RF电路板分区设计的5个要点详细概述

村田中文技术社区 2018-07-03 19:30 次阅读

射频(RF)电路板设计虽然在理论上还有很多不确定性,但RF电路板设计还是有许多可以遵循的法则。不过,在实际设计时,真正实用的技巧是当这些法则因各种限制而无法实施时,如何对它们进行折衷处理,本文将集中探讨与RF电路板分区设计有关的各种问题。
 

RF电路板分区设计的5个要点详细概述

01

微过孔的种类

电路板上不同性质的电路必须分隔,但是又要在不产生电磁干扰的最佳情况下连接,这就需要用到微过孔(microvia)。通常微过孔直径为0.05mm~0.20mm,这些过孔一般分为三类,即盲孔(blind via)、埋孔(bury via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷线路板的顶层和底层表面,具有一定深度,用于表层线路和下面的内层线路的连接,孔的深度通常不超过一定的比率(孔径)。埋孔是指位于印刷线路板内层的连接孔,它不会延伸到线路板的表面。上述两类孔都位于线路板的内层,层压前利用通孔成型制程完成,在过孔形成过程中可能还会重叠做好几个内层。第三种称为通孔,这种孔穿过整个线路板,可用于实现内部互连或作为组件的黏着定位孔。

02

采用分区技巧

在设计RF电路板时,应尽可能把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离开来,简单的说,就是让高功率RF发射电路远离低噪音接收电路。如果PCB板上有很多空间,那么可以很容易地做到这一点。但通常零组件很多时,PCB制造空间就会变的很小,因此这是很难达到的。可以把它们放在PCB板的两面,或者让它们交替工作,而不是同时工作。高功率电路有时还可包括RF缓冲器(buffer)和压控振荡器(VCO)。

设计分区可以分成实体分区(physical partitioning)和电气分区(Electrical partitioning)。实体分区主要涉及零组件布局、方位和屏蔽等问题;电气分区可以继续分成电源分配、RF走线、敏感电路和信号、接地等分区。

03

实体分区

零组件布局是实现一个优异RF设计的关键,最有效的技术是首先固定位于RF路径上的零组件,并调整其方位,使RF路径的长度减到最小。并使RF输入远离RF输出,并尽可能远离高功率电路和低噪音电路。

最有效的电路板堆栈方法是将主接地安排在表层下的第二层,并尽可能将RF线走在表层上。将RF路径上的过孔尺寸减到最小不仅可以减少路径电感,而且还可以减少主接地上的虚焊点,并可减少RF能量泄漏到层叠板内其它区域的机会。

在实体空间上,像多级放大器这样的线性电路通常足以将多个RF区之间相互隔离开来,但是双工器、混频器和中频放大器总是有多个RF/IF信号相互干扰,因此必须小心地将这一影响减到最小。RF与IF走线应尽可能走十字交叉,并尽可能在它们之间隔一块接地面积。正确的RF路径对整块PCB板的性能而言非常重要,这也就是为什么零组件布局通常在移动电话PCB板设计中占大部份时间的原因。

在移动电话PCB板上,通常可以将低噪音放大器电路放在PCB打样板的某一面,而高功率放大器放在另一面,并最终藉由双工器在同一面上将它们连接到RF天线的一端和基频处理器的另一端。这需要一些技巧来确保RF能量不会藉由过孔,从板的一面传递到另一面,常用的技术是在两面都使用盲孔。可以藉由将盲孔安排在PCB板两面都不受RF干扰的区域,来将过孔的不利影响减到最小。

04

金属屏蔽罩

有时,不太可能在多个电路区块之间保留足够的区隔,在这种情况下就必须考虑采用金属屏蔽罩将射频能量屏蔽在RF区域内,但金属屏蔽罩也有副作用,例如:制造成本和装配成本都很高。

外形不规则的金属屏蔽罩在制造时很难保证高精密度,长方形或正方形金属屏蔽罩又使零组件布局受到一些限制;金属屏蔽罩不利于零组件更换和故障移位;由于金属屏蔽罩必须焊在接地面上,而且必须与零组件保持一个适当的距离,因此需要占用宝贵的PCB板空间。

尽可能保证金属屏蔽罩的完整非常重要,所以进入金属屏蔽罩的数字信号线应该尽可能走内层,而且最好将信号线路层的下一层设为接地层。RF信号线可以从金属屏蔽罩底部的小缺口和接地缺口处的布线层走线出去,不过缺口处周围要尽可能被广大的接地面积包围,不同信号层上的接地可藉由多个过孔连在起。 尽管有以上的缺点,但是金属屏蔽罩仍然非常有效,而且常常是隔离关键电路的唯一解决方案。

05

电源去耦电路

恰当而有效的芯片电源去耦(decouple)电路也非常重要。许多整合了线性线路的RF芯片对电源的噪音非常敏感,通常每个芯片都需要采用高达四个电容和一个隔离电感来滤除全部的电源噪音。

最小电容值通常取决于电容本身的谐振频率和接脚电感,C4的值就是据此选择的。C3和C2的值由于其自身接脚电感的关系而相对比较大,从而RF去耦效果要差一些,不过它们较适合于滤除较低频率的噪音信号。RF去耦则是由电感L1完成的,它使RF信号无法从电源线耦合到芯片中。因为所有的走线都是一条潜在的既可接收也可发射RF信号的天线,所以,将射频信号与关键线路、零组件隔离是必须的。

这些去耦组件的实体位置通常也很关键。这几个重要组件的布局原则是:C4要尽可能靠近IC接脚并接地,C3必须最靠近C4,C2必须最靠近C3,而且IC接脚与C4的连接走线要尽可能短,这几个组件的接地端(尤其是C4)通常应当藉由板面下第一个接地层与芯片的接地脚相连。将组件与接地层相连的过孔应该尽可能靠近PCB板上的组件焊盘,最好是使用打在焊盘上的盲孔将连接线电感减到最小,电感L1应该靠近C1。

一个集成电路或放大器常常具有一个集电极开路输出(open collector),因此需要一个上拉电感(pullup inductor)来提供一个高阻抗RF负载和一个低阻抗直流电源,同样的原则也适用于对这一电感的电源端进行去耦。有些芯片需要多个电源才能工作,因此可能需要两到三套电容和电感来分别对它们进行去耦处理,如果该芯片周围没有足够的空间,那么去耦效果可能不佳。尤其需要特别注意的是:电感极少平行靠在一起,因为这将形成一个空芯变压器,并相互感应产生干扰信号,因此它们之间的距离至少要相当于其中之一的高度,或者成直角排列以使其互感减到最小。

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原文标题:射频电路板设计的几个要点

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此八进制缓冲器/线路驱动器设计用于2.7 V至3.6 VVCC操作。 SN74LVCZ244A器件由两个4位线路驱动器组成,具有单独的输出使能(> OE)输入。当OE为低时,设备将数据从A输入传递到Y输出。当OE为高电平时,输出处于高阻态。 特性 从2.7 V运行至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 最大值pd为5.9 ns,3.3 V 典型VOLP(输出接地反弹) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持实时插入,部分-Power- 向下模式和后向驱动保护 在所有端口上支持混合模式信号操作(5 V输入/输出电压 具有3.3 VVCC) 闩锁性能超过100 mA 每JESD 78,Class II 参数 与其它产品相比 同向缓冲器/驱动器   Technology Family VCC (...

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SN74LVCZ244A 具有三态输出的八路缓冲器/驱动器

SN74LVC3G07 具有漏极开路输出的三路缓冲器/驱动器

此三重缓冲器/驱动器设计用于1.65 V至5.5 VVCC操作。 NanoFree™封装技术是IC封装概念的重大突破,使用裸片作为封装。 SN74LVC3G07的输出为漏极开路,可连接到其他漏极开路输出以实现低电平有效线或或有源高线和功能。最大灌电流为32 mA。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 特性 德州仪器NanoFree软件包中提供 支持5-VVCC操作 3.3 V时最大tpd3.7 ns 低功耗,10-μAMaxICC < li>±24-mA输出驱动,3.3 V 输入和漏极开路输出接受电压高达5.5 V 典型VOLP(输出接地)反弹)&lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25° 典型VOHV(输出VOH下冲)> VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持实时插入,部分断电模式和后驱动保护 闩锁性能超过每JESD 78 mA,Class II ESD保护超过JESD 22 2000-V...

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SN74LVC3G07 具有漏极开路输出的三路缓冲器/驱动器

SN74LVC3G34 三路缓冲器

SN74LVC3G34器件是一个三重缓冲器门,设计用于1.65 V至5.5 V VCC操作。 SN74LVC3G34器件在正逻辑中执行布尔函数Y = A. NanoFree封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用芯片作为封装。 此器件为完全指定使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 特性 德州仪器公司提供的NanoFree软件包 支持5.5-VVCC操作 输入接受电压至5.5 V 最大tpd4.1 ns,3.3 V 低功耗,10- μA最大ICC ±24-mA输出驱动3.3 V 典型VOLP(输出接地反弹)&lt; ; VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(输出V)OHUndershoot)> VCC= 3.3 V,TA= 25° I < > 支持实时插入,部分关机模式和后驱保护 可用作降频转换器,将输入电压从最高5.5 V转换为VCC等级 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 ...

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SN74LVC3G34 三路缓冲器

SN74AUC1G04 单路反向器闸

此单反相器门可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-V而设计1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G04执行布尔函数Y =A。 NanoFree™封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装。 该器件完全适用于部分断电应用,使用Ioff。 Ioff电路禁用输出,防止电源断电时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 < li> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree™封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作< /li> Ioff支持部分省电模式和后驱动保护 Sub-1-V Operable Max tpd2.2 ns,1.8 V 低功耗,10μA最大...

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SN74AUC1G04 单路反向器闸

SN74AUC1G14 单路施密特触发反向器

此单路施密特触发器逆变器可在0.8V至2.7VVCC下工作,但专为1.65-而设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G14包含一个反相器并执行布尔函数Y =A。该器件作为独立的逆变器工作,但由于施密特,它可能具有不同的输入阈值电平,用于正向(VT +)和负向(VT -信号。 NanoFree™封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装作为封装。 该器件完全适用于使用I 关。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 < li> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree™封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作< /li> I...

发表于 10-09 17:12 16次 阅读
SN74AUC1G14 单路施密特触发反向器

SN74AUC1G126 具有三态输出的单路总线缓冲器闸

SN74AUC1G126总线缓冲器专门针对1.65V至1.95VVCC工作范围而特别设计,但可以在0.8V至2.7 VVCC的范围内工作。 SN74AUC1G126器件是一款具有一个三态输出的单通道线路驱动器。当输出使能(OE)输入为低电平时,输出被禁用。 为确保在上电或掉电期间均处于高阻态,应将OE通过下拉电阻连接至GND;该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。 /p> NanoFree™封装技术是器件封装概念上的一项重大突破,它将裸片用作封装。 该器件完全适用于使用Ioff的off电路可禁用输出,以防在器件掉电时电流回流对器件造成损坏。 特性 闩锁性能超过100mA,符合JESD 78 II类规范 ESD保护性能超出JESD 22标准 2000V人体放电模型(A114-A) 200V机器模型(A115-A) 1000V充电器件模型(C101) < /li> 采用TI的NanoFree™封装 经优化,可在1.8V电压下运行并可承受3.6VI /O电压,可支持混合模式信号操作 ...

发表于 10-09 16:49 4次 阅读
SN74AUC1G126 具有三态输出的单路总线缓冲器闸

SN74AUC1G17 单路施密特触发缓冲器

此单施密特触发器缓冲器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-设计V至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G17包含一个缓冲区并执行布尔函数Y = A.该设备作为独立缓冲区运行,但由于施密特动作,它对于正向(VT +)和负向(VT -)信号,可能有不同的输入阈值水平。 NanoFree™封装技术是IC封装概念的重大突破,使用芯片作为封装。 该器件完全指定用于部分断电应用,使用Ioff。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 < li> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree™封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作< /li> ...

发表于 10-09 16:48 8次 阅读
SN74AUC1G17 单路施密特触发缓冲器

SN74AUC1G07 具有漏极开路输出的单路缓冲器/驱动器

此单缓冲器/驱动器可在0.8 V至2.7 VVCC下工作,但专为1.65-V设计至1.95-VVCC操作。 SN74AUC1G07的输出为漏极开路,可连接到其他漏极开路输出,以实现低电平有效或高电平有效有线和无功能。 NanoFree™封装技术是IC封装概念的一项重大突破,使用该封装。 该器件完全适用于部分断电应用usingI 关。 Ioff电路禁用输出,防止电源关闭时损坏电流回流。 有关AUC Little Logic设备的更多信息,请参阅应用程序德州仪器AUCSub-1-V小型逻辑器件,SCEA027。 特性 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 < li> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 1000-V充电设备型号(C101) 适用于德州仪器NanoFree™封装 针对1.8 V工作进行了优化,并且具有3.6-VI /O容差,支持混合模式信号操作< /li> Ioff支持部分省电模式和后驱动保护 Sub-1-V Operab...

发表于 10-09 16:47 8次 阅读
SN74AUC1G07 具有漏极开路输出的单路缓冲器/驱动器

SN74LVC162244A 具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器

该16位缓冲器或驱动器设计用于1.65 V至3.6 V VCC操作。该器件可用作4个4位缓冲区,2个8位缓冲区或1个16位缓冲区。 特性 德州仪器宽带总线系列成员 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 3.3 V时最大tpd4.4 ns 典型VOLP(输出接地反弹) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V VCC= 3.3 V,TA= 25°C 支持所有端口上的混合模式信号操作(5 -V输入/输出电压,用于3.3VVCC) 输出端口具有等效的26Ω系列电阻,因此无需外部电阻器 我off支持实时插入,部分掉电模式和后驱动保护 闩锁性能超过100 mA每个JESD 78,Class II ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(A114-A) 1000-V充电设备模型(C101) 参数 与其它产品相比 同向缓冲器/驱动器 ...

发表于 10-09 16:44 23次 阅读
SN74LVC162244A 具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器

CD74AC04 六个反向器

 AC04器件包含六个独立的逆变器。设备执行布尔函数Y = A \。 特性 交流电源类型具有1.5V至5.5V的工作电压和30%电源电压下的均衡噪声抗扰度 双极F,AS和S的速度,显着降低功耗 平衡传播延迟 ±24-mA输出驱动电流扇出至15 F器件 耐SCR闩锁CMOS工艺和电路设计 超过MIL-STD-883的2kV ESD保护,方法3015 参数 与其它产品相比 反向缓冲器/驱动器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) IOL (Max) (mA) ...

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CD74AC04 六个反向器

SN74AHCT1G125 具有三态输出的单路总线缓冲器闸

SN74AHCT1G125器件是具有3态输出的单总线缓冲栅极/线路驱动器。当输出启用(> OE )输入为高时,输出被禁用。当 OE 为低时,数据从A输入传递到Y输出。 特性 4.5 V至5.5 V的工作范围 最大t pd 为6 ns at at 5 V 低功耗,10-μA最大I CC ±8-mA输出驱动,5 V 输入是否兼容TTL电压 闩锁性能超过250 mA 每JESD 17 参数 与其它产品相比 同向缓冲器/驱动器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) IOL (Max) (mA) ...

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SN74AHCT1G125 具有三态输出的单路总线缓冲器闸

SN74LVC1G240 具有三态输出的单路反向缓冲器/驱动器

此单缓冲器/驱动器设计用于1.65 V至5.5 VVCC操作。 SN74LVC1G240是一款具有三态输出的单线驱动器。当输出使能(> OE)输入高时,输出被禁用。 NanoFree™封装技术是IC封装的重大突破概念,使用芯片作为封装。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE应该绑定通过上拉电阻到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 特性 德州仪器NanoFree软件包中提供 支持5-VVCC操作 输入接受电压至5.5 V 向VCC提供向下转换 3.7的最大tpdns在3.3 V 低功耗,10-μA最大ICC ±24-mA输出驱动,3.3 V Ioff支持实时插入,部分断电模式和后驱动保护 闩锁性能超过每个JTED 78,Class II 100 mA ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型...

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SN74LVC1G240 具有三态输出的单路反向缓冲器/驱动器

74ACT11004 六路反向器

该设备包含六个独立的逆变器。它执行布尔函数Y = A \。 74ACT11004的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 特性 输入兼容TTL电压 流通式架构优化PCB布局 中心 - 引脚V CC 和GND配置最大限度地降低高速开关噪声 EPIC TM (增强型高性能注入式CMOS)1-um工艺 在125°C时典型的闩锁抗扰度500 mA 封装选项包括塑料小外形(DW),收缩小外形(DB)和薄收缩小外形(PW)封装和标准塑料(N)300密耳DIP EPIC是德州仪器公司的商标。 参数 与其它产品相比 反向缓冲器/驱动器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ...

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74ACT11004 六路反向器

SN74LVCZ16240A 具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器

这个16位缓冲器/驱动器设计用于2.7 V至3.6 VV CC 操作。 < p> SN74LVCZ16240A专为提高三态存储器地址驱动器,时钟驱动器和面向总线的接收器和发送器的性能和密度而设计。 该器件可用作四个4位缓冲区,两个8位缓冲区或一个16位缓冲区。该器件提供反相输出。 输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。此功能允许在混合3.3 V /5 V系统环境中将这些器件用作转换器。 在上电或断电期间,当V CC 介于0和0之间时1.5 V,器件处于高阻态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 该器件完全适用于使用I off 和上电3的热插拔应用-州。 I off 电路禁用输出,防止断电时电流回流通过器件(V CC = 0 V)。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为2.7 V至3.6 V 输入接受电压至5.5 V 3.3 ns时最大t pd 为4.2 ns V I off 和上电3态支持热插...

发表于 10-09 10:58 2次 阅读
SN74LVCZ16240A 具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器

SN74AUC1G240 具有三态输出的单路缓冲器/驱动器

该总线缓冲器门电路虽然专门针对1.65V至1.95VV CC 工作范围而特别设计,但可以在0.8 V至2.7VV CC 的范围内工作。 SN74AUC1G240是一款具有一个三态输出的单通道线路驱动器。当输出使能( OE )输入为高电平时,输出被停用。 为了确保上电或断电期间的高阻抗状态, OE 应通过一个上拉电阻器连接至V CC ;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力来决定。 NanoFree™封装技术是IC封装概念的一项重大突破,它将硅晶片用作封装。 该器件的技术规格针对采用I off 的部分断电应用而全面拟订。我 off 电路负责停用输出,从而可防止破坏性的电流在其断电时通过器件回流。 特性 采用德州仪器的NanoFree封装 专为1.8V工作电压而优化并具有3.6VI /O的电压容忍范围,旨在支持混合模式信号操作 我 off 支持部分断电模式操作 可在低于1V的电压下操作 最大t pd 为2.5ns(在1.8V时) 低功耗:10μA最大I CC ±8mA输出驱动(在1.8V时) ...

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SN74AUC1G240 具有三态输出的单路缓冲器/驱动器

SC2200和SC1894有什么区别

了解SC2200和SC1894 RF功率放大器线性化电路(RFPAL)器件的主要差异。器件可理想用于....

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MAX20067缓冲器及TFT-LCD的集成电源的介绍

本视频简要介绍MAX20067汽车级、3通道显示偏压IC,器件具有VCOM缓冲器、电平转换器和IC接....

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Ampleon推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管,用于88....

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RF技术:利用THA从扩展带宽以突破X波段频率

在系统中使用THA时,应确保采样点的位置在THA和ADC之间进行了优化。使用本文所述的延迟映射程序将....

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浅谈射频放大器下的RF原理及其结构

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5G RF前端朝模组/IC发展 毫米波传输耗损已成历史

以往RF前端多采用离散式元件(Discrete Components),透过印刷电路板(PCB)上的....

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RF印刷电路板的设计布局及建议

本应用提供关于射频(RF)印刷电路板(PCB)设计和布局的指导及建议,包括关于混合信号应用的一些讨论....

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LT1764低压差稳压器的数据手册和资料及应用的详细资料免费下载

LT1764是为快速瞬态响应优化的低压差稳压器。该装置能够提供3A的输出电流,输出电压为340MV。....

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2路数据电视分配器的详细资料数据免费下载

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发表于 09-12 16:13 105次 阅读
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