宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料,例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性,因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据,宽禁带半导体市场的全球规模预计将从 2020 年的 27.6 亿美元增长到 2027 年的 86. 5亿美元,年复合增长率达到 17.5%。其中,碳化硅(SiC)半导体市场规模较大,占据了市场份额的大部分。预计未来几年,随着新能源汽车的普及和5G基础设施建设的加速推进,宽禁带半导体市场将持续保持高速增长。由深圳市电子商会和 Bodo’s 功率系统杂志主办的Bodo’s 宽禁带半导体论坛将于今年10月12日在深圳国际会展中心(宝安新馆) 3号馆 3H88 会议区线下举办,分享宽禁带半导体领域的技术发展和最新成就。安森美(onsemi)电源方案部产品经理Jerry也将在现场为大家概述安森美的EV充电设计生态系统和应用于充电桩的智能电源产品和方案,包括碳化硅(SiC)、电源模块和门极驱动器等,以及参考设计和支持工具,助您简化设计,最大化能效以及减小尺寸。
碳化硅技术实现下一代直流快速充电桩的发展
2023年10月12日 15:00 - 15:30
深圳国际会展中心(宝安新馆) 3号馆 3H88 会议区
欢迎注册参加。所有提前注册的与会者将享受如下礼遇:免费参会
矿泉水以及会议资料袋
参会当天午餐券
现场抽奖
本次论坛同时提供在线直播,如无法线下参与,论坛主办方也将于10月10日通过邮件向提前注册的参会人发送在线直播地址。
原文标题:共创宽禁带半导体未来,看碳化硅技术如何推动下一代直流快充桩发展
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