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应用于高密度电源设计的GaN半导体材料

TI视频 作者:工程师郭婷 2018-08-16 00:55 次阅读

GaN 半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c 轴方向平移3c/8 套构而形成,所属空间群为或P63mc。

视频中介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计

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