DIGITIMES Research观察,随节能减碳意识抬头,短期内业者推行油电混合车(Hybrid Electric Vehicle;HEV)以降低排碳量,但长期而言仍倾向全面导入电动车(Electric Vehicle;EV),以确保生活环境的洁净。以成本结构来看,半导体占单台电动车超过1,000美元,其中,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)在车用半导体扮演关键角色。
电动车成本结构中最大者为电池,占比约40~50%,其次为电机驱动系统,约占全车成本15%至20%,其中,IGBT占驱动系统一半左右,即IGBT占电动车约8%至10%成本,成电动车降价第二关键零组件。
IGBT不仅用于电动车内,攸关电动车普及的充电站,站内的高功率充电椿也会采用,因此IGBT的降价不仅有利于电动车普及,也有助于充电椿布建进度加速。
IGBT在制程上亦持续精进,同时,功率模块业者也积极发展集成度更高、散热性更佳的IGBT模块,芯片商也为取得IGBT新制程及技术而发动购并。
估计未来IGBT与电动车的发展关连将日益密切,IGBT市场规模也深具成长潜力,2021年将较2015年成长151%。
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原文标题:【DIGITIMES Research】IGBT占电动车成本10% 至2021年市场成长1.5倍
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