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通过新拓扑结构和功率器件提高系统效率和功率密度

电子设计 2021-03-12 09:46 次阅读

随着功率电源技术和信息技术的发展,用户对高效率小体积产品的要求越来越高,对电源的性能也相应提出了更为苛刻的规范要求,电源市场迎来巨大的商机,同时也迎来了巨大的挑战。本次报告包括以下几项内容:系统效率和功率密度的重要性,行业发展的趋势以及相应的解决方案,电源设计中面临的挑战,需要更高系统效率和功率密度的一些典型应用,以及在选用飞兆半导体采用屏蔽技术的中等电压Power Trench MOSFET后可实现更高系统效率和功率密度。

基于系统效率和功率密度发展趋势示意图,我们可以清晰的看出,在最近的十年间系统的效率和功率密度有了巨大的提升,尤其以服务器和通信电源为显著。这一巨大的提升是如何实现的呢?它主要是通过尝试新的拓扑结构,引进新技术高性能的功率器件,同时通过良好的系统设计来保证,以上几点我们会在接下来的内容中给出进一步的讨论。

系统效率和功率密度的重要性

为了说明系统效率和功率密度的重要性,我们以通信网络能耗增长为例做简要介绍。自2009年开始,通信网络每年的能耗百分比都以线性上升,到2016年这一数字将翻番,这彰显了系统的效率和功率密度对于工业应用是多么重要。

随着对电源系统效率和功率密度不断提高的行业发展趋势,各个国家和地区针对自己的具体情况开发并颁布了一系列新的标准以适应本国情况,例如美国的能源之星、欧盟的生态标准以及中国的CSC标准。电源行业针对这些新的要求,通过提高系统效率,增加功率密度及降低能源成本的方式来达到新标准的要求。

针对于服务器应用和通信应用的高性能电源,在设计过程中有以下三个指标尤为重要:一、如何提高系统的功率密度,二、如何提高系统轻载下的效率,三、如何实现长系统寿命下的高可靠性。图片所示是在原系统基础上改用飞兆半导体中等电压Power Trench MOSFET后在轻载25%状态下效率有明显的提高,大约1%左右。

通过新拓扑结构和功率器件提高系统效率和功率密度

系统效率和功率密度发展趋势示意图

飞兆半导体应用解决方案

针对目前高性能电源设计中的难点,飞兆半导体的解决方案可以帮助客户降低系统的RDS(ON),减少系统的传导损耗,减少系统的开关噪声,以及减少系统的热耗散,从而使得单位面积做到最小。除了通信电源以及服务器电源之外,需要更高效率和功率密度的应用还有很多,例如ATX电源以及专事转换器、VRM模块、D类音频放大器以及马达驱动等。

这里我们首先以AC-DC同步整流应用为例。在通讯电源的应用中它的主功率部分主要由功率校正电路、原边的电源转换电路、副边的整流电路组成,我们可以很清楚的看到,在图中有非常多的功率器件,系统的效率也就由这些功率器件的工作效率以及本身的性能优劣决定。

在服务器中隔离型或非隔离型DC-DC电路的应用,我们可以用方框图来描述。在下方蓝色图中是一典型的服务器电源的组成架构,它由原边、副边以及非隔离型的DC-DC电路组成。如通信电源一样,在其中有非常多的功率器件来实现电流、电压的转换电路,使系统的效率高低以及功率密度可以做的好坏和功率器件的选择有着直接和密不可分的关系。在以上描述的功率转换电路中,选择飞兆半导体采用屏蔽栅极技术的中等电压Power Trench MOSFET之后,可以实现系统的更高效率和更高的功率密度。

屏蔽栅极技术

这里我们对沟槽型功率MOS管的发展做一个简单的回顾。左边是传统沟槽型MOSFET的典型结构,与前期的平面结构的MOS管相比,它具有更低的RDS(ON)以及更好的开关特性。经过一段时间的发展,底部有厚氧化层的沟槽型MOS管替代了传统的沟槽型MOS管,它可以减少外延层的寄生电阻,得到更低的RDS(ON)。在采用屏蔽栅极技术的Power Trench MOSFET技术之后,可以使功率MOS管具有更高的单元密度,同时在采用电荷平衡技术之寄生电阻后,可以更加有效的减少Epi电阻,从而更大程度的减小了寄生电阻的阻值,以及提高了开通与关断的特性。

在使用了飞兆半导体Power Trench结构功率MOS管之后效能是如何提高的呢?我们以一台1000W的通信电源为平台做一些产品的对照比较。在使用了飞兆半导体FDH055N15A之后,效能提升可以从最小0.2%到超过0.5%,也就是可以有最高5W的功率提升,可以从图中看出,蓝色线是使用了飞兆半导体的功率器件,红色线是竞争对手的5.9mΩ的一颗150V的相同规格的MOS管的测试曲线。

与竞争对手的Power Trench 结构功率MOS管相比,飞兆半导体屏蔽栅极技术的MOS管在同步整流的运用下有明显的优势。如图中所示,飞兆半导体的FDP036N10A与竞争对手最好的MOS管相比,在Qg值上仍然比竞争对手低10%以上。我们可以读出它的数据,飞兆半导体的FDP036N10A的Qg值是58.7,而竞争对手最好的MOS管也要达到76.2。

系统轻负载效率比较

AC-DC同步整流应用

同步整流中的驱动损耗

从左边测试曲线可以看出,在导通期间内电流从源极到漏极流过MOSFET沟道,并在死区时间流过体二极管,由于在开关瞬变期没有电压穿过同步开关,所以这里不会发生“密勒效应”,在栅-源电压上没有过渡平台。再看右边的曲线图,红色线为没有了“密勒效应”的驱动波形,可以看到它的时间相对传统MOS管的时间有着明显的缩短。

在针对隔离型和非隔离型DC-DC应用中如何提高效能,我们基于一款1/16砖的平台上做了一系列的比较试验。在采用了飞兆半导体FDMS86252与主要竞争对手产品比较,效率提升范围最小为0.4%,最大为超过1%,也就是有0.32W的功率提升,从图中可以看出,上面的曲线为采用了飞兆半导体FDMS86252的测试曲线。

众所周知低的RDS(ON)可以提高系统效能以及功率密度,这里我们针对芯片级对RDS(ON)的贡献做出分析。在比较每一串联电阻对低电压部分和高电压部分的贡献率时,可以看到,当Vg=10V、单位电流密度为200A/cm2时,外延层的电阻占的比例至关重要。在30V的VDS时,外延层的电阻只占29%,但当VDS上升到100V时,外延层的电阻将占到整个RDS(ON)的78%。所以现今在高压MOSFET上所做的大部分开发工作,都正在转向如何减少漂移区的EPI电阻。

现今如要满足行业的标准,就必须要提高设计的效率以及增加功率密度。飞兆半导体的屏蔽栅极功率MOSFET中,在5X6mm尺寸内最低RDS(ON)最大值可以做到2.5mΩ,典型值为60V的击穿电压。如右图所示,屏蔽栅极功率MOS管的击穿参数除传统的参数Cds、Cgs和Cgd之外,这里增加了CG屏蔽层以及CD屏蔽层,CG屏蔽层以及CD屏蔽层的电容作用会在后边给出解释。

飞兆半导体领先的RDS(ON)性能

基于飞兆半导体屏蔽栅极技术所提供的RDS(ON)性能,从图中可以读出,飞兆半导体屏蔽栅极技术功率MOS管测试点都在竞争对手的下边,也就是说在相同的测试条件下,飞兆半导体屏蔽栅极技术可以提供更低的RDS(ON)性能。

在选用飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管后,功率密度又是怎么增加的呢?我们基于AC-DC同步整流应用做一简单介绍。在选用飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管后,可以有效减少电压尖峰,其结果是可以使设计者选用更低额定电压的MOSFET,同时大多数应用都无需外部缓冲器。在相同测试条件下,使用飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管后电压尖峰可以比对手的小10%以上。

隔离型或非隔离型DC-DC的应用

同步整流中的电压尖刺损耗

在同步整流中,与器件相关的主要参数是MOS管的体二极管的柔和程度,针对于飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管而言,这一特性会比竞争对手更好,也就是我们定义体二级管恢复时间的TB/TA为软恢复特性,当这特性较软时,意味着同步整流中的电压尖刺可以被有效降低,其结果是可以省去缓冲器电路,或者用较低额定电压MOS管替换较高额定电压的MOS管。

屏蔽栅极技术的优势

可以带来优良的体二极管性能,而优良的体二极管性能又可以带来软反向恢复特殊和低电压尖刺,下三图是实测结果。左面是使用了飞兆半导体屏蔽栅极技术的体二极管反向恢复特性,最高毛刺电压仅有56.8V,中间图是和竞争对手最好的MOS管相比,它的方向尖峰电压仍然到63.32V。

对于隔离型或非隔离型DC-DC的应用中,在考虑到线路板空间更小,又需要增加功率密度时,我们推荐Power56的封装形式,而非D2PAK或其他封装模式。在使用了飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管后,可以减少开关节点的振铃现象,同时由于屏蔽栅极功率MOS管固有的电子和电容,可以实现内置的漏极到源极的缓冲电路,从而在大多数应用都无需外部缓冲电路。

与传统的Power Trench 功率MOS管相比,屏蔽栅极技术有着独特的优势。屏蔽栅极技术MOS管可以减少QGD,减少QGD带来的结果是可以拥有非常优良的开关特性及较低的振铃现象,较低的振铃现象又可以使多数情况下无需外接缓冲电路。通过比较我们可以看到,采用飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管后产生的振铃不到竞争对手的一半。

现在对电源系统的高能耗成本做系统分析。以服务器机架电源成本为例,预计2011年服务器数量将达到870万台,每台服务器的额定电源为4X2KW/h,即8KW/h,而每个机架有8台服务器,就是有大约100万个服务器机架,乘以8KW/h后得到额定功率为800万KW/h,以每KW/h价格0.15美元计算,最后得到成本为120万美元。对应如此高的能源成本,我们只能通过提高电源效率、提高功率密度,来节约电源的高能耗成本。

现在看看系统选用飞兆半导体的高成本效益电源之后会有什么变化。我们选用Power56技术封装的屏蔽栅极MOS管FDMS86500L,它可以使整机效率提高约1%,即每个电源每小时节电20W,每个服务器机架每年节电800W,每个服务器机架每年可以节省105美元,考虑到全部服务器机架数量为100万台,这样总体每年可以节省约11.4亿美元。这里我们可以看到,提高效率可以大幅节省成本,而提高功率密度又可以提供占位更小的解决方案,从而进一步节省成本。

总结

对于功率电源领域的发展趋势而言,更高的系统效率以及更高的功率密度已经成为各大公司及其设计人员所要达到的首要目标。根据这一系列的高要求,飞兆半导体推出了一系列的高性能的屏蔽栅极功率MOS管,可以很好的帮助设计人员解决效率以及功率密度的问题。飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管针对通信电源、服务器电源以及DC-DC同步整流电路,可以提高效率和功率密度,对于飞兆半导体屏蔽栅极功率MOS管的特点而言,具有低的Qg、软的体二极管的恢复特性以及极低的RDS(ON),以上特性均可以对系统的效率以及功率密度产生相当的贡献。

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统给定环境是简易栅极驱动或电源电压时,STMicroelectronics标准晶闸管非常宝贵。该器件涵盖跨接器保护、电机控制、电源网络开关和各种能量脉冲输送系统。ST的SCR器件的峰值电压高达1200V,最大电流高达50A,栅极触发电流为5至80mA。它们可采用DPAK、IPAK、TO220AB、TO220 FP、D2PAK、TO220AB Ins.、RD91、TOP-3和TO247封装。 特性 峰值电压高达1200V 最大电流高达50A 栅极触发电流为5至80mA 可采用DPAK、IPAK、TO220AB、TO220 FP、D2PAK、TO220AB Ins.、RD91、TOP-3和TO247封装。 应用 太阳能/风能可再生能源逆变器和整流器 固态继电器 (SSR) 不间断电源 (UPS) 工业SMPS 旁路 交流/直流浪涌电流限制器(ICL) 电池充电器 交流/直流电压控制整流器 工业焊接系统 非车载电池充电器 软...
发表于 10-29 14:06 52次 阅读
TN6050-12PI STMicroe lectronics标准晶闸管

MAXM15068AMB+ MaximIntegrated MAXM15068稳压器IC和电源模块

Integrated MAXM15068稳压器IC和电源模块 实现散热更好、尺寸更小且更加简单的电源解决方案。MAXM15068是具有集成控制器的高效率、同步降压直流-直流模块。它还集成了MOSFET、补偿元件和电感器(可以在宽输入电压范围内工作)。该模块在7.5V至60V输入范围内工作,可提供高达200mA输出电流。它具有5V至12V可编程输出范围。该模块大大降低了设计复杂度、制造风险,并提供了真正的即插即用式电源解决方案,缩短了产品的上市时间。 特性 简单易用 宽输入范围:7.5V至60V 可调输出电压范围:5V至12V 反馈精度:±1.44% 输出电流高达200mA 内部补偿 全陶瓷电容器 高效率 可选PWM或PFM工作模式 关断电流:低至2.2μA(典型值) 灵活的设计 内部软启动和预偏置启动 开漏电源良好输出(RESET引脚) 可编程EN/UV...
发表于 10-29 12:44 48次 阅读
MAXM15068AMB+ MaximIntegrated MAXM15068稳压器IC和电源模块

MAX25014ATG/V+ MaximIntegrated MAX25014汽车级4通道背光驱动器

Integrated MAX25014汽车级4通道背光驱动器具有IC控制的脉宽调制 (PWM) 调光和混合调光功能,非常适合用于汽车仪表板和信息娱乐显示屏。集成电流驱动,每路可支持高达150mA LED灌电流。该器件采用2.5V至36.0V的宽输入电压范围,并能承受汽车负载突降事件。 内部电流模式直流-直流开关控制器可配置为升压或SEPIC拓扑,工作频率范围为400kHz至2.2MHz。集成的扩频有助于降低EMI。该器件采用自适应输出电压调节机制,可最大限度地降低LED电流驱动通路的功耗。 包含用于外部nMOSFET系列开关的控制,以降低背光关闭时的静态电流,并在发生故障时断开升压转换器。 MAX25014符合AEC-Q100标准,采用24引脚TQFN封装,设计用于在-40°C至+125°C温度范围内工作。 特性 宽电压范围运行 启动后工作电源电压低至2.5V 承受高达40V的负载突降 高度集成 完整的4通道解决方案,包括升压控制器 I2C控制,可最大限度地减少元件数量 ...
发表于 10-28 14:55 30次 阅读
MAX25014ATG/V+ MaximIntegrated MAX25014汽车级4通道背光驱动器

LDO40LPU50RY STMicroelectronics LDO40L 低压差稳压器

oelectronics LDO40L低压差稳压器是一款400mA、38V LDO,非常适合用于严苛的汽车环境。LDO40L稳压器的静态电流低至45uA,因此适合用于永久连接电池电源的应用。当点火开关关闭时且电子模块保持活动模式时,此特性尤其重要。 LDO40L具有各种嵌入式保护功能,包括电流限制和热关断。另外,LDO40L还具有-0.3V至40V输入电压范围、低压差以及低静态电流等特性,因此适合用于低功耗工业和消费类应用。 LDO40L低压差稳压器符合汽车应用类AEC-Q100标准,采用带可湿性侧翼的紧凑型DFN-6 (3x3) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准(1级) 低静态电流:45µA(无负载时的典型值) 高达38V的宽输入工作电压范围 低启动电压:3.5V 输出电流:高达400mA 输出电压选项: 可调电压:最低2.5V 固定电压:3.0V、3.3V、5.0V、8.5V 输出电压精度: ±1%(25°C时的典型值) ±3%(包括线路...
发表于 10-28 09:50 71次 阅读
LDO40LPU50RY STMicroelectronics LDO40L 低压差稳压器

M95M04-DRMN6TP STMicroelectronics M95M04 4MB 串行EEPROM

oelectronics M95M04 4MB串行EEPROM组织为524288 x8位,通过SPI总线访问。这些EEPROM的电源电压范围为1.8V至5.5V,保证工作温度范围为-40°C至85°C。这些串行EEPROM具有512字节识别页面,用于存储敏感的应用参数,这些参数可永久锁定在只读模式下。 特性 兼容SPI总线 存储器阵列: 4mbeeprom 512字节页面大小 额外识别页面 增强ESD保护 封装: SO8n(m95m04-drmn6tp) tssop8(m95m04-drdw6tp) 规范 写入时间: 5ms内字节写入 5ms内页面写入 最高时钟频率:10MHz 单电源电压:1.8V至5.5V 工作温度范围:-40°C至85°C 超过4百万次写入循环 数据保留超过40年 功...
发表于 10-28 09:37 54次 阅读
M95M04-DRMN6TP STMicroelectronics M95M04 4MB 串行EEPROM

MAX20087ATPA/VY+ Maxim Integrated MAX2008x相机电源保护IC

Integrated MAX2008x相机电源保护IC是双路/四路相机保护器IC,可为四个输出通道中的每一个提供高达600mA负载电流。这些IC采用3V至5.5V电源供电,相机电源电压范围为3V至15V,在300mA时输入至输出电压降为110mA(典型值)。MAX2008x IC具有使能输入和IC接口,用于读取器件的诊断状态。该IC设有板载ADC,可通过每个开关读取电流。MAX2008x相机电源IC包括分别在每个输出通道上的过热关断和过流限制。该电源保护IC的理想应用是雷达和相机模块同轴电缆供电。 特性 小尺寸解决方案: 多达四个600mA保护开关 输入电源:3V至15V 3V至5.5V服务电源 26V电池短路隔离 可调电流限制:100mA至600mA 可选I2C地址 小型 (4mm x 4mm) 20引脚SWTQFN封装 精度: 电流限制精度:±8% 0.5ms软启动 0.25ms软关断 关断电流:0.3μA 压降:110m...
发表于 10-21 10:50 83次 阅读
MAX20087ATPA/VY+ Maxim Integrated MAX2008x相机电源保护IC

MAXM17635AMG+ Maxim Integrated MAXM17633、MAXM17634、MAXM17635电源模块

Integrated MAXM17633、MAXM17634和MAXM17635电源模块是一系列稳压器IC和电源模块。这些器件实现散热更好、尺寸更小且更加简单的电源解决方案。MAXM17633、MAXM17634和MAXM17635具有集成控制器、MOSFET、补偿元件和电感器,可在宽输入电压范围内工作。该模块在4.5V至36V输入范围内工作,可提供高达2A输出电流。 特性 简单易用 宽输入范围:4.5V至36V 0.9V至12V可调输出 (MAXM17635) 3.3V和5V固定输出电压版本 (MAXM17633和MAXM17634) 400kHz至2.2MHz可调频率,可实现与外部时钟同步 反馈精度:±1.2% 输出电流:高达2A 内部补偿 陶瓷电容器 高效率 可选的PWM、PFM或DCM工作模式 关断电流:低至2.8μA(典型值) 灵活的设计 可编程软启动和预偏置启动 ...
发表于 10-21 10:20 119次 阅读
MAXM17635AMG+ Maxim Integrated MAXM17633、MAXM17634、MAXM17635电源模块

MAXM17630AME+ Maxim Integrated MAXM17630 MAXM17631和MAXM17632电源模块

Integrated MAXM17630、MAXM17631和MAXM17632喜马拉雅uSLIC™降压电源模块可用来设计散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。MAXM17630和MAXM17631是高效同步降压型DC-DC模块,具有集成控制器、MOSFET、补偿元件和电感器,可在宽输入电压范围内运行。 该电源模块的工作电压范围为4.5V至36V,可提供高达1A的输出电流。MAXM17630和MAXM17631模块分别具有3.3V和5V固定输出电压。MAXM17632模块具有可调输出电压(0.9V至12V)。该器件提供真正的即插即用电源解决方案,大大降低了设计复杂性和制造风险,缩短了上市时间。内部补偿覆盖整个输出电压范围,因此无需外部补偿元件。 MAXM17630/MAXM17631/MAXM17632电源模块采用峰值电流模式控制架构,可在脉宽调制 (PWM) 、脉频调制 (PFM) 或断续导通模式 (DCM) 下工作,从而在轻负载条件下实现高效率。该模块系列在-40°C至+125°C范围内的反馈电压调节精度为±1.2%。 MAXM17630/MAXM17631/MAXM17632电源模块采用紧凑的薄型16引脚3mmx3mmx1.75mm uSLIC封装,且可提供仿真模...
发表于 10-21 09:59 72次 阅读
MAXM17630AME+ Maxim Integrated MAXM17630 MAXM17631和MAXM17632电源模块

NCV8535 LDO稳压器 500 mA 低Iq 超高精度 带使能

5低静态电流低压降(LDO)线性稳压器是一款高性能LDO稳压器。它具有+/- 0.9%的线路和负载精度以及超低静态电流和噪声,涵盖了当今消费类电子产品所需的所有必要功能。这种独特的器件保证在没有最小负载电流要求的情况下保持稳定,并且对于任何类型的小至1.0 uF的电容器都是稳定的。 NCV8535还配备了感应和降噪引脚,以提高设备的整体实用性。 NCV8535提供反向偏压保护。 特性 线路和负载的高精度(25℃时+/- 0.9%) 满载时的超低压降(典型值260 mV) 稳定性无最小输出电流 低噪声(31 uVrms) w / 10 nF Cnr和51 uVrms w / out Cnr) 低关断电流(0.07 uA) 反向偏向保护 2.6 V至12 V电源范围 热关断保护 目前的限制 仅需1.0 uF输出电容以确保稳定性 使用任何类型的电容器(包括MLCC)均可稳定 提供1.5 V,1.8 V,1.9V,2.5 V,2.8 V,2.85 V,3.0 V,3.3 V,3.5V,5.0 V和可调输出电压 应用 终端产品 汽车音响和信息娱乐 汽车配件 汽车仪表盘 汽车相机显示器 汽车仪表板电子产品 汽车 工业 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 120次 阅读
NCV8535 LDO稳压器 500 mA 低Iq 超高精度 带使能

NCV8165 LDO稳压器 500 mA 低压差 超低Iq 超高PSRR 超低噪声

5是一款LDO(低压降稳压器),能够提供500 mA输出电流。 NCV8165器件旨在满足RF和模拟电路的要求,具有低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。提供DFNW8 0.65P,3 mm x 3 mm x 0.9 mm封装。 类似产品: NCV8160 NCV8161 NCV8163 NCV8165 输出电流(A) 0.25 0.45 0.25 0.50 PSRR f = 1 kHz(dB) 98 98 92 85 噪音(μV RMS ) 10 10 6.5 8.5 特性 优势 超高PSRR在1 kHz时为85dB,在100 kHz时为63dB 非常适用于Wi-Fi模块等功耗敏感设备 超低输出噪声8.5μV RMS 非常好适用于噪声敏感应用 超低静态电流12μA 在轻载条件下提高效率 工作输入电压范围1.9V至5.5V 适用于电池供电设备 极低压差200mV,500mA 满载时的低功耗 应用 终端产品 A / D和D / A转换器电源 音频编解码器 电池供电设备 相机模块 RF模块 WiGig电源 LP5907或LP5912升级 汽车设备点负载调节 信息娱乐,车身控制和导航 远...
发表于 07-29 22:02 311次 阅读
NCV8165 LDO稳压器 500 mA 低压差 超低Iq 超高PSRR 超低噪声

NCP139 LDO稳压器 1 A 超低压降 带偏置轨

是1 A LDO,配有NMOS passtransistor和独立的偏置电源电压(VBIAS)。该器件提供非常稳定,精确的输出电压和低噪声,适用于空间受限,噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能,NCP139具有低IQ消耗。 WLCSP6 1.2 mm x 0.8 mmpackage经过优化,适用于空间受限的应用。 类似产品: NCP13x系列 NCP130 NCP133 NCP134 NCP135 NCP137 NCP139 输出电流(A) 0.3 0.5 0.5 0.5 0.7 PSRR f = 1kHz(dB) 70 70 td> 60 压差电压(V) 0.060 0.090 0.090 0.053 0.060 0.060 特性 优势 超低压降典型的。 40mV 允许节省功率并以非常低的Vin-Vout电压工作。 可调电压版本 低压Vcore应用的最佳选择 在1 A负载下典型的50 mV压降。 最大限度地减少调节器的功率损失 保证输出电流从0到1 非常好的选择用于高电流应用 0.5%典型输出电压精度 非常适合POL应用 输出超过1 A的电流 输出有效可用的放电选项 应用 终端产品 电池供电和便携式设备 智能手机,...
发表于 07-29 22:02 366次 阅读
NCP139 LDO稳压器 1 A 超低压降 带偏置轨

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 277次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

LV5768V-A 降压稳压器 开关 1通道

V-A是一个1通道降压型开关稳压器。 特性 优势 不受负载影响的软启动电路。 电源电路稳定运行。 频率FOLD BACK为负时下垂。 过流保护 内置逐脉冲OCP电路。通过使用外部MOS的导通电阻来检测。 过流保护 开启/关闭功能(启用控制) 可在外部启用控制 同步整流的1通道降压型开关稳压控制器方法 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 21:02 392次 阅读
LV5768V-A 降压稳压器 开关 1通道

NCP81274 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

74是一款多相同步控制器,针对新一代计算和图形处理器进行了优化。该器件能够驱动多达8个相位,并集成差分电压和相电流检测,自适应电压定位和PWM_VID接口,为计算机或图形控制器提供精确调节的电源。集成的省电接口(PSI)允许处理器将控制器设置为三种模式之一,即所有相位接通,动态相位脱落或固定低相位计数模式,以在轻载条件下获得高效率。双边沿PWM多相架构可确保快速瞬态响应和良好的动态电流平衡。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 图形卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 203次 阅读
NCP81274 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

NCP81276 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

76是一款多相同步控制器,针对新一代计算和图形处理器进行了优化。该器件能够驱动多达4个相位,并集成差分电压和相电流检测,自适应电压定位和PWM_VID接口,为计算机或图形控制器提供精确调节的电源。集成的省电接口(PSI)允许处理器将控制器设置为三种模式之一,即所有相位开启,动态相位脱落或固定低相位计数模式,以在轻载条件下获得高效率。双边沿PWM多相架构可确保快速瞬态响应和良好的动态电流平衡。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 图形卡电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 231次 阅读
NCP81276 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 272次 阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

NCP81038 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

38是一款双同步降压控制器,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为台式机和笔记本电脑系统所需的多个电源轨。 NCP81038包括两个降压开关控制器,通道2上固定5.0 V输出,通道1上3.3 V,两个板载LDO,三个输出:5 V / 60 mA和3.3 V或12 V / 10 mA。 NCP81038支持高效率,快速瞬态响应并提供电力信号。安森美半导体专有的自适应纹波可控制器从CCM到DCM的无缝过渡,其中转换器运行时降低了开关频率,在轻载时具有更高的效率。该器件的工作电源电压范围为5.5 V至28 V 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 357次 阅读
NCP81038 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

NCP81148 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

48是一款双同步降压控制器,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为台式机和笔记本电脑系统所需的多个电源轨。 NCP81148由两个降压开关控制器组成,通道2上固定5.0 V输出,通道1上为3.3 V,两个板载LDO具有三个输出:5 V / 60 mA和3.3 V或12 V / 10 mA。 NCP81148支持高效率,快速瞬态响应并提供电力商品信号。安森美半导体专有的自适应纹波可控制器从CCM到DCM的无缝过渡,其中转换器运行时降低了开关频率,在轻载时具有更高的效率。该器件的工作电源电压范围为5.5 V至28 V. 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 116次 阅读
NCP81148 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

NCP4200 具有I2C接口的多相同步降压转换器

0是一款集成电源控制IC,具有I 2 C接口。它结合了高效,多相,同步降压开关稳压控制器和I 2 C接口,可实现关键系统参数的数字编程。 特性 优势 I 2 C 启用关键系统参数的数字化编程 快速增强型PWM弹性模式架构 出色的负载瞬态性能 应用 终端产品 CPU Vcor​​e 游戏,桌面,服务器 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 18:02 206次 阅读
NCP4200 具有I2C接口的多相同步降压转换器

NCP4208 同步降压转换器 8相 VR11.1可编程 带I2C接口

8是一款集成电源控制IC,具有I 2 C接口。 NCP4208是一款高效,多相,同步降压开关稳压控制器,可帮助设计高效率和高密度解决方案。 NCP4208可编程为1,2,3,4,5,6,7或8相操作,允许构建多达8个互补降压开关级。 特性 优势 快速增强PWM 出色的负载转换性能 应用 终端产品 CPU Vcor​​e 台式电脑,服务器 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 17:02 169次 阅读
NCP4208 同步降压转换器 8相 VR11.1可编程 带I2C接口