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基于USB-C PD 3.0有源钳位反激的开关电源方案

电子设计 2021-02-24 12:01 次阅读

诸如USB-C PD 3.0 100 W可编程电源(PPS)等新兴应用推动了对更小巧,更紧凑的开关电源(SMPS)外形尺寸的需求。如图1所示,提高开关频率可以减小变压器体积,但是更高的开关频率则会增加功耗,从而需要不断发展的反激式架构。

〜100 kHz的固定频率/多模式反激式开关驱动标准SMPS适配器较大变压器。移植到准谐振(QR)反激会使开关频率增加到〜280 kHz,从而将变压器减小到较小的RM8尺寸。采用有源钳位反激式(ACF)可使达到〜450 kHz,从而实现外形较小的RM8LP变压器。最后,用氮化镓(GaN)代替硅结(SJ)FET可实现> 600 kHz的开关,实现更小的变压器体积。

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图1增加开关频率可以减小变压器的体积,但是更高的开关频率会增加功耗。资料来源:安森美半导体

反激式电源

反激是中低功率AC-DC转换器的一种流行拓扑,主要是因为它的低成本和易用性。反激式假定为DC输入,并在次级侧包含一个变压器,一个电源开关(Q1)和一个二极管(图2)。变压器(其中的点表示初级侧与次级侧异相180°)是一个耦合电感器,只有在关闭电源开关时,能量才从初级传递到次级。

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图2反激式拓扑在次级侧包括一个变压器,一个电源开关和一个二极管。资料来源:安森美半导体

反激工作方式

当电源开关(Q1)接通(图3,左)时,电流从Vin流出,能量存储在初级侧和次级侧(磁通场扩展)电感器中。电流不会在次级侧线圈中流动,因为二极管会由于180º的反相而反向偏置。

当电源开关关闭时(图3,右),初级和次级磁通场都开始消除,初级侧的极性发生变化(反激作用),二极管正向偏置,电流在次级侧流动,。

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图3该图显示了电源开关处于打开状态(左)和关闭(右)时的反激式操作。资料来源:安森美半导体

反激式漏电感

不幸的是,当电源开关(Q1)断开时,初级侧漏电感(LLkg)与电源开关的漏源电容Cdss相互作用,导致VDS上出现过多振铃,这会损坏MOSFET(左图4)。可以添加一个称为缓冲器的无源电阻电容二极管RCD钳位来保护MOSFET(图4,右)。缓冲器将LLkg能量从MOSFET漏极移动到缓冲器电容器(CC),并通过RC散发热量。缓冲器不能提高整体反激效率。

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图4添加RCD缓冲器可以保护MOSFET 资料来源:安森美半导体

次级侧的同步整流器

用MOSFET(图5中的Q2,右)替换“续流”二极管(图5,左)可提高次级侧效率。 MOSFET的RDSON耗散的功率比硅二极管(0.6V正向偏置)甚至肖特基(0.3V)二极管要少得多。

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图5在次级侧添加SR MOSFET可以提高效率。资料来源:安森美半导体

波谷切换和准谐振反激

在次级侧电流(ISEC)达到零或不连续模式(DCM)之后,由于励磁电感和开关节点电容之间的谐振,Q1电源开关VDS可能会出现振荡(图6)。这些振荡形成波谷。QR开关将寻找下一个波谷,以便下次打开电源开关。简而言之,在峰值期间打开Q1会增加功耗,而在波谷值期间打开Q1则会降低功耗。

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图6电源开关可能表现出谷底开关振荡。资料来源:安森美半导体

有源钳位反激(ACF)

用MOSFET(Q3)替换钳位二极管(图7,左)可以提高效率(图7,右),并保护电源开关(Q1)。

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图7 ACF架构提高了电源效率。资料来源:安森美半导体

ACF体系结构可以将泄漏电感循环回负载。参考图8的相对时序图,电源开关(Q1)在T0接通,在T2断开。在T2处,漏感(ICLAMP)开始流过有源钳位(Q3)体二极管,为钳位电容器(VCLAMP)充电。在T4,Q3打开,继续VCLAMP充电。在T5处,ICLAMP变为负值,现在VCLAMP通过Q3将漏电感放电回到负载,直到T7。

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图8该相对时序图中显示了ACF泄漏电感的再循环。资料来源:安森美半导体

从T9到T10,有源钳位(Q3)在下一个Q1导通时间将VDS稳定在0V,这称为零电压开关(ZVS)。如果在ZVS,则FET电容为零。因此,导通开关损耗为零,效率更高。这是一种软开关形式,也有利于EMI。

ACF的缺点

ACF有两个缺点。再参考图8,从T5到T7的相对时序,当ICLAMP变为负值时,磁通密度增加,从而导致有源钳位铁芯损耗与之相比略高。图4的RCD缓冲器。另一个缺点是ICLAMP在Q1关断时间内流入变压器的初级绕组。这增加了初级绕组损耗。

安森美半导体的NCP1568是一款高度集成的AC-DC脉宽调制(PWM)控制器,旨在实现ACF拓扑(图9),从而使ZVS能够用于高效,高频和高功率密度应用。不连续传导模式(DCM)操作可在待机功率<30 mW的轻负载条件下实现高效率。

NCP1568 LDRV输出能够直接驱动市场上大多数超结(SJ)MOSFET,而无需外部组件。 ADRV驱动器是5V逻辑电平驱动器,用于将驱动信号发送到NCP51530等高压驱动器。高压驱动器应具有较小的延迟,并适合高达400 kHz的工作频率。

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图9 NCP1568 ACF驱动超结MOSFET Q1。资料来源:安森美半导体

ACF驱动GaN

用于GaN晶体管的SJ MOSFET可以实现更快的开关频率,这主要是由于GaN的寄生电容较低。当然,GaN的成本要高于SJ FET。Navitas Semiconductor的NV6115驱动器接受来自12V或5V驱动器的输入信号。驱动器调节已在GaN内部完成。图10的配置显示了来自NCP1568和NCP51530的驱动信号以满足系统需求。

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图10 NCP1568 ACF驱动NV6115 GaN功率晶体管。资料来源:安森美半导体

USB-C供电2.0与3.0 PPS

USB-C PD源最多可以播报七个电源数据对象(PDO),用于将源端口的电源功能公开给支持PD的接收器。PD 2.0 PDO是固定的,而PD 3.0 PDO是从3.3V到21V的可编程电压(20mV步进)设置,以及高达50A的可编程电流(以50mA步进)(表1)。PPS的优势在于该源可提供更精细的电压/电流粒度,从而提高USB-C源与散热之间的效率。

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表1 USB-C PD 2.0与3.0 PPS

FUSB3307是完全自主的PD 3.0 v1.2和C型v1.3、100 W、源控制器,能够提供3.3-21V(20mV步进)和高达5A(50mA步进)的VBUS,最高可提供七个固定和PPS PDO。FUSB3307是不带MCU的低成本硬件状态机解决方案。无需开发固件,可以加快产品上市时间,并提供防篡改的全功能解决方案。

FUSB3307控制通过光耦合器的CATH引脚电流,向初级侧控制器提供反馈以调节VBUS电压。

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图11 FUSB3307 PD 3.0 PPS控制器是防篡改的全功能解决方案。资料来源:安森美半导体

图12说明了安森美半导体采用USB-C PD 3.0和PPS的29 W / in3、60 W ACF参考设计。 NCP1568 ACF(U2)通过NCP51530(U7)3.5 A,700V半桥驱动器控制SJ电源开关(Q1)和SJ有源钳位(Q2)。NCP4306(U5),7A(漏极),2A(源极)栅极驱动器用于同步整流器控制。FUSB3307(子板2的U1)是基于状态机的USB-C PD 3.0端口控制器,可通过FODM8801BV(U8)光耦合器控制NCP1568 FB输入及其CATH输出来调节VBUS(5-20V)。

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图12这种60 W USB-C PD 3.0 PPS参考设计包含NCP1568 ACF,NCP51530驱动器,NCP4306控制器,FUSB3307控制器和FODM8801BV光耦合器。资料来源:安森美半导体

图13的4点平均效率图的每个数据点都捕获了以下四个额定功率输出的平均效率。使用超结MOSFET达到25%,50%,75%和100%,开关频率高达450kHz。可以看到,从5V输出到20V输出4点平均的NCP1568 115 Vac(蓝线)和230 Vac(绿线)远高于DoE要求的VI级最低限制(红线) 。

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图13该4点平均效率图显示NCP1568超过了DoE Level VI的最低限制。资料来源:安森美半导体

许多应用都对UHD电源提出了很高的要求,包括100 W USB-C PD 3.0 PPS。ACF是在成本和性能之间实现最佳平衡的首选架构。这是因为在不增加GaN成本的情况下,可以获得29 W / in3的功率密度,最高可达92%的4点效率。而且,如果应用允许更高的成本和更高的效率,那么ACF也可以驱动GaN,以实现更高的效率和更高的功率密度。
(来源:安森美,作者:鲍勃·卡德(Bob Card),安森美北美高级解决方案部门(ASG)的市场经理)
编辑:hfy

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NTSB40200CTG 沟槽肖特基整流器40A 200V

200CTG是我们新推出的双通道40A 200V超低正向电压沟槽双肖特基整流器。这种新技术可以降低正向压降,而无需平面肖特基整流器的高反向漏电折衷。该平台还可在很宽的温度范围内提供非常稳定的开关特性,是开关电源的理想输出整流器,包括笔记本电脑和上网本适配器,ATX和平板显示器。 特性 用于极低正向电压和低泄漏的基于精细光刻沟槽的肖特基技术 具有特殊功能的快速切换温度稳定性 低功率损耗和低工作温度 实现监管合规的更高效率 低热阻 高浪涌能力 这些器件无铅,无卤素/无BFR 电路图、引脚图和封装图...
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NTSB40200CTG 沟槽肖特基整流器40A 200V

MURJ1660CTG 16A 600 V超快速整流器

速整流器设计用于开关电源,逆变器和续流二极管。 特性 超快60纳秒恢复时间 150°C工作结温 环氧树脂符合UL94,V O @ 1/8“ 高温玻璃钝化结 低泄漏量@ 150°C外壳温度 当前降级@案例和环境温度 电隔离。无需隔离硬件。 UL认可文件#E69369 机械特性: 案例:环氧树脂,模压 重量:1.9克(约) 表面处理:所有外表面耐腐蚀,端子引线易于焊接 焊接用铅温度:最高260°C 10秒钟 每个塑料管装运50个单位 标记:U1660 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
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MURJ1660CTG 16A 600 V超快速整流器

NCV33152 高速双MOSFET驱动器

2 / MC33152是双同相高速驱动器,专为需要低电流数字信号以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS / LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括具有迟滞的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统不稳定运行。 典型应用包括开关电源,DC-DC转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 该器件提供双列直插和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
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NCV33152 高速双MOSFET驱动器

NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

71是一款高速双低侧MOSFET驱动器。它能够在米勒平台区域提供高达5 A峰值电流的容性负载的大峰值电流,以帮助降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。该设备提供启用功能,为用户提供比各种应用中现有解决方案更好的控制。该器件采用MSOP8-EP封装,SOIC8封装,DFN8 2 mm x 2 mm封装和WDFN8 3 mm x 3 mm封装。 特性 优势 高电流驱动能力(+/- 5 A ) 能够驱动各种MOSFET TTL / CMOS兼容输入,与电源电压无关 在各种应用程序中易于实现 为每个驱动程序启用合并功能 允许用户更好地控制应用程序 引脚与最流行的现有行业标准双MOSFET驱动器兼容 代替现有的插座具有附加功能的额外好处ality 输入电压从4.5V到20V 两个输出可以并联以获得更高的驱动电流 应用 终端产品 开关电源 电信和服务器电源 同步整流器 DC / DC转换器 功率因数校正 电机驱动程序 基站 网络和通信设备 eMeters 汽车信息娱乐系统 摄像机,安防和监控设备 计算和消费类电子产品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 02:02 478次 阅读
NCP81071 高速5A双低侧MOSFET驱动器

MC33151 高速双MOSFET驱动器

1 / MC33151是双反相高速驱动器,专为需要低电流数字电路以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS和LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括带滞后的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统运行不稳定。 典型应用包括开关电源,直流到直流转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 这些器件提供双列直插式和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 引脚输出等效于DS0026和MMH0026 电路图、引脚图和封装图...
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MC33151 高速双MOSFET驱动器

NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

7系列是低压差(LDO)正线性稳压器,能够提供超过1.0 A的输出电流,在800 mA的温度范围内最大压差为1.2 V.该系列包含八个1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V的固定输出电压,无需维持稳压的最小负载要求。还包括可调输出版本,可通过两个外部电阻在1.25 V至18.8 V范围内进行编程。片上微调可将参考/输出电压调整到+/- 1.0%精度。内部保护功能包括输出电流限制,安全工作区补偿和热关断。 NCP1117系列可以在高达20 V的输入电压下工作。器件采用SOT223和DPAK封装。 特性 输出电流超过1.0 A 在800 mA过温时的1.2 V最大压差 固定输出电压为1.5 V,1.8 V,2.0 V,2.5 V,2.85 V,3.3 V,5.0 V和12 V 可调节输出电压选项 无固定电压输出设备的最小负载要求 参考/输出电压调整为+/- 1.0% 电流限制,安全操作和热关断保护 操作至20 V输入 无铅封装可用 应用 消费和工业设备监管点 2.85 V版本的有源SCSI端接 开关电源后置调节 硬盘控制器 电池充电器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 275次 阅读
NCV1117 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可提供低压,大电流输出,并且外部元件数量最少。它具有高精度,超低压差(典型值为300mV,3.0安培负载),同时还提供极低的接地电流。该器件的输入工作电压范围为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。 NCP59301产品具有额外的输出错误标志,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还提供该系列的可调节版本。请联系您当地的销售办事处,了解您的具体要求。 特性 优势 在1.5 A输出时典型压降为175 mV,在3.0 A负载下典型压降为300 mV。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 最小化功率调节器损失 输出端陶瓷电容器稳定 避免使用昂贵的极化钽电容器 适用于汽车应用的NCV版本 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 NC59301选件上可用的错误标志 发出故障信号系统。 输出电流超过3安培 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和...
发表于 07-30 08:02 456次 阅读
NCP59300 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 在完整的3.0 A负载下300 mV典型的压差。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 可最大限度地降低功率损耗调节器 在输出端使用陶瓷电容器稳定 避免昂贵的极化钽电容器 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 用于FPGA,DSP和处理器的负载 开关电源后调节 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 390次 阅读
NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差低于300 mV。该器件的输入工作电压范围为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包括一个使能功能和一个输出错误标志。 特性 优势 输出电流超过1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV典型压差1.5 A处的输出和300 mV典型压差 生成辅助电源轨而无需使用切换调节器 低接地电流 - 在1.5 mA负载下典型值为40 mA 最大限度地减少调节器的功率损耗 在输出端使用陶瓷电容器稳定 昂贵的钽电容器的成本效益解决方案 适用于Aut的NCV版本omotive应用 符合AECQ100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18V 适用于汽车和网通应用程序 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 汽车模块 电路图、引脚图和封装图...
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NCP59150 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容稳定。该系列最初由可调输出电压版本组成,未来计划采用固定电压版本。 NCP58300系列可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。 5引脚版本提供逻辑电平使能和错误标志引脚。 NCP58302是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 完全3.0 A负载时370 mV典型压差 无需使用开关调节器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3.0 A负载下典型值为50 mA 最大限度地降低稳压器的功率损耗 输出上的钽电容稳定 指定使用钽电容稳定 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18 V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 147次 阅读
NCP58300 LDO稳压器 3A 低压差 快速瞬态响应

NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 输出电流超过3.0 A 全3 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的典型压差电压 可调节输出电压范围1.24 V至13 V 低接地电流 快速瞬态响应 开关电源后调节 陶瓷输出电容稳定 逻辑兼容使能引脚 电流限制,反向电流和热量关机保护 工作电压高达13.5 V 汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 工业标准MIC29300,MIC39300,MIC37300的功能替代,具有改进的最小输入电压规格 消费者和工业设备点监管 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...
发表于 07-30 08:02 192次 阅读
NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 快速瞬态响应

NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能和错误标志引脚可用。 NCP57152是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特性 输出电流超过1.5 A 1.5 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 330 mV典型压差电压1.5 A 可调输出电压范围从1.24 V到13 V 低接地电流 快速瞬态响应 陶瓷稳定输出电容器 逻辑兼容使能和错误标志引脚 电流限制,反向电流和热关断保护 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 具有改进的最小输入电压规格的工业标准MIC29150,MIC39150,MIC37150的功能替换 消费者和工业设备监管点 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻...
发表于 07-30 07:02 239次 阅读
NCP57152 LDO稳压器 1.5 A 低压差 快速瞬态响应

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 203次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 269次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

SG3525A PWM控制器

A PWM控制器用于控制所有类型的开关电源,可提供更高的性能和更少的外部元件数量。片内+5.1 V基准电压调整为+/- 1%,误差放大器的输入共模电压范围包括参考电压,因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入使多个单元可以从属,或者单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在CT和放电引脚之间的单个电阻可以编程大范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路,仅需外接定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级,通过脉冲关断的PWM锁存器提供瞬时关断,以及具有更长关断命令的软启动循环。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的变化。输出级采用图腾柱设计,能够吸收和输出超过200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致关闭状态的低输出。 特性 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器范围 单独的振荡器同步引脚 可调节死区时间控制 输入欠压锁定 锁存PWM以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 应用 半桥 推拉式 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 773次 阅读
SG3525A PWM控制器

ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,并且通过5000 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟  50 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV / μ s最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作V CC  范围:10工作温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 持续1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...
发表于 07-04 12:58 317次 阅读
ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。此栅极驱动 光耦非常适合驱动电源 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET 。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340  栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。    功能 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟  100 ns最大传播延迟差异 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC  范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可375...
发表于 07-04 12:57 337次 阅读
ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

HCPL-5121 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04204购买。 。 HCPL-5121在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。对于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分立功率级,从而驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /µ s 在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...
发表于 07-04 12:45 310次 阅读
HCPL-5121 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5151 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04205购买。 。 HCPL-5151在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分立功率级,驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /微; s,在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...
发表于 07-04 12:44 114次 阅读
HCPL-5151 0.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器