大至功率变换器,小至内存、CPU等各类电子设备核心元件,哪里都少不了MOSFET的应用。MOSFET作为一种半导体器件,既能够实现电路的通,又能够实现电路的断。而半导体器件需要解决的困难,说到底也不太麻烦,那就是降低损耗以此实现更高效率的电气转换。因此合适的功率器件往往能给整个系统带来更可靠的性能,对于电机系统来说也是如此。
从终端应用中用于驱动的MOSFET来看,最主要的仍是用于电机控制的MOSFET。在此应用里,30V-100V的分立式MOSFET是一个庞大且快速增长的市场,尤其对于很多驱动直流电机的拓扑结构来说。虽然在电机驱动上并没有对MOSFET做硬性的要求,但因为电机的频率往往较低,所以对应用在控制上的MOSFET选择还是会有一些讲究的地方,诸如击穿电压、封装等等。30V-100V这个电压等级的电机MOSFET不管是国内还是国外,不少行业玩家的产品都很有竞争力。
英飞凌 OptiMOS5N沟道MOSFET
欧美系这里挑了英飞凌的OptiMOS 5系列,在电机控制上这个系列应该是很有说服力的。不仅因为这个系列在提高功率密度上做到了导通电阻RDS (on)、品质因数更低,还对同步整流进行了优化使其让适配电机控制。
这整个系列在英飞凌给出的导通电阻RDS(on)和品质因数上,比同类产品平均低了大概15%和31%,而且具有快速切换应用程序的功能。这么笼统地看可能没有说服力,所以以IPB026N06N为例看其相关技术参数。
作为OptiMOS 5 60V的N-MOSFET,10V条件下IPB026N06N的导通电阻RDS (on)最大值仅为2.6mΩ,QG仅为56nC。在这个电压级别的MOSFET中,IPB026N06N的导通电阻RDS (on)相比同类产品可不仅仅低了15%,而是低了40%。在导通电阻上,英飞凌无疑是最具有优势的。同时基于封装限制支持大电流满足工业应用要求。
不仅是RDS (on)和QG大大低于其他同类产品,OptiMOS 5系列使用更高的开关频率可以实现更高的功率密度。而其采用的封装也大大提高了系统效率并大幅降低了电压过冲,在提升效率的同时还顺带降低了整个系统的成本。
瑞萨 电机N沟道MOSFET
日系这里选了瑞萨,作为日系半导体后继者的瑞萨在MOSFET商业化上可靠性还是极高的。低导通电阻、低栅极电荷以及大电流是电机驱动MOSFET的基本要求,瑞萨的MOSFET在这些指标上也处于领先水平。
瑞萨的N沟道MOSFET器件,除去低导通电阻和高速开关这两个常见的特点,还拥有高于同类产品的鲁棒性和散热能力,能给电机带来高效的驱动和低热量设计。以瑞萨的40V系列为例,在T=25℃时,40V MOSFET能提供ID为100A的大电流,对于工业领域的应用这样的大电流支持是必不可少的。
整个40V系列的导通电阻RDS (on)在2.3mΩ-2.75mΩ,栅极电荷QG在68nC左右,属于行业领先的低导通电阻和低栅极电荷水平。在封装上瑞萨有更多绝活,WPAK通过主板散热,使小型封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流同时减小布线电感;LFPAK类似D-PAK,但比D-PAK体积小。在封装下也能看出瑞萨在细节上花的不少功夫。低栅极电荷带了更高的系统效率延长了运行时间,散热技术的领先将散热系统再压缩。
华润微电机N沟道MOSFET
华润微电子的MOSFET产品在国内实力首屈一指,旗下的MOSFET覆盖-100V到1500V的低中高压,这是少有国内企业能做到的。目前华润微电子在12V至300V电压范围内的产品种类居多,是其竞争力很强的应用领域。
在40V的产品系列中,导通电阻的波动范围有点大,10V条件下的最低导通电阻典型值仅为0.9mΩ,最大的典型值15.5mΩ,其对应的栅极电荷分别为87.1nC和15nC。如何取舍栅极电荷与导通电阻就看具体应用了。
这里挑选了一款最低导通电阻0.9mΩ的40V MOSFET CRSM010N04L2为例。CRSM010N04L2就是能支持100A的大电流,仅从这两项指标来说,对标上面两家也没问题。CRSM010N04L2使用了SkyMOS2技术,虽然栅极电荷偏高,但不影响FOM值依然优秀。在先进工艺的加持下,华润微40V系列还拥有较高的抗雪崩击穿能力,尤其是快速开关特性。华润微电子在对成本的控制和对工艺及品控的改进上还是很有优势的。
小结
在30V-100V这个庞大的MOSFET市场里,各厂商竞争不可谓不激烈,都是各有所长难分高下。但话说回来,没有最好的产品只能更好的产品,提高电流能力、提高散热性能和降低导通电阻才是电机MOSFET永远不变的追求。
从终端应用中用于驱动的MOSFET来看,最主要的仍是用于电机控制的MOSFET。在此应用里,30V-100V的分立式MOSFET是一个庞大且快速增长的市场,尤其对于很多驱动直流电机的拓扑结构来说。虽然在电机驱动上并没有对MOSFET做硬性的要求,但因为电机的频率往往较低,所以对应用在控制上的MOSFET选择还是会有一些讲究的地方,诸如击穿电压、封装等等。30V-100V这个电压等级的电机MOSFET不管是国内还是国外,不少行业玩家的产品都很有竞争力。
英飞凌 OptiMOS5N沟道MOSFET
欧美系这里挑了英飞凌的OptiMOS 5系列,在电机控制上这个系列应该是很有说服力的。不仅因为这个系列在提高功率密度上做到了导通电阻RDS (on)、品质因数更低,还对同步整流进行了优化使其让适配电机控制。
(图源:英飞凌)
这整个系列在英飞凌给出的导通电阻RDS(on)和品质因数上,比同类产品平均低了大概15%和31%,而且具有快速切换应用程序的功能。这么笼统地看可能没有说服力,所以以IPB026N06N为例看其相关技术参数。
作为OptiMOS 5 60V的N-MOSFET,10V条件下IPB026N06N的导通电阻RDS (on)最大值仅为2.6mΩ,QG仅为56nC。在这个电压级别的MOSFET中,IPB026N06N的导通电阻RDS (on)相比同类产品可不仅仅低了15%,而是低了40%。在导通电阻上,英飞凌无疑是最具有优势的。同时基于封装限制支持大电流满足工业应用要求。
不仅是RDS (on)和QG大大低于其他同类产品,OptiMOS 5系列使用更高的开关频率可以实现更高的功率密度。而其采用的封装也大大提高了系统效率并大幅降低了电压过冲,在提升效率的同时还顺带降低了整个系统的成本。
瑞萨 电机N沟道MOSFET
日系这里选了瑞萨,作为日系半导体后继者的瑞萨在MOSFET商业化上可靠性还是极高的。低导通电阻、低栅极电荷以及大电流是电机驱动MOSFET的基本要求,瑞萨的MOSFET在这些指标上也处于领先水平。
(图源:瑞萨)
瑞萨的N沟道MOSFET器件,除去低导通电阻和高速开关这两个常见的特点,还拥有高于同类产品的鲁棒性和散热能力,能给电机带来高效的驱动和低热量设计。以瑞萨的40V系列为例,在T=25℃时,40V MOSFET能提供ID为100A的大电流,对于工业领域的应用这样的大电流支持是必不可少的。
整个40V系列的导通电阻RDS (on)在2.3mΩ-2.75mΩ,栅极电荷QG在68nC左右,属于行业领先的低导通电阻和低栅极电荷水平。在封装上瑞萨有更多绝活,WPAK通过主板散热,使小型封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流同时减小布线电感;LFPAK类似D-PAK,但比D-PAK体积小。在封装下也能看出瑞萨在细节上花的不少功夫。低栅极电荷带了更高的系统效率延长了运行时间,散热技术的领先将散热系统再压缩。
华润微电机N沟道MOSFET
华润微电子的MOSFET产品在国内实力首屈一指,旗下的MOSFET覆盖-100V到1500V的低中高压,这是少有国内企业能做到的。目前华润微电子在12V至300V电压范围内的产品种类居多,是其竞争力很强的应用领域。
(图源:华润微)
在40V的产品系列中,导通电阻的波动范围有点大,10V条件下的最低导通电阻典型值仅为0.9mΩ,最大的典型值15.5mΩ,其对应的栅极电荷分别为87.1nC和15nC。如何取舍栅极电荷与导通电阻就看具体应用了。
这里挑选了一款最低导通电阻0.9mΩ的40V MOSFET CRSM010N04L2为例。CRSM010N04L2就是能支持100A的大电流,仅从这两项指标来说,对标上面两家也没问题。CRSM010N04L2使用了SkyMOS2技术,虽然栅极电荷偏高,但不影响FOM值依然优秀。在先进工艺的加持下,华润微40V系列还拥有较高的抗雪崩击穿能力,尤其是快速开关特性。华润微电子在对成本的控制和对工艺及品控的改进上还是很有优势的。
小结
在30V-100V这个庞大的MOSFET市场里,各厂商竞争不可谓不激烈,都是各有所长难分高下。但话说回来,没有最好的产品只能更好的产品,提高电流能力、提高散热性能和降低导通电阻才是电机MOSFET永远不变的追求。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
141文章
6569浏览量
210130
发布评论请先 登录
相关推荐
H7310 线性恒流调光芯片 支持24V30V48V60V100V转3.3V5V12V1.5A 外围简单 性价比高
不断增加,这也促进了其性价比的提高。
H7310 线性降压芯片 支持24V30V48V60V100V转3.3V5V12V1.5A 外围简单 性价比高
产品描述
H7310是一种带PWM调光功能的线性降压
发表于 03-29 16:11
数据中台:如何构建企业核心竞争力
在当今信息化快速发展的商业环境下,“数据中台”已经成为构建企业核心竞争力的关键步骤。数据中台不仅是数据集成与管理的平台,更是企业智能化转型的加速器。本文将深入探讨数据中台的定义、特点、构建方法及其在企业中的作用。
EMC测试整改:提升产品合规性和市场竞争力?|深圳比创达电子
EMC测试时可能会遇到一些问题和不合格情况,因此需要进行整改来提升产品的合规性和市场竞争力。接下来就跟着深圳比创达电子小编一起来看下吧!一、深入分析测试不合格原因在进行EMC测试整改之
发表于 03-07 09:50
DCDC应用电路方案中MOS管如何选型?30V60V100V150V
电压或输出电流的调节。一般是通过控制MOS管的导通时间和截止时间来实现不同的占空比,从而改变输出电压的平均值或输出电流的平均值。
MOS管的应用领域
DCDC应用领域中,分为恒流和恒压两种模式。
恒压
发表于 01-20 15:30
PC5028可调频率输出内置驱动MOSFET低至100KHZ频率宽压输入输出
概述PC5028是一款高性能的增压器驱动N沟道MOSFET的控制器同步升压功率级,从宽输入电源范围从4.5V到40V。当控制器从输出电压偏置控制器可以从低至启动后1
发表于 12-25 18:23
云思智慧获评2023上海市软件核心竞争力企业,推动各行业数字化转型升级
近日,上海市软件行业协会开展了“2023软件核心竞争力评价工作”,上海云思智慧信息技术有限公司(下称“云思”)经过层层选拔,最终在1500多家企业中脱颖而出,成功获评“2023上海市软件核心竞
DCDC输入72V转20V、12V、5V降压电源IC
SL3041 是一款内部集成有功率MOSFET管可设定输出电流的降压型开关稳压器。可工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(10V至100V)可提供最大3A电流的
发表于 12-07 16:44
BP8523D智能家居电源芯片5V100MA
深圳市三佛科技有限公司供应BP8523D智能家居电源芯片5V100MA
BP8523D 是一款高性能、高集成度、低待机功耗的开关电源驱动芯片,适用于全电压 85~265VAC 输入的 Buck
发表于 11-21 10:32
青稞RISC-V通用系列MCU一览
内核技术的授权费和提成费,通过内置和组合USB、PD、低功耗蓝牙、以太网等专业接口外设,构建了既有全球未来生态又能自主可控、且极具长期竞争力的MCU产品线。
产品阵容产品选型
在线选型
[青稞RISC-V通用系列 -(wch.cn)]
发表于 10-11 09:56
基于KY32MT028主控的高速风筒PCBA方案【深圳市其利天下技术开发有限公司】
技术秉着持续为给客户提供最优竞争力方案的理念,联合原厂定制了KY32MT028主控。
高速风筒主控 KY32MT028
KY32MT028 PCBA
KY32MT028 PCBA
发表于 08-30 10:11
多重竞争优势赋能,欧莱新材IPO夯实公司核心竞争力
。 为了巩固并持续提升公司高性能溅射靶材在技术、产品、市场等方面的行业领先地位和核心竞争力,并力争在全球高性能溅射靶材领域内成为具有一定市场竞争力和行业影响力的知名厂商,欧莱新材根据下游行业技术的发展趋势以及客户对
收购JSR对于增强日本竞争力非常重要
松野博一表示:“个别投资的判断由jic来做。该事业是产业竞争力的核心——尖端半导体开发和生产能力的核心——半导体材料的核心,因此,为了加强产业竞争力
恒天翊的核心竞争力:速度、品质、技术、服务
恒天翊是一家专注于PCB和PCBA电子制造服务的企业,为全球客户已经服务15年,总部位于深圳。
恒天翊的核心竞争力在于其速度、品质、技术、服务方面的卓越表现。
700V 高速风筒专用电机驱动芯片
高速风筒专用电机驱动芯片是一款高压、高速功率
MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参
考输出通道。高速风筒专用电机驱动芯片采用
发表于 05-10 10:05
评论