0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

向行业无人区拓荒,实现半极性氮化镓材料工业级量产

芯资本 来源:未知 作者:李倩 2018-09-14 11:43 次阅读

点亮世界,是人类改造自然中永恒的主题。从钻木取火到油灯蜡烛,从蒸汽机到电气化,从荧光灯、白炽灯到节能LED,从2D到3D,一次次智慧的火种,照亮了人类文明的发展史。

集成电路为代表的第三次工业革命之后,随着第三代半导体材料的突破和蓝、绿、白光LED的问世,半导体技术在照明和显示领域掀起了一场新的革命,彻底颠覆了传统白炽灯、日光灯的主导地位,并带来了新型节能的LCD及LED显示屏。以氮化镓为核心制成的新一代节能光源被广泛应用在人类生活的各个领域,奠定了当代照明和显示技术的基础。

然而,经过近30年的发展,传统的极性氮化镓材料已达到技术瓶颈,其固有的巨大内置极化场导致了量子效率下降、绿光光隙、波峰蓝移等诸多问题,严重制约了光电子产业的进一步发展,人类照明技术创新升级陷入滞缓态势。同时,伴随着大功率照明及新型显示(3D、投影、VR等)技术的发展,传统显示屏幕的短板越来越凸显,行业技术变革呼之欲出。

为了破解这一难题,各国科学家纷纷投入新一代光电子材料研究中。其中,半极性氮化镓发光材料被认为是下一代照明技术的最优解决方案。自2000年起,学界和产业界进行了大量的探索,发表了上千篇论文,全面验证了半极性氮化镓材料的优势。研究认为,半极性氮化镓单芯片亮度理论上可以达到过去的数倍,并能彻底解决绿光效率低、波峰蓝移、黄光等问题。然而,如何实现该种材料的量产,却成为了一个难题。曾研究出极性氮化镓材料的诺贝尔物理奖得主中村修二先生多年从事该领域的研究,但一直无果。

向行业无人区拓荒,实现半极性氮化镓材料工业级量产

2014年,在美国耶鲁大学的一个讲座上,耶鲁大学电子系系主任韩仲教授与耶鲁大学MBA的一位学生结识。这个学生名叫陈辰。他本科就读于清华大学机械系,并曾在斯伦贝谢工作期间领衔研制了ONYX360,销售超数十亿美金,获得过E&P、World Oil等奖项,个人履历非常优秀。

一个是在半导体发光材料领域有着6年研究经验的名校教授,一个是对新技术有着执着和创新态度的留学生,两位年龄相差近20岁的师生,因为兴趣相投一拍即合,决定联合创业,向行业无人区探索,尝试实现半极性氮化镓材料的商业化和量产。

2014年年底,陈辰和韩仲教授创立了硬科技公司赛富乐斯(Saphlux)。团队致力于新一代半极性氮化镓发光材料研究和技术产业化,将其用于固态显示及未来照明。成立之初,赛富乐斯即获得了来自真格、联创、PreAngel及耶鲁方面的天使轮融资,夯实了团队的创业资本。随后不久,韩教授的学生宋杰以及韩国业界专家崔周源博士先后加入。崔周源本人曾师从诺贝尔奖得主中村修二先生,拥有美国北卡罗来纳州立大学博士学位。宋杰毕业自北京大学,并在2017年获评国家“青年千人计划”专家。

地利人和,万事俱备。赛富乐斯的初步目标是解决大尺寸半极性材料的生产难题。按照陈辰当初的规划,项目融资到位之后,最迟3个月,就能把产品做出来。

然而,纯技术创业并不如预想的那样顺利,无人区的拓荒比意料中的更为艰难。在研发的过程中,材料的缺陷始终无法得到有效控制,导致产品在上线前被迫下架。经过团队夜以继日的努力,研发状况终于出现了转机。

2016年5月,在经过历时近两年的研发和测试后,赛富乐斯无缺陷的半极性氮化镓材料正式上线。“原来的半极性材料只能做到1厘米X 0.5厘米大小,我们实现了2英寸片。”研发人员拿着实验结果振奋地喊到,“新一代发光材料终于来了。”

在传统制备方式下,半极性材料只能通过斜切体块式氮化镓来实现。这样的制备方式无法实现材料量产,而且小片半极性氮化镓材料价格非常昂贵(高达2000美元)。而赛富乐斯的技术手段不仅可以在标准的大尺寸蓝宝石衬底上直接生长半极性氮化镓,还能直接控制晶体生长的方向和形状,可大幅降低成本并提升产能。

同年6月,赛富乐斯的研究成果正式对外公布,全球前五的LED公司有3家开始使用其产品。另外,苹果Micro-LED显示屏的供应商、大陆及***一些厂商也陆续下单。产品一经上线,广受客户认可。

而在业内,赛富乐斯的创新成果获得了一致肯定。世界半导体行业顶级期刊《复合半导体杂志》评价这一成果说:“第一代氮化镓材料的‘摩尔定律’将由Saphlux的半极性氮化镓延续。”***交通大学光电系系主任郭浩中则认为:“Saphlux的半极性外延片能够从根本上解决困扰Micro-LED的蓝、绿光峰移问题,将是接下来Micro-LED的发展趋势。”

2017年,赛富乐斯团队落户到位于西安的陕西光电子集成电路先导技术研究院。利用该孵化平台的MOCVD、电子束蒸镀机等专业化设备,赛富乐斯的研究成果很快从实验室进入了量产阶段。2017年11月,西安赛富乐斯公司正式上线了4英寸(20-21)半极性氮化镓材料,并从2018年3月开始规模生产及销售,良率达到95%以上,成为了全球首家可以量产工业级半极性氮化镓材料的硬科技企业。

持续发力技术迭代

致力于成为全球显示技术革命的领航者

2018年7月,在实现了大尺寸、无层错半极性氮化镓材料量产的基础上,赛富乐斯成功点亮了半极性绿光LED芯片,解决了下一代显示屏幕MicroLED的色彩问题,再次得到了业界和媒体的广泛关注。2018年中旬,赛富乐斯又进一步开发了全彩转换技术,独家掌握了目前最优的消费级Micro-LED制备方案,确立了团队在未来显示领域的核心优势。

与此同时,赛富乐斯还与A股上市公司利亚德签订了合作协议,双方成立了“Saphlux-利亚德联合实验室”,开展基于半极性氮化镓的mini LED、micro LED和激光显示产品的研究及开发,并力图通过合作项目的方式迅速推动研发成果产业化。

赛富乐斯的战略布局与当代显示产业的发展趋势和格局是相符的。根据天风证券研究报告显示,目前全球显示技术已经处在产业化变革的临界点,未来3-5年内,Micro LED、Mini LED,便携激光投影等新型技术即将涌现。

专家分析认为,就技术路线来说,Micro LED产品的寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度、分辨率等各项指标均强于LCD以及OLED,已经被许多厂商认为是未来显示技术的主流,其主要应用领域包括可穿戴设备、智能手机、VR、AR、大屏幕电视等等。

另据记者查阅相关资料了解,业内诸多巨头如苹果、索尼、三星等均已开始积极布局Micro LED技术,试图将该项技术商业化。包括夏普、台工研院、友达等在内的一些LED大厂、科研团队也纷纷秘密研发,都要强势抢占到Micro LED的发展版图之中。风口之下,竞争局势异常激烈。

此外,与芯片行业类似,Micro LED的市场规模非常可观。有调研机构根据测算数据表明,当Micro LED在消费电子终端年出货渗透率达到50%时,按照折合每片(2英寸片)200元的价格计算,Micro LED芯片市场规模将达到3800亿元,潜在市场发展空间巨大。

陈辰透露说,赛富乐斯在现有产品和技术积累的基础上,已经和欧美、日本和***等地的20余家著名厂商开展了合作和销售,重点发力在Micro-LED、半导体激光器、大功率LED等领域。

按照团队规划,赛富乐斯会持续加大在这场显示革命中的布局。团队未来会提供三类产品:半极性氮化镓晶元,半极性绿光外延片,以及基于半极性氮化镓的全彩转换Micro-LED解决方案。

赛富乐斯的技术创新极大地带动了相关产业的聚集和地区经济发展。随着团队完成研发,逐步转入批量生产,上游材料企业和下游应用企业目前正在向西安地区聚集,未来将形成一条全新的产业链,在不久的将来,有望在中国西北形成一个新的消费电子产品产业集群,助力西部大开发和一带一路政策。

“人类有超过70%的信息交互是通过显示技术来实现的,我们希望通过自己的尝试,能为人类显示和照明技术带来变革,用创新的力量点亮世界,推动社会文明进步。”陈辰最后如是说。(完)

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • led
    led
    +关注

    关注

    237

    文章

    22449

    浏览量

    645872
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5320

    文章

    10732

    浏览量

    353356
  • 照明技术
    +关注

    关注

    0

    文章

    57

    浏览量

    13006

原文标题:用创新点亮世界,赛富乐斯要成为显示技术革命的领航者

文章出处:【微信号:ICCapital,微信公众号:芯资本】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    求助,请问桥上管氮化这样的开尔文连接正确吗?

    请问桥上管氮化这样的开尔文连接正确吗?
    发表于 01-11 07:23

    氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

    氮化 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化(GaN)是一种宽带隙半导体材料
    发表于 08-21 17:06

    氮化测试

    氮化
    jf_00834201
    发布于 :2023年07月13日 22:03:24

    有关氮化半导体的常见错误观念

    功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。 误解2:氮化技术不可靠 氮化器件自2010年初开始量产
    发表于 06-25 14:17

    实现更小、更轻、更平稳的电机驱动器的氮化器件

    获得无与伦比的正弦电压和电流波形,让电机实现更平稳、更安静的运行和更高的系统效率。由基于氮化器件的逆变器以更高的PWM频率和最短促的死区时间驱动时,电机变得更有效率。把输入滤波器中的电解电容器改为
    发表于 06-25 13:58

    什么是氮化功率芯片?

    通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入
    发表于 06-15 16:03

    为什么氮化比硅更好?

    度为1.1 eV,而氮化的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向
    发表于 06-15 15:53

    氮化: 历史与未来

    高效能、高电压的射频基础设施。几年后,即2008年,氮化金属氧化物导场效晶体(MOSFET)(在硅衬底上形成)得到推广,但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件,使用率较低。
    发表于 06-15 15:50

    为什么氮化(GaN)很重要?

    % 化学物及能源损耗,此外还能,再加上节省超过 50% 的包装材料,那氮化的环保优势,将远远大于传统慢速比低速硅材料
    发表于 06-15 15:47

    什么是氮化(GaN)?

    的 3 倍多,所以说氮化拥有宽禁带特性(WBG)。 禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化比传统硅
    发表于 06-15 15:41

    氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

    桥式拓扑结构中放大了氮化的频率、密度和效率优势,如主动有源钳位反激式(ACF)、图腾柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。随着硬开关拓扑结构软开关拓扑结构的转变,初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方
    发表于 06-15 15:35

    氮化功率芯片的优势

    更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集
    发表于 06-15 15:32

    谁发明了氮化功率芯片?

    虽然低电压氮化功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的
    发表于 06-15 15:28

    什么是氮化功率芯片?

    行业标准,成为落地量产设计的催化剂 氮化芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。 纳微半导体利用
    发表于 06-15 14:17