用,ADG5433/ADG5434可以采用最高±22 V的双电源供电。- 单电源供电。 对于单极性模拟信号应用,ADG5433/ADG5434可以采用最高40V的单电源供电。- 3 V 逻...
发表于 02-15 18:35 8次 阅读
ADG5433 高压防闩锁型三通道SPDT开关

ADG5434 高压防闩锁型四通道SPDT开关

和特点 无闩锁现象 8 kV HBM ESD额定值 低导通电阻:13.5 Ω 双电源供电:±9 V至±22 V 单电源供电:9 V至40 V 最大额定电源电压:48 V 额定电压范围:±15V、±20V、+12V、+36V 模拟信号范围:VSS至VDD产品详情 ADG5433和ADG5434均为单芯片工业CMOS模拟开关,分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。ADG5433(LFCSP和TSSOP封装)提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度,对于低失真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决方案。应用继电器替代方案自动测试设备数据采集仪器仪表航空电子音频和视频开关通信系统产品聚焦- 沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开,保证即使在严重过压状况下,也不会发生闩锁现象。- 低导通电阻 RON。- 双电源供电。对于双极性模拟信号应用,ADG5433/ADG5434可以采用最高±22 V的双电源供电。- 单电源供电。对于单极性模拟信号应用,ADG5433/ADG5434可以采用最高40V的单电源供电。- 3 V 逻辑兼容数...
发表于 02-15 18:35 12次 阅读
ADG5434 高压防闩锁型四通道SPDT开关

ADG712 CMOS、低压、2.5 Ω、四通道单刀单掷开关

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2.5 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 -3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 16引脚TSSOP/SOIC封装 快速开关时间接通时间tON: 16 ns断开时间tOFF :10 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS 兼容型产品详情 ADG712是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。ADG712提供16引脚TSSOP和16引脚SOIC两种封装。 方框图...
发表于 02-15 18:35 15次 阅读
ADG712 CMOS、低压、2.5 Ω、四通道单刀单掷开关

ADG711 CMOS、低压、2.5 Ω、四通道单刀单掷开关

和特点 单电源:1.8 V至5.5 V 导通电阻:2.5 Ω(典型值) 低导通电阻平坦度 -3 dB带宽:> 200 MHz 轨到轨工作 16引脚TSSOP/SOIC封装 快速开关时间接通时间tON :16 ns断开时间tOFF :10 ns 典型功耗:<0.01 μW TTL/CMOS 兼容型产品详情 ADG711是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。ADG711采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新一代DAC和ADC使用。同时快速开关时间和高带宽使该器件适合视频信号切换应用。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。ADG711提供16引脚TSSOP和16引脚SOIC两种封装。 方框图...
发表于 02-15 18:35 13次 阅读
ADG711 CMOS、低压、2.5 Ω、四通道单刀单掷开关

安森美:SiC、GaN助力更小电源转换系统发展

根据IHS Markit分析,由于混合动力和电动汽车,电源和太阳能逆变器主要应用市场的需求,预计20....
的头像 渔翁先生 发表于 02-15 00:09 2318次 阅读
安森美:SiC、GaN助力更小电源转换系统发展

装机电源的选择与主板SLI认证

电源是计算机的心脏,一个好的电源可以让电脑硬件更好地运行,使电脑硬件寿命更长。一台电脑CPU、显卡是....
的头像 发烧友学院 发表于 02-14 15:01 195次 阅读
装机电源的选择与主板SLI认证

基于EMS系统的功率不平衡量的实时监测与诊断设计研究

益阳电网部分变电站投运时间较长,站端自动化设备运行不稳定,测控装置死机、通信中断等造成的数据不刷新时....
的头像 集成电路应用杂志 发表于 02-14 14:48 231次 阅读
基于EMS系统的功率不平衡量的实时监测与诊断设计研究

如何制作灯泡

要想在家里制作小灯泡,那可不是很容易的。下面就让小编给大家介绍一下制作小灯泡的做法。
的头像 发烧友学院 发表于 02-14 14:45 259次 阅读
如何制作灯泡

电脑电源的历史

说起电脑PC电源的发展,应该要从计算机业界最初的硬件巨头蓝色巨人IBM说起,上世纪90年代前的AT或....
的头像 发烧友学院 发表于 02-14 14:02 181次 阅读
电脑电源的历史

开关电源高频磁性元件设计中8种常见的错误概念

很多电源设计者在设计高频磁性元件时,往往把绕组中的电流密度大小视为优化设计的标准。其实优化设计与绕组....
的头像 贸泽电子设计圈 发表于 02-14 10:01 1197次 阅读
开关电源高频磁性元件设计中8种常见的错误概念

PCB设计如何影响电源EMC性能?

对于高电压产品必须要考虑到线间距。能满足相应安规要求的间距当然最好,但很多时候对于不需要认证,或没法....
的头像 ZLG致远电子 发表于 02-12 09:56 924次 阅读
PCB设计如何影响电源EMC性能?

两米长的EZ-Lindenblad波天线的详细资料说明

Lindenblad是一种圆极化但具有全向辐射模式的天线。由于它的大部分增益在低仰角,它是访问近地轨....
发表于 02-12 08:00 36次 阅读
两米长的EZ-Lindenblad波天线的详细资料说明

Dialog汽车级电源管理产品符合可靠性要求

移动技术与汽车的持续融合,意味着车载信息娱乐系统正在快速演变为结合娱乐、3D导航和驾驶员安全信息的平....
的头像 Dialog半导体公司 发表于 02-11 17:06 695次 阅读
Dialog汽车级电源管理产品符合可靠性要求

关灯后灯泡一闪一闪的常见原因是什么

正常的开关是控制火线的通断从而控制灯泡的亮灭,关灯后,整个灯泡回路是火线切断了,灯泡另一端只剩下零线....
的头像 工控资料窝 发表于 02-11 16:42 503次 阅读
关灯后灯泡一闪一闪的常见原因是什么

一款拥有4条大长腿的汽车——Elevate行走概念车

现代汽车公司表示,Elevate概念车是第一款终极机动车(UMV)。它是电动汽车和机器人的混合技术,....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-11 15:41 391次 阅读
一款拥有4条大长腿的汽车——Elevate行走概念车

苹果在中国的辉煌岁月已经结束?

但是现在,就在对方的 FaceTime 未接通的时候,通话在 iPhone 中自动接通。甚至,你想点....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-11 14:06 1901次 阅读
苹果在中国的辉煌岁月已经结束?

国际充电标准制定协会引入新成员,是德科技能为充电标准带来什么?

是德科技公司(Keysight Technologies, Inc.)成为了国际充电标准制定协会( ....
发表于 02-05 17:50 80次 阅读
国际充电标准制定协会引入新成员,是德科技能为充电标准带来什么?

电磁阀应该如何选型?为了延长电磁阀寿命,又该如何保养维护呢?

有常闭型和常开型二种。常闭型断电时呈关闭状态,当线圈通电时产生电磁力,使动铁芯克服弹簧力同静铁芯吸合....
的头像 工控资料窝 发表于 02-04 10:23 251次 阅读
电磁阀应该如何选型?为了延长电磁阀寿命,又该如何保养维护呢?

低压配电系统IT、TT和TN接地方式的详细图文详解分析

仪表人对仪表接地并不陌生,在本文讲讲低压配电IT系统、TT系统、TN系统的接地方式。这三种接地方式容....
的头像 工控资料窝 发表于 02-03 12:53 339次 阅读
低压配电系统IT、TT和TN接地方式的详细图文详解分析

电气工程师必须知道的40个知识点问答

1、计算机构成保护与原有继电保护有何区别? 主要区别在于原有的保护输入是电流、电压信号,直接在模拟....
的头像 工控资料窝 发表于 02-03 12:41 416次 阅读
电气工程师必须知道的40个知识点问答

PCB设计教程之电源PCB设计的详细资料分析

各位电子工程师想必都知道,设计时,PCB设计占据很重要的地位。以电源为例,PCB设计会直接影响电源的....
的头像 周立功单片机 发表于 02-03 10:31 425次 阅读
PCB设计教程之电源PCB设计的详细资料分析

POE电源神秘的供电方式

我们传统的电话机,没有接电源线,只外接了一根电话线,但是黑白屏一样能正常显示,蜂鸣器的叫声两里开外都....
的头像 EDA设计智汇馆 发表于 02-02 17:03 675次 阅读
POE电源神秘的供电方式

灯具产品骚扰电压测试方案与整改策略

通过人工电源网络检测出被测样品(EUT)的传导性电压骚扰信号,耦合接收到接收机来测量频率与电压骚扰强....
的头像 韬略科技EMC 发表于 02-02 16:53 202次 阅读
灯具产品骚扰电压测试方案与整改策略

控制变压器的两进两出解故障

想必很多电工都会有这样的想法吧?听说有的人还利用上班时间溜出去干私活。哈哈,这我倒是不敢,不过在干私....
的头像 刘某 发表于 01-31 16:47 373次 阅读
控制变压器的两进两出解故障

S7-400PLC的电源电池相关介绍

S7-400CPU使用的是锂电池(锂/亚硫酰氯)。锂电池在长期放置的情况下会生成钝化膜,处于自保护和....
的头像 刘某 发表于 01-31 14:32 418次 阅读
S7-400PLC的电源电池相关介绍

详细分析BUCK电源的参数计算

此时系统的功耗会猛一下窜到很高,低功耗(电流)的平衡被打破,需要重新调整到高功耗的平衡。
的头像 EDA365 发表于 01-30 09:40 586次 阅读
详细分析BUCK电源的参数计算

电子膨胀阀故障判断

在说好坏之前小编先说说电子膨胀阀的工作原理:它的作用就是用一个特殊的步进电机驱动阀芯,调节制冷剂流量....
的头像 发烧友学院 发表于 01-29 14:05 222次 阅读
电子膨胀阀故障判断

电荷泵电路设计的电子书免费下载

电荷泵在不同系统(特别是含有非易失性存储器的系统)中使用的纳米代芯片的新时代得到了越来越多的关注和新....
发表于 01-29 08:00 151次 阅读
电荷泵电路设计的电子书免费下载

电磁炉怎么用

电磁炉怎么用?将锅具放置在电磁灶黑色微晶面板上,将火力调节器滑动至“OFF”位置。
的头像 发烧友学院 发表于 01-28 16:14 440次 阅读
电磁炉怎么用

探析高频电子变压器及其发展趋势

什么是高频电子变压器?有一个准确的定义,就是工作频率高的电子变压器,一般工作频率高于20kHz,就是....
的头像 张飞实战电子 发表于 01-28 11:04 879次 阅读
探析高频电子变压器及其发展趋势

如何选择合适的MCU和电源让你的嵌入式电路设计更高效

1、MCU的选择选择 MCU 时要考虑 MCU 所能够完成的功能、MCU 的价格、功耗、供电电压、I....
的头像 玩转单片机 发表于 01-27 11:40 1010次 阅读
如何选择合适的MCU和电源让你的嵌入式电路设计更高效

巧用RC吸收电路降低开关管损耗

开关电源设计中,我们常常使用到一个电阻串联一个电容构成的RC电路, RC电路性能会直接影响到产品性能....
的头像 独爱72H 发表于 01-26 09:58 423次 阅读
巧用RC吸收电路降低开关管损耗

LED驱动领域的后起之秀 比尔达为何会有如此自信

众所周知,诸多电源企业正处于“水深火热”之中,在产品价格下行、原材料不断涨价的情形下,不少电源企业开....
的头像 高工LED 发表于 01-25 16:32 618次 阅读
LED驱动领域的后起之秀 比尔达为何会有如此自信

双电压底板转换部分电路原理图免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是焊机维修资料焊机的双电压底板转换部分电路原理图免费下载此图为一种双电压底....
发表于 01-25 08:00 185次 阅读
双电压底板转换部分电路原理图免费下载

图表细说元器件及实用电路 电子书免费下载

《图表细说元器件及实用电路》(超值版)详细介绍了电子元器件基础知识及其实用电路的分析方法,内容包括电....
发表于 01-24 13:38 239次 阅读
图表细说元器件及实用电路 电子书免费下载

汽车高压包的作用

汽车高压包其实就是汽车点火圈,点火线圈简单的解释就是让火花塞能够“产生火花”,点燃汽缸内混合气体的那....
的头像 发烧友学院 发表于 01-23 14:44 253次 阅读
汽车高压包的作用

LTC2937简化了电源系统排序和监察

通过 LTC2937 的自主故障响应行为以及调试寄存器,可控制、查看和管理电源故障。LTC2937 ....
的头像 Excelpoint世健 发表于 01-22 13:34 1378次 阅读
LTC2937简化了电源系统排序和监察

模组化电源有什么好

模组电源,是指某个电源包含若干个具有独立供电功用的模组单元。实践上,模组化电源源自效劳器范畴,或许说....
的头像 陈翠 发表于 01-21 17:32 519次 阅读
模组化电源有什么好

42LG50FR—LG液晶电视维修指南资料免费下载

显示器内有对安全很重要的特殊元件,在原理图和替代元件清单中这些元件用△标出。必须用制造商指定的文件来....
发表于 01-21 08:00 102次 阅读
42LG50FR—LG液晶电视维修指南资料免费下载

基于TI微控制器的分立式旋转变压器前端的特征与应用

大联大世平推出基于TI C2000微控制器且精度为±0.1°的分立式旋转变压器前端参考设计。该参考设....
发表于 01-20 11:27 122次 阅读
基于TI微控制器的分立式旋转变压器前端的特征与应用

降压变压器可以升压吗

首先需要了解一下变压器的特点。变压器是一种常见的电气设备,可用来把某一数值的交变电压变换为同频率的另....
的头像 发烧友学院 发表于 01-18 15:49 677次 阅读
降压变压器可以升压吗

降压变压器的工作原理

降压变压器是把指输入端的较高电压,转换为输出相对偏低的理想电压,从而达到降压的目的变压器。 降压变压....
的头像 发烧友学院 发表于 01-18 15:44 742次 阅读
降压变压器的工作原理

高频变压器电路的波形参数分析

令一次绕组 的有效值 电压为 U1,一次绕组的匝数为NP, 所选磁心的交流磁通密度为BAC,磁通量为....
的头像 张飞实战电子 发表于 01-17 15:19 474次 阅读
高频变压器电路的波形参数分析

用纸板做一台自动咖啡机

平时上班加班的时候会感觉一些疲累,这时候,你就需要一杯热咖啡来提高你的集中力了,而很多时候咖啡机都是....
的头像 发烧友学院 发表于 01-17 15:13 423次 阅读
用纸板做一台自动咖啡机

电磁干扰的存在方式,电磁干扰对设备工作的影响

EMI有两条途径离开或进入一个电路:辐射和传导信号辐射是通过外壳的缝、槽、开孔或其他缺口泄漏出去;而....
的头像 电磁兼容EMC 发表于 01-17 10:34 795次 阅读
电磁干扰的存在方式,电磁干扰对设备工作的影响

电子元器件入门教程基础知识资料免费下载

本文介绍了运算放大器的一些很基本的原理以及一些很简单的应用,原理涉及到运放的组成,性能指标,特性,然....
发表于 01-16 17:18 302次 阅读
电子元器件入门教程基础知识资料免费下载

酷冷至尊V系列升级为VGold金牌系列实现全面加强

CES 2019期间,机电大厂酷冷至尊发布了一系列新品,其中电源除了顶级的V Platinum白金系....
发表于 01-16 15:26 248次 阅读
酷冷至尊V系列升级为VGold金牌系列实现全面加强