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集肤效应、邻近效应、边缘效应与涡流损耗的原理及作用区别

电子设计 2018-10-10 08:23 次阅读

1.集肤效应

1.1集肤效应的原理

图1.1表示了集肤效应的产生过程。图中给出的是载流导体纵向的剖面图,当导体流过电流(如图中箭头方向)时,由右手螺旋法则可知,产生的感应磁动势为逆时针方向,产生进入和离开剖面的磁力线。如果导体中的电流增加,则由于电磁感应效应,导体中产生如图所示方向的涡流。由图可知:涡流的方向加大了导体表面的电流,抵消了中心线电流,这样作用的结果是电流向导体表面聚集,故称为集肤效应。在此引进一个集肤深度〈skin depth〉的概念,此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度大小的1/e倍:

一般用集肤深度Δ来表示集肤效应,其表达式为:

集肤效应、邻近效应、边缘效应与涡流损耗的原理及作用区别

其中:γ为导体的电导率,μ为导体的磁导率,f为工作频率。

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图1.1.集肤效应产生过程示意图

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图1.2.高频导体电路密度分布图

高频时的导体电流密度分布情形,大致如图1.2所示,由表面向中心处的电流密度逐渐减小。

由上图及式1.1可知,当频率愈高时,临界深度将会愈小,结果造成等效阻值上升。因此在高频时,电阻大小随着频率而变的情形,就必须加以考虑进去。

1.2影响及应用

在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外,为了削弱趋肤效应,在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线,这种多股线束称为辫线。在工业应用方面,利用趋肤效应可以对金属进行表面淬火。

考虑到交流电的集肤效应,为了有效地利用导体材料和便于散热,发电厂的大电流母线常做成槽形或菱形母线;另外,在高压输配电线路中,利用钢芯铝绞线代替铝绞线,这样既节省了铝导线,又增加了导线的机械强度,这些都是利用了集肤效应这个原理。

集肤效应是在讯号线里最基本的失真作用过程之一,也有可能是最容意被忽略误解的。与一般讯号线的夸大宣传所言,集肤效应并不会改变所有的高频讯号,并且不会造成任何相关动能的损失。正好相反,集肤效应会因传导体的不同成分,在传递高频讯号时有不连贯的现象。同样地,在陈旧的线束传导体上,集肤效应助长讯号电流在多条线束上的交互跳动,对于声音造成刺耳的记号。

2.邻近效应

图2.1表示了邻近效应的产生过程。A、B两导体流过相同方向的电流IA和IB,当电流按图中箭头方向突增时,导体A产生的突变磁通ΦA-B在导体B中产生涡流,使其下表面的电流增大,上表面的电流减少。同样导体B产生的突变磁通ΦB-A在导体A中产生涡流,使其上表面的电流增大,下表面的电流减少。这个现象就是导体之间的邻近效应。
当流过导体的电流相同,导体之间的距离一定时,如果导体之间的相对面积不同,邻近效应使得导体有效截面面积不同。研究表明:导体的相对面积越大则导体有效截面越大,损耗相对较小。

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图2.1.临近效应产生过程示意图

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图2.2.临近效应示意图

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图2.3. 一轴对称模型在频率为20KHz时电流密度的分布图

临近效应与集肤效应是共存的。集肤效应是电流主要集中在导体表面附近,但是沿着导体圆周的电流分布还是均匀的。如果另一根载有反向交流电流的圆柱导体与其相邻,其结果使电流不再对称地分布在导体中,而是比较集中在两导体相对的内侧,形成这种分布的原因可以从电磁场的观点来理解。电源能量主要通过两线之间的空间以电磁波的形式传送给负载,导线内部的电流密度分布与空间的电磁波分布密切相关,两线相对内侧处电磁波能量密度大,传入导线的功率大,故电流密度也较大。如果两导线载有相同方向的交变电流,则情况相反,在两线相对外侧处的电流密度大。

3.导体的边缘效应

Dowall提出了计算两绕组变压器绕组交流电阻的方法,此方法先将圆导体转化为方形,并作如下假设:

①磁场被假定为一维变量,垂直于导体的分量被忽略,并且总磁场强度在每个导体层中为常量;

②绕组被假定为无限长片状导体的一部分,电流密度沿每层导体截面是常数,导体边缘效应被忽略;

③假定磁芯不存在,线圈在整个磁芯宽度方向上均匀分布;

④流过绕组的电压和电流均为正弦波,且线圈无开路。

后来的研究者们对此方法提出了一些修正。事实上,导体的边缘效应对磁性元件的损耗和漏感等有较大的影响。绕组的边缘效应会造成由上述假定所限定的一维绕组损耗计算方法所不能计算的额外损耗。在不同的工作频率下,绕组之间距离不同,造成的交流电阻和漏感不同,对于一个指定的频率,存在一个最佳的距离使得绕组交流电阻最小;绕组在磁芯窗口中的位置对绕组参数也有一定的影响;对于高频变压器,原副边绕组的宽度与绕组损耗和能量的存储也有很大关系:原副边绕组宽度相同时高频变压器可以获得最小的交流电阻和漏感。有关学者对这种边缘效应进行了详细的研究,使用二维有限元仿真软件,通过对磁场分布和电流分布进行分析证明了绕组边缘效应对绕组损耗和漏感的影响。

因为有限元分析方法对每个设计方案都要单独求解,因此不能提供一般的结论,Soft Switching Technologies Corporation的Nasser H.Kutkut对传统的一维绕组损耗计算方法进行了改进,通过在Dowell方法分析结果上添加一些修正因数,则可以将二维的边缘效应考虑进去。使用二维有限元的方法分析绕组的边缘效应损耗,通过研究几何因素如绕组间距、位置等对磁场分布和电流分布的影响,进而得出几何因素对绕组损耗的影响,得出了一系列的绕组优化原则。

在大电流时,铜带的使用是比较常见的,但是铜带使用时会出现较明显的绕组边缘效应,电流变成了不均匀分布的形式,可以想象二维场效应是比较严重的。

在分析铜带绕组的二维边缘效应之前,先做一定的假设:

①假定电流集中在一个趋肤深度内。当铜带导体的厚度是当前工作频率对应的趋肤深度的若干倍时,这一点是成立的。

②假定电流密度沿着铜带导体表面是Js,则铜带厚度方向上电流密度的分布满足式(3.1):

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n表示铜带从表面深入到内部的深度,k为结构系数。

在高频的情况下,趋肤深度非常小,导体表面的磁场接近线性磁场,这种情况下,导体表面的电流分布类似于在标量电势作用下的导体表面的静电荷分布,方形铜带问题的分析就可以简化为与之等截面积的椭圆状铜带导体的分析,方形铜带导体和椭圆形铜带导体的截面关系如图3.1所示。

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图3.1.铜带的椭圆近似模型分析

使用这种假设条件,则可以得到沿着铜带的电流密度分布为式(3.2)所示:

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由式(3.2)可以看出,当x=b或者x=-b时电流密度Js最大。

即铜带在导体的边缘处达到最大值,从磁场分布的角度来看,在铜带导体的边缘处由于边缘效应,磁场垂直于导体的分量会很大,这样就导致了这个磁场分量对铜带导体的切割,铜带绕组的涡流损耗会增大,同时导体边缘处的强磁场会导致电流密度的显著增大。电流分布是在边缘处很强,中间较为平均,由于边缘处受强磁场的吸引,显示高的电流密度,这种电流密度在端部的重新分布增加了导体的交流电阻,其结果比一维分析的要大很多。通过优化铜带边缘的场分布,可以减小边缘处的磁场垂直分量,这样可以改善铜带导体电流密度的分布,减小绕组高频损耗。具体方法是在铜带边缘处使用高磁导率磁芯,减小磁路磁阻,这样就会降低了铜带端部的磁场,减小了端部的电流分布,绕组损耗将会降低,但是需要特殊的磁芯工艺。

4.绕组涡流损耗

对于高频变压器,因为存在原边和副边绕组,所以可以通过绕组交错布置的方式小绕组的漏感和涡流损耗。在绕组交错布置时,因为原、副边绕组的磁势是相反的,此会存在一个去磁效应,磁芯窗口中的磁势会有一定的减小,漏磁场和高频时漏磁场成的导体涡流损耗也会比较小。

对于高频电感而言,它只有一个绕组,磁路中的气隙磁势和绕组的磁势平衡,在窗口中没有其它绕组的磁势可以和电感绕组的磁势相平衡产生去磁效应,因此电感磁芯窗口中的磁势较大,磁场较强。

通过分析可以发现,电感中的磁通主要分为以下几个部分:

①主磁路磁通。这部分磁通是流通在电感磁芯中的磁通,它不会在磁芯窗口中出现,因此它不会切割导体,也不会产生导体损耗。

②气隙边缘磁通,即扩散磁通。这部分磁通是由于气隙磁势而产生,它在磁芯窗口中出现,在高频时会切割窗口中的导体造成涡流损耗。

③旁路磁通。这部分磁通不是由于气隙磁势而产生,而是由于相邻磁芯柱之间的磁势差而产生,当气隙较小时,旁路磁通在窗口磁通中占较大比例。

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图4.1. 磁通分布图

4.1旁路磁通损耗

旁路磁通通过磁芯窗口跨过相邻的磁芯柱,在绕组上产生大量的涡流和损耗,气隙的边缘磁通是由于跨过气隙的磁势造成的,而旁路磁通是由于相邻磁芯柱间的磁势差异造成,沿着磁芯柱窗口的磁势分布取决于载流绕组和气隙的位置。沿着磁芯柱磁势随着载流绕组安匝增大而增加,随着跨过气隙而降低。通过做出如下一维假设,可以对旁路磁通作一定的分析。

1.假定磁芯磁导率是无穷的,磁场进入磁芯窗口是垂直于磁芯表面的。

2.绕组添满整个磁芯窗口宽度,绕组边缘效应很小,可忽略。

3.对圆导体进行一维等效,变成一片方导体,使用等效厚度和等效电导率,磁场在磁芯窗口中平行于导体表面,属一维分布。

4.气隙可认为很小,边缘磁通很小,对旁路磁通影响很小,然而无论气隙多么小,边缘磁通都存在,因为气隙磁势是存在的。

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图4.1.1 Dowell绕组损耗分析模型

如图4.1.1所示为磁芯窗口中的第m层铜带绕组,其上、下表面的磁场强度分别Hm1和Hm2,则这层铜带绕组的电流分布和绕组损耗可以通过Dowell方程得出,如式(4.1.1)所示:

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式中f是工作频率,σeq是铜带的等效电导率,μ是绕组的磁导率,Aeq和W是等效铜带的厚度和宽度。总的旁路磁通绕组损耗可以通过求和得出,如式(2.1.3)所示:

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通过用一维的方式分析旁路磁通可知:绕组的电流密度与沿导体的磁场强度密切相关,不同的气隙位置导致不同的窗口磁势,因此沿导体的磁场强度会有较大的不同,沿导体的电流密度分布也会有较大的不同。

旁路磁通的大小是与磁芯高度方向上的平均磁压降密切相关的。当气隙处于中间与两端时,磁压分布如下图所示:

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图4.1.2 EI型(a)和EE(b)型磁芯电感窗口磁势分布

图a中的平均磁压降为IN/2,b为IN/4。

假定旁路磁通与底边平行,又由于B=dU*u0/w,可知,a中的磁密必定大于b中的磁密,磁场方向与线圈垂直。
下面是损耗与平均磁压降的关系:

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图4.1.3 损耗随平均磁压降变化图

由图可看出磁压降越低,损耗越低。
由此,如果我们可以将磁压降降得更低,就可得到损耗更低的电感!

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图4.1.4 磁压降与气隙位置的关系

由于它将气隙交错布置,使磁压降在高度方向上出现二次转折,仅为IN/8。它的损耗比起气隙居中者可再下降约50%。

因此我们可以知道在电感磁势一定的情况下,EE磁芯窗口中的最大磁势是EI磁芯的一半。磁芯窗口中的最大磁势的减小,有助于减小旁路磁通,进而旁路磁通造成的导体涡流损耗也会减小,所以在选择磁芯时应该引起注意,利用交错气隙可以减少磁芯窗口内的旁路磁通。

4.2扩散磁通损耗

滤波电感工作时输入的电流波形是一个直流分量叠加一个开关频率的纹波,因此在设计电感时为了在磁芯中瞬间存储能量,磁路中需要有一个较大的磁势,因此一般都需要添加气隙。在磁路设计时,因为磁芯(比如铁氧体)和磁绝缘物质(比如空气)之间的磁导率比例系数大约为10^3,因此磁通在磁路中并非完全限制在磁芯中,气隙的存在会使这部分散落在空气中的磁通增加。

在含有气隙的电感中,绕组的磁势和气隙的磁势是平衡的,因为绕组的磁势较大,所以气隙的磁势也较大,而且由于气隙和磁芯的磁导率的差异相对较大,磁势主要降落在气隙上面。绕组磁势和气隙磁势的相对位置的不同会导致不同的气隙边缘磁场分布。

高频电感中气隙的添加方式主要有以下几种:

①采用只在中心柱中添加单气隙的方式。这种方法在磁芯窗口中产生的边缘磁通较大,高频时边缘磁通切割绕组导体,在导体上会产生很大的边缘磁通损耗。由于气隙磁势和整个线圈的安匝数相同,因此单气隙周围的磁场会很强,磁芯窗口中的磁场的二维效应特别严重,尤其是气隙附近。

②采用在三个磁芯柱上都添加气隙的方式。在磁路气隙长度一定的情况下,这种方法由于减小了气隙的尺寸,即每个磁芯柱上气隙长度是中柱单气隙的一半,因此每个气隙的磁势是整个线圈安匝数的一半,气隙磁势的降低大大减小了气隙的边缘磁通,因此边缘磁通在导体上造成的损耗会有较大减小,但是这种方式会造成较大的外部散漏磁场,这部分磁场虽然不会造成电感的额外涡流损耗,但是会对周围器件产生一定的电磁干扰。

③采用分布式气隙的方式,即将中柱的大气隙分割成若干个小气隙,而气隙总长度不变的方式。这种方式会减小气隙边缘磁通,从而对减小电感的涡流损耗有益,但此种磁芯需要特殊加工。

④采用均匀分布式气隙。即磁芯中柱使用低磁导率材料,相当于气隙均匀分布在磁芯中,减小了气隙边缘磁通,但是这种方式磁芯需要特殊加工,低磁导率材料在高频时磁芯损耗会比较大,但是这种方式可减小导体的涡流损耗
图4.2.1所示为三种不同的电感气隙布置方式对边缘磁通分布的影响。气隙放置在中柱上时的磁通分布如图4.2.1 (a)所示,等效气隙放置在中柱和外侧柱时的磁通分布如图4.2.1 (b)所示,磁芯中柱用均匀分布气隙磁芯代替时的磁通分布如图4.2.1 (c)所示,由图可知,4.2.1 (a)中边缘磁场范围较大,4.2.1 (b)中气隙尺寸减小后,边缘磁场范围减小了一些,4.2.1 (c)中的边缘磁场最小。在4.2.1 (c)中由于气隙和绕组的长度基本相同,因此二者磁势的空间分布的不平衡因素最小,使得这种情况下的气隙边缘磁场最弱,窗口磁场的分量基本上是平行于导体的一维分布,类似于变压器中的漏磁场。

在导体中流过高频电流时,气隙边缘磁场也是高频交变的,因此它会在导体中产生很大的涡流损耗,用有限元方法对此分析非常方便。当采用4.2.1(a)中的气隙分布时漏在空气中的磁场较小;而4.2.1 (b)中的散落在空气中的外部磁场较大,对外界电磁污染较大; 4.2.1 (c)中气隙边缘磁场和外部磁场都比较小,使用时应该根据实际要求折衷考虑。

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图4.2.1 气隙处于的三种不同位置的电感

我们以气隙至磁芯顶部的距离与磁芯中柱高度之比(hg/h)为变量,可得出气隙在不同位置时电感器损耗变化图如下:

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图4.2.1 损耗随气隙位置变化图

由此图可知,气隙在中间时损耗最小,在两端时损耗最大,差别可达100%。这也就是我们通常EE Core用得比EI Core多的一个原因。

扩散磁通与气隙形状有关,与位置关系不大,当然当它在两端时由于磁路长度发生一定变化,还是有所变化的。
减小气隙边缘磁通的方法主要有以下几种:

①通过使导体远离气隙,保持导体和气隙之间有一定的距离来减小气隙边缘磁通的影响,但是磁芯窗口宽度是很有限的,这样做会减小磁芯窗口的利用率。

②将绕组导体放置在磁芯窗口中一个固定的区域中,而这个区域边缘磁通很小,这种方式同样可以减小气隙边缘磁通造成的导体涡流损耗,但是这种方式增加了绕线的复杂性。

③采用分布式气隙或均匀分布气隙。因为在气隙总长度不变的情况下,每个气隙的尺寸得以减小,这种方式可以在很大程度上减小气隙边缘磁通,它附近导体的涡流损耗会有较大的改善,但是这种方式的磁芯需要特殊的加工,比较复杂。同时增加太多的小气隙,对减少绕组的损耗不一定明显。

磁芯和绕组参数同图4.2.2(a)和表1中的三种方案。气隙布置在3个磁芯柱上,每个磁芯柱上的气隙总长为0.6mm,拆分成的小气隙在磁柱上均匀分布,图4.2.5为每个磁柱上6个分布小气隙的示意图。当电感绕组中通过幅值为1A,频率为300kHz的正弦电流时,用Ansoft Maxwell 2D 电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗随小气隙个数的变化趋势如图4.2.6所示。

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图4.2.2 (a)铜箔绕组结构图(b)漆包线绕组结构图

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图4.2.3 漆包线绕组和铜箔绕组的磁通分布图

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图4.2.4 绕组损耗随气隙间磁柱长度变化的关系图

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图4.2.5 多气隙结构图

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图4.2.6 绕组损耗与分布气隙个数的关系图

对图4.2.6所示的结果进行分析,刚开始增加气隙的个数,能大大减少绕组的损耗。但气隙的个数增加到6到7个气隙以后,再增加气隙的个数对绕组损耗影响不大。

在方案1中当磁柱上为一个集中气隙时,气隙长度为0.6mm,绕组距磁芯边柱的距离为0.45mm,即绕组距边柱为0.75个气隙长度。当磁柱上为两个小气隙时,气隙长度为0.3mm,绕组距边柱为2个小气隙的距离,从图4.2.6可见此时增加气隙能大大减少绕组的损耗。当磁柱上为4个气隙时,小气隙长度为0.15mm,绕组距边柱为3个小气隙长度,以后再增加气隙的个数,绕组损耗的减少就不多了,当气隙增加到6个时,小气隙长度为0.1mm,绕组距边柱为4.5个小气隙长度,以后再增加气隙的个数,绕组损耗的减少就不明显了。这和绕组应避开气隙3个气隙长度的距离是一致的。因为再增加绕组避开气隙的距离,气隙附近的扩散磁通对绕组的损耗影响就较小了。根据上面的分析,当绕组距气隙的距离增大时,所需的小气隙个数应该减少。在方案2中绕组距气隙的距离为0.65mm,用AnsoftMaxwell 2D 电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗如图4.2.6所示。可见比方案1可用较少的气隙个数。在方案3中绕组距气隙的距离为0.85mm,用AnsoftMaxwell 2D 电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗如图4.2.6所示,可见比方案2可用较少的气隙个数。

根据前面的分析,为了减少绕组损耗,小气隙的个数应增加到使绕组距气隙的距离大于3个小气隙。但没有必要增加气隙的个数使绕组距气隙的距离大于5个小气隙的距离,因为此时再增加气隙个数对绕组损耗影响很小。

由以上分析可以得到以下结论:

1) 高频磁件绕组的交叉换位技术能够有效降低绕组的交流电阻和漏感;

2) 绕组层间距对交流电阻的影响与磁件的结构有关;

3) 采用分布气隙可以有效降低气隙扩散磁通的影响, 另外变换气隙的位置及绕组相对气隙的形状, 也可以减小绕组的交流电阻。

4) 气隙设在磁芯窗口的拐角处或其附近,使扩散磁通更容易深入到磁芯窗口内,易导致绕组损耗增加。分别由漆包线和铜箔构成的绕组,电感气隙位置对磁芯窗口内旁路磁通的影响是不同的,最终导致对电感绕组损耗影响的不同。

5) 采用分布小气隙代替集中的大气隙时,当气隙间的磁柱长度约为5个气隙长度左右时,气隙之间的影响较小。

采用较多的分布小气隙代替集中气隙时,小气隙的个数应增加到使绕组距气隙的距离大于3个小气隙。但没有必要增加气隙的个数使绕组距气隙的距离大于5个小气隙,因为此时再增加气隙个数对绕组损耗影响很小。

小结

对磁性元件的绕组进行合理设计, 能够有效地提高磁性元件性能,但是磁性元件的设计是一个复杂的综合过程, 包含非常多的内容, 需要整体、系统地考虑各种因素。

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为了满足FPGA的电源要求

交流接触器的连接关系

交流接触器的动作动力来源于交流电磁铁,电磁铁由两个“山”字形的幼硅钢片叠成,其中一个固定,在上面套上....
发表于 06-24 17:01 35次 阅读
交流接触器的连接关系

变压器铁芯出现故障怎么办?

变压器的绕组和铁芯是传递、变换电磁能量的主要部件,保证它们的可*运行是人们所关注的问题。
的头像 电力讲坛 发表于 06-24 16:25 78次 阅读
变压器铁芯出现故障怎么办?

隔离型内务处理反激式转换器助力电源设计

隔离型内务处理反激式转换器简化电源设计
发表于 06-24 14:06 16次 阅读
隔离型内务处理反激式转换器助力电源设计

固态继电器过零触发功能

光耦触发是最常用的,但其并不是真正的过零,离零点约有三十伏的电压偏差,对于380V的电压,可以忽略了....
发表于 06-24 14:05 40次 阅读
固态继电器过零触发功能

ADS1258测量方波信号上带有300mv以上直流差分偏置电压时,方波信号噪声大

我最近使用ADS1258作为心电信号采集芯片,ADS1258使用单电源+5V供电,ADS1258的电路如图 ADS1258使用运放缓冲信号...
发表于 06-24 14:04 188次 阅读
ADS1258测量方波信号上带有300mv以上直流差分偏置电压时,方波信号噪声大

用于ATX电源的350W 387V AC至DC单输出电源参考设计

RD-316,用于ATX电源的350W,387V AC至DC单输出电源的参考设计。 PFC控制器FAN6982 -350W ATX PC电源...
发表于 06-24 12:03 93次 阅读
用于ATX电源的350W 387V AC至DC单输出电源参考设计

用于ATX电源的300W -12V 3.3V 5V 12V AC至DC多输出电源

RD-268,用于ATX电源的300W,-12V,3.3V,5V,12V AC至DC多输出电源的参考设计。 PFC和PWM组合控制器30...
发表于 06-24 11:52 64次 阅读
用于ATX电源的300W -12V 3.3V 5V 12V AC至DC多输出电源

三种帮助高频亥姆霍兹线圈产生强磁场的技术

诸如磁场感应、校准和科学实验的许多应用都经常用高频亥姆霍兹线圈来产生均匀但随时间变化的高频磁场。产生这样的磁场需要用到高...
发表于 06-24 08:16 212次 阅读
三种帮助高频亥姆霍兹线圈产生强磁场的技术

开关电源变压器的计算方法与设计步骤等资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是开关电源变压器的计算方法与设计步骤等资料合集免费下载包括了:1.前言,2....
发表于 06-24 08:00 38次 阅读
开关电源变压器的计算方法与设计步骤等资料合集免费下载

开关电源设计指南第二版PDF电子书免费下载

《开关电源设计指南》由机械工业出版社出版。本书是一本介绍开关电源理论与工程设计相结合的工具书,介绍了....
发表于 06-24 08:00 45次 阅读
开关电源设计指南第二版PDF电子书免费下载

DC/DC电源保持系统解决方案

用于数据备份和保存之电源保持的快速入门指南...
发表于 06-24 06:54 14次 阅读
DC/DC电源保持系统解决方案

传感器怎么选择

通常的电流传感器、互感器是把大电流转换为同频同相的小电流以便于测量或实现隔离。根据不同的变换原理,一般有基于电磁感应原理...
发表于 06-24 05:00 16次 阅读
传感器怎么选择

图表细说电子工程师识图速成手册PDF电子书免费下载

《图表细说电子工程师识图速成手册》是《图表细说电子工程师速成手册》的续篇,主要适合有一定基础的读者,....
发表于 06-21 16:12 50次 阅读
图表细说电子工程师识图速成手册PDF电子书免费下载

振华科技推出全新半自动散热电源系列 起售价约合人民币700元

近日,据外媒报道,Super Flower(振华科技)推出了也款全新的半自动散热电源系列——Supe....
发表于 06-21 15:45 57次 阅读
振华科技推出全新半自动散热电源系列 起售价约合人民币700元

使用无源延迟网络简化电源时序控制

电源时序控制是微控制器、FPGA、DSP、ADC 和其他需要多个电压轨供电的器件所必需的一项功能。
的头像 电机控制设计加油站 发表于 06-21 15:44 181次 阅读
使用无源延迟网络简化电源时序控制

示差折光检测器的原理及注意事项说明

示差折光检测器是一种通用型检测器,它可与输液泵,色谱柱,进样器等组成凝胶渗透色谱仪或高效液相色谱仪系....
的头像 牵手一起梦 发表于 06-21 15:22 231次 阅读
示差折光检测器的原理及注意事项说明

进行直流稳压电源设计的资料总结

可以说,有电器的地方就有电源。所有的电子设备都离不开可靠的电源为其供电。现代电子设备中的电路使用了大....
发表于 06-21 15:18 49次 阅读
进行直流稳压电源设计的资料总结

高端适配器和低端低端适配器区怎么区分?

市场上的电源适配器有很多种,同样功率的电源产品,价格有时能相差几十元之多。
的头像 茂捷半导体 发表于 06-21 11:18 252次 阅读
高端适配器和低端低端适配器区怎么区分?

产业链日渐成熟 驱动LED显示步入“共阴时代”

自今年年初的行业展会上部分LED显示屏厂家推出共阴供电技术的LED显示屏产品后,节能75%的卓越性能....
的头像 LED显示渠道 发表于 06-21 10:08 221次 阅读
产业链日渐成熟 驱动LED显示步入“共阴时代”

继电器的识别与检测

检测继电器线圈:将万用表调至“R*100”“或R*1K”档,两表笔(不分正负)接继电器的两引脚,万用....
发表于 06-21 09:28 255次 阅读
继电器的识别与检测

继电器的作用及触点故障处理方法 

继电器能够产生吸合动作的最小电流。在正常使用时,给定的电流必须略大于吸合电流,这样继电器才能稳定地工....
发表于 06-21 09:19 106次 阅读
继电器的作用及触点故障处理方法 

继电器电路故障

继电器在检查的时候,首先可以直接短接继电器的触点。短接之后如果油泵能工作,说明87-30-130-1....
发表于 06-21 08:53 101次 阅读
继电器电路故障

伺服变压器的选型

根据变压器所接负载的功率确定,一般后面是驱动和电机,电压根据驱动来提供,驱动的电流是根据电机来确定的....
的头像 发烧友学院 发表于 06-20 16:21 159次 阅读
伺服变压器的选型

感应加热应用领域

感应加热是一项先进的技术,在工件的热处理方面,感应加热炉适合毛坯形状简单、品种少、产量大的产品零件生....
发表于 06-20 14:59 61次 阅读
感应加热应用领域

电源的回馈控制回路有什么作用?

详解各种优先模式下的电源供应器特性
的头像 贸泽电子设计圈 发表于 06-20 14:41 308次 阅读
电源的回馈控制回路有什么作用?

如何降低电源输出的纹波噪声?

纹波噪声是衡量电源的一个重要指标,但有多少人知道纹波和噪声其实是两个性能指标,降低纹波和噪声的方法是....
的头像 ZLG致远电子 发表于 06-20 14:27 290次 阅读
如何降低电源输出的纹波噪声?

硅钢片的制作工艺及主要性能分析

硅钢片它是一种含碳极低的硅铁软磁合金,一般含硅量为0.5~4.5%。加入硅可提高铁的电阻率和最大磁导....
的头像 牵手一起梦 发表于 06-20 11:53 177次 阅读
硅钢片的制作工艺及主要性能分析

智能变电站验收都有哪些内容?

智能变电站的验收应根据智能变电站的特殊性制定相应的验收计划。
的头像 电网智囊团 发表于 06-20 11:42 282次 阅读
智能变电站验收都有哪些内容?

行业 | 德赛电池拟26亿元投建物联网电源高端智造项目

深圳市德赛电池科技股份有限公司(以下简称德赛电池)发布公告称,为全面落实公司的战略规划,进一步完善公....
的头像 机器人技术与应用 发表于 06-20 11:01 288次 阅读
行业 | 德赛电池拟26亿元投建物联网电源高端智造项目

电流电压传感器使用注意事项

在测量交流电时,必须强制使用双极性供电电源。即传感器的正极(+)接供电电源“+VA”端,负极接电源的....
发表于 06-20 10:30 63次 阅读
电流电压传感器使用注意事项

霍尔电流传感器测量电流

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在....
发表于 06-20 09:26 71次 阅读
霍尔电流传感器测量电流

总投资26亿元!德赛电池投资建设物联网电源高端智造项目

投资建设德赛电池物联网电源高端智造项目,项目建成后将生产经营锂离子封装电池等产品。
的头像 高工锂电 发表于 06-19 17:01 311次 阅读
总投资26亿元!德赛电池投资建设物联网电源高端智造项目

自耦变压器和隔离变压器的区别是什么

隔离变压器是最常见变压器的一种,其低压、高压绕组分别由分离的线圈绕制并无电气上的连接,原边、副边没有....
发表于 06-19 16:54 114次 阅读
自耦变压器和隔离变压器的区别是什么

自耦变压器的优缺点

自耦变压器是一种圈式变压器,初级和次级共同用一个绕组,也就是共同用一个零线,其变压比有固定的和可调的....
发表于 06-19 16:39 120次 阅读
自耦变压器的优缺点

电力变压器容量选择

所谓的变压器容量其实指的是一个功率单位,也就是通常所说的视在功率。视在功率在工作中用伏安或千伏安表示....
发表于 06-19 16:19 111次 阅读
电力变压器容量选择

电力变压器安装方法及注意事项

电力变压器是电力网的核心设备之一,因而其稳定、可靠运行将对电力系统安全起到非常重要的作用。本文主要介....
发表于 06-19 16:02 75次 阅读
电力变压器安装方法及注意事项

电力变压器的接线方法

用户在使用电力变压器的时候对于接线的方法是需要要掌握的,如果接线中出现问题很容易导致使用故障。那么电....
发表于 06-19 15:54 107次 阅读
电力变压器的接线方法

电力变压器并列运行的条件有哪些

电力变压器并列运行必须满足三个条件:变压比相等、联结组别相同、短路电压相同。
发表于 06-19 15:47 100次 阅读
电力变压器并列运行的条件有哪些

变压器运行节能措施

变压器(Transformer)是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置,主要构件是初级线圈、次级线....
发表于 06-19 15:27 97次 阅读
变压器运行节能措施

节能变压器使用方法

变压器铁芯均为三相五柱式两行矩形排列,在两个旁柱中流过零序磁通,磁通不经过箱体,不产生发热的结构损耗....
发表于 06-19 15:18 52次 阅读
节能变压器使用方法

静电喷涂技术的特点及应用范围

静电喷涂是指利用电晕放电原理使雾化涂料在高压直流电场作用下荷负电,并吸附于荷正电基底表面放电的涂装方....
的头像 牵手一起梦 发表于 06-19 14:21 216次 阅读
静电喷涂技术的特点及应用范围

AD5065 全精度、16位、VOUT nanoDAC®,SPI接口,2.7 V至5.5 V电源,采用TSSOP封装

信息优势和特点 低功耗双通道12/14/16位DAC,±1 LSB INL 独立的基准电压引脚 轨到轨工作 4.5 V至5.5 V电源 上电复位至零电平或中间电平 关断模式:400 nA (5 V) 3种关断功能 各通道独立关断 上电时毛刺非常低 硬件关断闭锁功能 硬件LDAC,具有软件LDAC覆盖功能 CLR功能,清零至可编程码 SDO菊花链选项 14引脚 TSSOP产品详情AD5025/AD5045/AD5065是低功耗、双通道12/14/16位缓冲电压输出nanoDAC® DAC,相对精度特性为±1 LSB INL(积分非线性),具有独立的基准电压引脚,可以采用4.5 V至5.5 V单电源供电。此外还提供±1 LSB的微分精度特性。这些器件采用多功能三线式、低功耗、施密特触发器串行接口,能够以最高50 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI®、QSPI™、MICROWIRE™和DSP接口标准兼容。AD5025/ AD5045/AD5065的基准电压通过一个外部引脚获得,芯片上提供基准电压缓冲。AD5025/AD5045/AD5065内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至零电平或中间电平,并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。AD5025/AD5045/AD5065具有关断特性,在关断模式下,...
发表于 04-18 19:33 5次 阅读
AD5065 全精度、16位、VOUT nanoDAC®,SPI接口,2.7 V至5.5 V电源,采用TSSOP封装

AD5045 全精度、14位、VOUT nanoDAC®,SPI接口,2.7 V至5.5 V电源,采用TSSOP封装

信息优势和特点 低功耗双通道12/14/16位DAC,±1 LSB INL 独立的基准电压源引脚 轨到轨工作 4.5 V至5.5 V电源供电 上电复位至零电平或中间电平 关断模式:400 nA (5 V) 3种关断功能 各通道独立关断 上电时毛刺非常低 硬件关断闭锁功能 硬件LDAC,具有软件LDAC override功能 CLR功能,清零至可编程码产品详情AD5025/AD5045/AD5065是低功耗、双通道12/14/16位缓冲电压输出nanoDAC® DAC,相对精度特性为±1 LSB INL(积分非线性),具有独立的基准电压引脚,可以采用4.5 V至5.5 V单电源供电。此外还提供±1 LSB的微分精度特性。这些器件采用多功能三线式、低功耗、施密特触发器串行接口,能够以最高50 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI®、QSPI™、MICROWIRE™和DSP接口标准兼容。AD5025/ AD5045/AD5065的基准电压通过一个外部引脚获得,芯片上提供基准电压缓冲。AD5025/AD5045/AD5065内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至零电平或中间电平,并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。AD5025/AD5045/AD5065具有关断特性,在关断模式下,器件在5 V时的功耗通常降...
发表于 04-18 19:33 0次 阅读
AD5045 全精度、14位、VOUT nanoDAC®,SPI接口,2.7 V至5.5 V电源,采用TSSOP封装

AD5025 全精度12位VOUT nanoDAC®,SPI接口,4.5 V至5.5 V电源,采用TSSOP封装

信息优势和特点 低功耗双通道12/14/16位DAC,±1 LSB INL 独立的基准电压引脚 轨到轨工作 4.5 V至5.5 V电源 上电复位至零电平或中间电平 关断模式:400 nA (5 V) 3种关断功能 各通道独立关断 上电时毛刺非常低 硬件关断闭锁功能 硬件LDAC,具有软件LDAC覆盖功能 CLR功能,清零至可编程码 SDO菊花链选项 14引脚TSSOP产品详情AD5025/AD5045/AD5065是低功耗、双通道12/14/16位缓冲电压输出nanoDAC® DAC,相对精度特性为±1 LSB INL(积分非线性),具有独立的基准电压引脚,可以采用4.5 V至5.5 V单电源供电。此外还提供±1 LSB的微分精度特性。这些器件采用多功能三线式、低功耗、施密特触发器串行接口,能够以最高50 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI®、QSPI™、MICROWIRE™和DSP接口标准兼容。AD5025/ AD5045/AD5065的基准电压通过一个外部引脚获得,芯片上提供基准电压缓冲。AD5025/AD5045/AD5065内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至零电平或中间电平,并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。AD5025/AD5045/AD5065具有关断特性,在关断模式下,...
发表于 04-18 19:32 4次 阅读
AD5025 全精度12位VOUT nanoDAC®,SPI接口,4.5 V至5.5 V电源,采用TSSOP封装

AD5392 8通道、3 V/5 V串行输入、单电源、14位电压输出

信息优势和特点 AD5390:16通道、14位电压输出DAC AD5391:16通道、12位电压输出DAC AD5392: 8通道、14位电压输出DAC 保证单调性 INL ±1 LSB,最大值(AD5391)±3 LSB,最大值(AD5390-5/AD5392-5)±4 LSB,最大值(AD5390-3/AD5392-3) 1.25 V/2.5 V、10 ppm/ºC片内基准电压源 温度范围:−40°C至+85℃ 轨到轨输出放大器 掉电模式 封装类型64引脚LFCSP (9 mm × 9 mm)52引脚LQFP (10 mm × 10 mm) 用户接口 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5390/AD5391分别是完整的16通道、14位和12位DAC,采用单电源供电。AD5392是一款完整的单电源、8通道、14位DAC。提供64引脚LFCSP或52引脚LQFP封装。所有通道均具有一个轨到轨的片内输出放大器。所有器件内置一个1.25 V/2.5 V、10 ppm/°C基准电压源。片内通道监控功能可将模拟输出多路复用至一个共用MON_OUT引脚,以便进行外部监控,输出放大器升压模式则可以优化输出放大器压摆率。AD5390/AD5391/AD5392内置一个三线式串行接口,接口速度超过30 MHz,兼容SPI®、QSPI™、MICROWIRE™和DSP接口标准;以...
发表于 04-18 19:27 6次 阅读
AD5392 8通道、3 V/5 V串行输入、单电源、14位电压输出

AD5391 16通道、3V/5V串行输入、单电源、12位电压输出

信息优势和特点 AD5390:16通道、14位电压输出DAC AD5391:16通道、12位电压输出DAC AD5392:8通道、14位电压输出DAC 保证单调性 INL ±1 LSB,最大值(AD5391)±3 LSB,最大值(AD5390-5/AD5392-5)±4 LSB,最大值(AD5390-3/AD5392-3) 1.25 V/2.5 V、10 ppm/ºC片内基准电压源 温度范围:−40°C至+85℃ 轨到轨输出放大器 关断模式 封装类型64引脚LFCSP (9 mm × 9 mm)52引脚LQFP (10 mm × 10 mm) 用户接口 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5390/AD5391分别是完整的16通道、14位和12位DAC,采用单电源供电。AD5392是一款完整的单电源、8通道、14位DAC。提供64引脚LFCSP或52引脚LQFP封装。所有通道均具有一个轨到轨的片内输出放大器。所有器件内置一个1.25 V/2.5 V、10 ppm/°C基准电压源。片内通道监控功能可将模拟输出多路复用至一个共用MON_OUT引脚,以便进行外部监控,输出放大器升压模式则可以优化输出放大器压摆率。AD5390/AD5391/AD5392内置一个三线式串行接口,接口速度超过30 MHz,兼容SPI®、QSPI™、MICROWIRE™和DSP接口标准...
发表于 04-18 19:26 6次 阅读
AD5391 16通道、3V/5V串行输入、单电源、12位电压输出

AD5383 32通道、12位、3 V/5 V单电源、电压输出DAC

信息优势和特点 保证12位单调性 高精度(INL = ±1 LSB) 用户可编程失调与增益,方便系统校准 1.25 V/2.5 V片内基准电压源,温度系数:10 ppm/ºC 以轨到轨方式工作的片内输出放大器 可选升压模式提供更快建立时间(典型值为6 µs) 串行SPI接口、I2C接口和并行接口 通过引脚同时更新DAC输出 清零至用户可编程代码功能 低功耗(每通道300 µA)产品详情AD5383是一款32通道、12位DAC,提供14 mm x 14 mm、100引脚LQFP封装。它采用3 V或5 V单电源供电,按通道提供可编程增益(m)与失调(c),以便于系统校准。各DAC通道均要经过双缓冲,因而通过LDAC 引脚可以同时更新所有DAC输出。每个通道均具有一个能够以轨到轨方式工作的片内输出放大器。AD5383内置一个1.25 V/2.5V低漂移基准电压源。它含有一个WR脉冲宽度为20 ns的并行接口、一个30 MHz SPI接口及一个400 kHz I2C兼容接口。这款器件与AD5380 (40通道、14位DAC)、AD5381(40通道、12位DAC)及AD5382 (32通道、14位DAC)引脚兼容。...
发表于 04-18 19:26 4次 阅读
AD5383 32通道、12位、3 V/5 V单电源、电压输出DAC

AD5380 40通道、14位、3 V/5 V单电源、电压输出DAC

信息优势和特点 提供中文数据手册 保证单调性 积分非线性(INL)误差:最大值±4 LSB 1.25 V/2.5 V片内基准电压源 温度系数参考:10 ppm/ºC 温度范围:-40℃至+85℃ 轨到轨输出放大器 关断模式 鲁棒的HBM(额定值为6.5 kV)和FICDM ESD(额定值为2 kV)性能 用户接口:并行串行(SPI®/QSPI™/MICROWIRE™/DSP兼容型接口,提供数据回读)I2C®兼容 集成功能 通道监控 通过LDAC同时更新输出 清零至用户可编程代码功能 放大器升压模式可优化压摆率 用户可编程的失调和增益调整 Toggle模式支持方波生成 热监控 产品详情AD5380是一款完整的单电源、40通道、14位DAC,提供100引脚LQFP封装。所有40个通道均具有一个以轨到轨方式工作的片内输出放大器。该器件内置一个可编程的1.25 V/2.5 V、10 ppm/°C基准电压源;片内通道监控功能可将模拟输出多路复用至一个共用MON_OUT引脚,以便进行外部监控;输出放大器升压模式则可以优化放大器压摆率。AD5380含有一个WR脉冲宽度为20 ns的双缓冲并行接口、一个接口速度超过30 MHz的SPI/QSPI/MICROWIRE/DSP兼容型串行接口和一个支持400...
发表于 04-18 19:26 0次 阅读
AD5380 40通道、14位、3 V/5 V单电源、电压输出DAC

AD5381 40通道、3 V/5 V单电源、12位电压输出DAC

信息优势和特点 保证单调性 积分非线性(INL)误差:最大值±1 LSB 1.25 V/2.5 V片内基准电压源温度系数:10 ppm/ºC 温度范围:-40℃至+85℃ 轨到轨输出放大器 关断 封装类型:100引脚LQFP封装(14 mm × 14 mm) 用户接口:并行串行(SPI®/QSPI™/MICROWIRE™/DSP兼容型接口,提供数据回读) I2C®兼容 鲁棒的HBM(额定值为6.5 kV)和FICDM ESD(额定值为2 kV)性能 INTEGRATED FUNCTIONS 通道监控 通过LDAC 同时更新输出 清零至用户可编程代码功能 放大器升压模式可优化压摆率 用户可编程的失调和增益调整 Toggle模式支持方波生成 热监控 产品详情AD5381是一款完整的单电源、40通道、12位DAC,提供100引脚LQFP封装。所有40个通道均具有一个以轨到轨方式工作的片内输出放大器。该器件内置一个可编程的1.25 V/2.5 V、10 ppm/°C基准电压源。片内通道监控功能可将模拟输出多路复用至一个共用MON_OUT引脚,以便进行外部监控,输出放大器升压模式则可以优化放大器压摆率。AD5381含有一个WR脉宽为20 ns 的双缓冲并行接口、一个接口速度超过30 MHz的SPI/QSPI...
发表于 04-18 19:26 34次 阅读
AD5381 40通道、3 V/5 V单电源、12位电压输出DAC

AD5384 40通道、3 V/5 V、单电源、串行14位denseDAC®

信息优势和特点 保证单调性 相对精度(INL): 最大值±4 LSB 1.25 V/2.5 V、10 ppm/℃片内基准电压源 温度范围: -40 ℃至+85 ℃ 封装类型: 100引脚CSP_BGA 串行SPI/QSPI™/MICROWIRE®/DSP兼容型接口提供数据回读模式 I2C兼容型串行接口 集成通道监控功能 通过LDAC同时更新输出 清零至用户可编程代码功能 放大器升压模式可优化压摆率 用户可编程失调与增益调整 Toggle模式: 支持方波生成 热特性产品详情AD5384是一款完整的单电源、40通道、14位数模转换器(DAC),提供100引脚CSP_BGA封装。 所有40个通道均具有一个以轨到轨方式工作的片内输出放大器。 该器件内置一个1.25 V/2.5 V、10 ppm/℃基准电压源。片内通道监控功能可将模拟输出多路复用至一个共用MON_OUT引脚,以便进行外部监控,输出放大器升压模式则可以优化放大器压摆率。 AD5384含有一个与SPI、QSPI、MICROWIRE、DSP接口标准兼容的串行接口,接口速度高于30 MHz,还有一个I2C兼容接口,支持400 kHz数据传输速率。输入寄存器后置DAC寄存器就可提供双缓冲,使各DAC输出既能独立更新,也能利用LDAC...
发表于 04-18 19:26 26次 阅读
AD5384 40通道、3 V/5 V、单电源、串行14位denseDAC®

AD5390 16通道、3 V/5 V串行输入、单电源、14位电压输出

信息优势和特点 AD5390: 16通道、14位电压输出DAC AD5391: 16通道、12位电压输出DAC AD5392: 8通道、14位电压输出DAC 保证单调 INL±1 LSB 最大值 (AD5391)±3 LSB 最大值 (AD5390-5/AD5392-5)±4 LSB 最大值 (AD5390-3/AD5392-3) 片上1.25/2.5 V、10 ppm/°C参考基准 温度范围:−40°C至+85°C 轨到轨输出放大器 关断模式 封装类型64引脚LFCSP(9 mm × 9 mm)52引脚LQFP(10 mm × 10 mm) 用户接口 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5390/AD5391分别是14位和12位的单电源供电、16通道DAC。AD5392是一款单电源供电的8通道14位DAC。这些产品采用64引脚LFCSP封装或52引脚LQFP封装。所有通道配有一个片上带轨到轨输出的放大器。所有器件均内置1.25/2.5 V、10 ppm/°C参考基准和片上通道监测功能(将模拟输出多路复用到一个公共的MON_OUT引脚以实现外部监测),并采用输出放大器升压模式,可实现最优的输出放大器压摆率。AD5390/AD5391/AD5392包含一个接口速度超过30 MHz的3线串行接口,符合SPI®、QSPI™、MICROWIRE™和DSP接口标准,以及一个支持400 k...
发表于 04-18 19:26 30次 阅读
AD5390 16通道、3 V/5 V串行输入、单电源、14位电压输出

AD5382 32通道、14位、3 V/5 V单电源、电压输出DAC

信息优势和特点 保证14位单调性 高精度(INL = ±4 LSB) 用户可编程失调与增益,方便系统校准 1.25 V/2.5 V片内基准电压源,温度系数:10 ppm/ºC 以轨到轨方式工作的片内输出放大器 可选升压模式提供更快压摆率(典型值为8 µs) 串行SPI接口、 I2C 接口和并行接口 通过引脚同时更新DAC输出 清零至用户可编程代码功能 低功耗(每通道300 µA)产品详情AD5382是一款32通道、14位DAC,提供14 mm x 14 mm、100引脚LQFP封装。它采用3 V或5 V单电源供电,按通道提供可编程增益(m)与失调(c),以便于系统校准。各DAC通道均要经过双缓冲,因而通过LDAC引脚可以同时更新所有DAC输出。每个通道均具有一个能够以轨到轨方式工作的片内输出放大器。AD5382内置一个1.25 V/2.5 V低漂移基准电压源。它含有一个WR脉冲宽度为20 ns的并行接口、一个30 MHz SPI接口及一个400 kHz I2C兼容接口。这款器件与AD5380 (40通道、14位DAC)、AD5381(40通道、12位DAC)及AD5383 (32通道、12位DAC)引脚兼容。...
发表于 04-18 19:26 24次 阅读
AD5382 32通道、14位、3 V/5 V单电源、电压输出DAC

AC1352 电源连接器

信息产品分类接口和隔离 IOS子系统Additional 3B Resources: Accessories, Backplanes and Power SuppliesSales and Service: North America (SCS Embedded Tech), Rest of WorldDownload a PDF copy of this user manual
发表于 04-18 19:15 30次 阅读
AC1352 电源连接器

AC1341 6英尺直流电源线

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发表于 04-18 19:15 39次 阅读
AC1341 6英尺直流电源线

AC1307 3B系列电源、115V交流输入、±15V DC (+800/-225mA)和+24V DC (350mA)输出

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发表于 04-18 19:14 46次 阅读
AC1307 3B系列电源、115V交流输入、±15V DC (+800/-225mA)和+24V DC (350mA)输出

AC1301 3B系列电源、115V交流输入、±15V DC、±350mA输出

信息产品分类接口和隔离 IOS子系统产品详情AC1301是一款AC/DC双输出、±15 V DC电源,提供±350 mA的电流。利用附带的安装夹和硬件,可以将其安装在3B01、3B02或3B03背板上。工作温度范围为-25°C至+70°C。
发表于 04-18 19:14 58次 阅读
AC1301 3B系列电源、115V交流输入、±15V DC、±350mA输出

BQ500511 无线电源发送器控制器

信息描述 bq500511 是一款无线电源发送器控制器。在与 bq50002 模拟前端器件搭配使用时,该器件集成了创建符合 Qi 标准或 5V 专用发送器所需的全部功能。 bq500511 和 bq50002 共同构成一款紧凑型无线充电器解决方案。 bq500511 对周围环境执行 ping 操作来寻找需要供电的接收器器件,之后会与 Rx 器件安全接合、接收充电器件传输的通信数据包以及根据 WPC v1.2 规范管理功率传输。bq500511 特有的 Dynamic Power Limiting™ (DPL) 功能可最大限度地提升无线电源控制应用的灵活性。 对于功率受限的输入电源,DPL 对其可用功率进行无缝优化来改善用户体验。通过持续监测已建立电源传输的效率,该系统支持外来物体检测 (FOD),以防因在无线电源传输场中错误放置金属物体而产生功率损耗。 如果在电源传输过程中出现任何异常情况,bq500511 将对其进行处理并提供指示输出。 综合状态和故障监视特性可实现一款经 Qi 认证的低成本且稳健耐用的无线电源系统设计方案。bq500511 采用 6mm x 6mm 耐热增强型 40 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装。特性 符合无线充电联盟 v1.2 A11 规范的数字控制器 专为与 bq50002 模拟前端搭配使用而设计 适用于无线充电...
发表于 04-18 19:10 38次 阅读
BQ500511 无线电源发送器控制器

BQ500412 自由定位、符合 Qi 标准的无线电源发送器管理器

信息描述 bq500412 是一款符合 Qi 标准的超值解决方案,此解决方案集成了控制到单个 WPC1.1 兼容接收器无线电源传输所需的全部功能。 它与 WPC1.1 标准兼容,并且设计用于具有可选升压转换器的 12V,或 5V 系统,作为一个无线电源联盟 A6 类型自由定位发射器。 bq500412周围环境以寻找将被供电的 WPC 兼容器件,安全使用器件,接收来自被供电器件的数据包通信并根据 WPC1.1 技术规范管理电源传输。 为了大大增加无线电源控制应用中的灵活性, Dynamic Power Limiting (DPL) 在器件与 5V 输入电源供电的可选升压转换器一同使用时具有 bq500412 的性能。 Dynamic Power Limiting 通过无缝优化受限输入电源上可用功率的用量, 提高了用户体验。 通过持续监控已建立的电源传输的效率,bq500412 支持针对以往产品的外来物体检测 (FOD) 和增强性寄生金属检测 (PMOD),从而防止由于在无线电源传输场中错误放置金属物体而导致的电源丢失。 如果在电源传输期间发生任何异常情况,bq500412 对其进行处理并提供指示器输出。 综合状态和故障监视特性可实现一个低成本但是稳健耐用的,符合 Qi 标准的无线电源系统设计。 bq500412 采用 48 引脚,7mm ...
发表于 04-18 19:10 42次 阅读
BQ500412 自由定位、符合 Qi 标准的无线电源发送器管理器

BQ500215 BQ500215 固定频率 10W WPC1.1 无线电源发送器

信息描述bq500215 是一款专用数字无线电源控制器,它集成了控制无线电源传输至单个 WPC 兼容接收器所需的逻辑功能。bq500215 符合 WPC v1.2 标准,可输出高达 5W 的功率;使用专有的双向通信协议,结合 bq51025 无线电源接收器可实现高达 10W 的充电功率。bq500215 是一款智能器件,它可以定期询问周围环境中要充电的设备,检测充电板上是否有外来金属物体,监视所有无线充电设备的通信并按照充电设备的反馈来调整施加到发送器线圈上的电源。bq500215 还可以处理功率输出相关的故障条件,并控制运行模式状态指示灯。bq500215 使用电源电压控制机制代替传统的频率控制来调节传送到接收器的功率。特性经 Qi 认证的 WPC v1.2 解决方案,适用于 5W 运行,配合 TI bq51025 无线电源接收器可提供专有的 10W 充电能力专有 TI bq51025 接收器的认证协议 更快的充电时间 兼容标准 5W WPC 接收器12V 输入,固定频率,电源电压控制架构 符合无线电源联盟 (WPC) A29 发送器类型技术规范 通过 FOD Ping 实现增强型外来物体检测 (FOD),可在电源传输前检测金属物体空闲和“充电完成”期间低待机功耗 10 种可配置的 LED 模式,可指示充电状态和故障...
发表于 04-18 19:10 55次 阅读
BQ500215 BQ500215 固定频率 10W WPC1.1 无线电源发送器

BQ500212A 符合 Qi 标准的 5 V 无线电源发送器管理器

信息描述 bq500212A 是一款经 Qi 认证的超值解决方案,此解决方案集成了控制到单个 WPC1.1 兼容接收器无线电源传输所需的全部功能。 它与 WPC1.1 兼容,并且被设计成用于 5V 系统的无线电源联盟类型 A5 或 A11 发射器。 bq500212A周围环境以寻找将被供电的 WPC 兼容器件,安全使用器件,接收来自被供电器件的数据包通信并根据 WPC1.1 技术规范管理此电源传输。 为了最大限度地增加无线电源控制应用中的灵活性, Dynamic Power Limiting (DPL) 成为 bq500212A 的特性。 Dynamic Power Limiting 通过无缝优化受限输入电源上可用功率的用量提高用户体验。 通过持续监控已建立的电源传输的效率,bq500212A 支持针对以往产品的外来物体检测 (FOD) 和增强性寄生金属检测 (PMOD),从而防止由于在无线电源传输场中错误放置金属物体而导致的电源丢失。 如果在电源传输期间发生任何异常情况,bq500212A 对其进行处理并提供指示器输出。 综合状态和故障监视特性可实现一个低成本但是稳健耐用的,经 Qi 认证的无线电源系统设计。 bq500212A 采用 48 引脚,7mm x 7mm 四方扁平无引线 (QFN) 封装。特性 针对发射端应用的已经验证,经 Qi 认证...
发表于 04-18 19:10 39次 阅读
BQ500212A 符合 Qi 标准的 5 V 无线电源发送器管理器

BQ24278 具有电源路径的 2.5A 单输入单节开关模式锂离子电池充电器

信息描述 bq24278 高度集成的单节锂离子电池充电器和系统电源路径管理器件针对空间有限且带有高容量电池的便携式应用。 单节充电器由一个诸如 AC(交流)适配器或者无线电源的专用充电源供电运行。此电源路径管理特性使得 bq24278 能够在为电池独立充电的同时从一个高效 DC 到 DC 转换器为系统供电。 此充电器一直监视电池电流并在系统负载所需电流超过输入电流限制时减少充电电流。 这样可实现正常的充电终止和定时器运行。 系统电压被调节至电池电压,但不会下降至低于 3.5V。 最小系统电压支持使得此系统能够与一个残次品或者有缺失的电池组一起运行并且即使在电池完全放电或者无电池的情况下也可实现瞬时系统启动。 当适配器不能传送峰值系统电流时,此电源路径管理架构还允许电池补充系统电流需要。 这样可使用较小的适配器。 电池充电经历以下三个阶段:充电,恒定电流和恒定电压。 在所有的充电阶段,一个内部控制环路监视 IC 结温并且在超过内部温度阀值的情况下减少充电电流。 此外,bq24278 提供一个基于电压的电池组热敏电阻器监控输入 (TS) 来监控电池温度以保证安全充电。特性 具有独立电源路径控制的高效开关模式充电器从深度放电电池或者在无电...
发表于 04-18 19:10 28次 阅读
BQ24278 具有电源路径的 2.5A 单输入单节开关模式锂离子电池充电器