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中国企业开始成为存储市场的新兴力量

2020-11-25 15:35 次阅读

半导体存储器是现代以数据为中心社会的关键战略市场,并受到重要的大趋势的推动,这些大趋势包括移动性,云计算,人工智能(AI)和物联网(IoT)。NAND(非易失性)和DRAM(易失性)是当前的主流存储器,分别用作智能手机,固态硬盘,PC,服务器和车辆等广泛应用和系统的存储和工作的存储器。2019年,NAND和DRAM占整体独立存储器市场的96%,合并收入为1070亿美元。

中国是存储设备的重要市场,并且由于移动,汽车和服务器市场的需求旺盛,其需求继续保持强劲增长。值得注意的是,中国购买了全球制造的所有NAND和DRAM芯片的1/3以上。

中国的中央和地方政府与私人企业合作,已投资数十亿美元发展本地半导体产业,以弥合国内生产与消费之间的差距。早在2015年,中国政府就启动了一项大规模资助计划,以将其国内半导体IC生产从2015年的不到20%提高到2025年的70%。大约20个地方政府设立了指导基金。达成总价值超过900亿美元的总体投资计划。中国一直在努力与这一雄心勃勃的计划保持同步。

中国企业开始成为存储市场的新兴力量

但是我们必须认识到,打造和运营与市场领先者相同的技术能力的半导体晶圆厂并不是一个仅通过投入资金就能解决的问题。特别地,由于3DNAND和DRAM设备的高制造复杂性,存储器是一项非常具有竞争性和挑战性的业务。应考虑的主要挑战之一是对高级技术IP和工程人才的需求。美光,三星和SKhynix等外国公司不接受前沿存储器产品的技术许可或与当地公司的合作伙伴关系。而且,收购外国实体的交易通常受到全世界外国政府的阻止。

如今,中国OEM必须从领先的国际供应商那里购买其大部分NAND和DRAM芯片,例如美光,英特尔和WesternDigital(美国),三星和SKhynix(韩国)以及Kioxia(日本)。这些参与者在技术开发方面处于领先地位,并制定了快速而积极的扩展计划。在2019年,同时提供NAND和DRAM产品的制造商(例如三星,SKhynix和美光)将其存储芯片生产的30%以上卖给了位于中国的公司,以及纯NAND厂商(例如Kioxia,WesternDigital和英特尔–平均将其NAND生产的30%销往中国。

在与西方的贸易紧张关系不断升级的背景下,在中国建立自给自足的半导体生态系统的进程已大大加快。然而,领先的半导体国家可以通过贸易手段很容易地限制其发展。因为中国半导体制造商仙子啊依靠外国公司来提供最新的晶圆厂设备(WFE),因为本地设备供应商无法提供领先的制造工具,而且与全球同行的技术差距太大,无法在几年的时间里消除差距。

因此,对于美国(应用材料,LamResearch,KLATencor)以及欧洲(ASML,EVG)和日本(Canon和TokyoElectron)的巨型半导体设备生产商来说,预计中国仍将是其未来多年的主要市场,美国政府对芯片制造技术的贸易限制将极大地限制此类WFE玩家的可服务市场,并将对中国的存储器制造能力产生重大影响。

除此以外,如果美国存储器制造商被禁止向中国出售产品,他们将不得不寻找新客户来购买他们的产品,而韩国或日本的其他存储器制造商将看到中国的需求激增。随着可以从中购买的公司数量减少,中国公司可能会看到内存价格上涨的趋势。

中国存储公司概述

中国有几个正在进行的半导体存储项目,当中涉及国内外参与者。SKhynix,三星和英特尔(最近出售给SK海力士)是主要的外国芯片制造商,在中国拥有大量的NAND和DRAM生产。SKhynix的无锡DRAM晶圆厂每月的装机容量为200,000个晶圆(WPM),而三星和英特尔的3DNAND晶圆厂可分别生产120,000WPM(西安)和65,000WPM(大连)。

两家最具竞争力的本地公司是长江存储(YMTC)和长鑫存储(CXMT)。在NAND业务中,长江存储在中国处于领先地位。目前,该公司正在国内小批量运送64LNAND(包括SSD),预计在2021年将有128L产品投入生产和出货。至于DRAM,CXMT是中国最先进的DRAM公司,已凭借基于10G1制程的8GbDDR4产品进入市场。2019年,YMTC和CXMT均在半导体制造设备上花费了巨额资金,为全球WFE供应商提供了不少收入。

在DRAM业务中,还有两家值得一提的公司:福建晋华集成电路有限公司(JHICC)和清华紫光集团。JHICC一直在与台湾联华电子合作开发DRAM,但在2018年10月因为美国的起诉,而遭受了重大挫折。

清华紫光集团是著名的国有控股工业集团和投资集团,在政府中国集成电路产业的框架内运作推广策略。它拥有对多家公司的控制权,其中包括YMTC,西安UniIC半导体,UNIC内存技术(最近已转移到其他子公司)以及UnimosMicroelectronics(以前称为ChipMos,上海)。

尽管中国开始发展其NAND和DRAM产业,但由于当地供应链的完善发展以及本地主要无晶圆制造商GigaDeviceSemiconductor的推动,中国已成为NOR闪存业务的领先国家之一。在2019年,GIGADEVICE的SPINOR业务排名全球第三,而在全球的NorFlash业务中,GD排在华邦,旺宏电子和赛普拉斯之后,位居全球第四。

中国还启动了一些新项目,以推动新型非易失性存储器(NVM)技术的商业化,例如自旋转移转矩磁阻RAM(STT-MRAM),相变存储器(PCM)和电阻性RAM(ReRAM)。

长江存储成立于2016年,资金总额为240亿美元。该公司总部位于武汉,在中国经营着最先进的3DNAND晶圆厂,并计划将长期生产目标定为30万WPM。YMTC拥有约4,000名员工,由清华紫光集团控制,清华紫光集团持有该公司51%的股份。成立后不久,YMTC收购了武汉新芯半导体制造有限公司(XMC)代工厂,以利用其300mm晶圆厂。XMC是中国第一家基于TSV技术的图像传感器制造商,并一直与Spansion(后来与Cypress合并)合作开发和制造32LNAND器件。

2019年9月,YMTC宣布量产中国首款基于Xtacking的64L3DNAND。从那时起,YMTC计划跳过96L技术,转而使用128L技术,以赶上即将增加第一代1xxL3DNAND产量的国际NAND厂商。值得注意的是,YMTC已开始开发128LNAND,其128L1.33TbQLC3DNAND已通过多个控制器合作伙伴的样品验证。

总体而言,2020年1月爆发的COVID-19大流行似乎并未对YMTC的路线图产生重大影响。

2020年5月,Phison宣布其控制器支持YMTC的3DNAND,从而为基于中国NAND的SSD进入市场铺平了道路。YMTC也可能很快推出基于64L3DNAND芯片的自有品牌SSD,最初瞄准中国的PCOEM。到目前为止,这些芯片已被两家中国公司采用:LongsysElectronics用于其Lexar品牌的固态硬盘和PowerElectronicTechnology用于其Gloway品牌的固态硬盘。

在当前激烈的价格竞争中,YMTC进入NAND市场被认为是新一轮市场整合的可能触发因素。不论其3DNAND芯片的质量水平如何,YMTC都能获得中国品牌厂商的购买支持。同时,作为中国的“冠军”,它将获得中国当地强有力的支持。

长鑫存储于2017年在安徽省合肥市成立。该公司隶属于政府所有的合肥工业投资集团(HIIG)。早在2017年,CXMT宣布以72亿美元的价格收购300mmDRAM晶圆厂,目标产能为120,000WPM。CXMT在2019年第三季度完成了第一阶段设施(Fab1)的建设,并引进了用于生产40,000WPM的设备。它拥有大约3,000名员工,其中超过75%是从事与研发相关项目的工程师。CXMT已获得了奇梦达最初设计的IP许可。CXMT可以访问1000万份文档,涉及模型,设计,制造,控制,质量系统,OPC,测试模式,包装等。2020年4月,CXMT还与Rambus签署了许可协议。

CXMT的最初目标是解决一些国内DRAM需求。除Longsys和Gloway外,第二大内存模块供应商ADATATechnology也已将CXMT的8GbDDR4芯片用于面向中国台式机/笔记本电脑市场的DIMM产品。

据报道CXMT计划在2021年之前完成其17nm制程技术的开发。该公司还概述了未来的制程:在中期,它将使用HKMG和气隙位线(air-gapbitlin)技术,而从长远来看,它将使用柱状电容器,栅极全能晶体管以及(EUV)光刻。但是,长鑫存储未来的挑战依然巨大。

兆易创新成立于2005年,总部位于北京,采用无晶圆厂模式运作,与代工伙伴以及组装测试厂保持着牢固的关系。GigaDevice及其代工合作伙伴半导体制造国际有限公司(SMIC)正在以至少25,000WPM的产能为中国NOR市场提供动力。当前的产品组合包括NOR(512Kb–512Mb,现在有1-2Gb采样),SLCNAND(1-8Gb)存储器和微控制器(MCU)。GigaDevice还与Rambus建立了一家名为RelianceMemory的合资公司,专注于新兴的存储器,主要是电阻RAM(ReRAM)。最近,它从Rambus和RelianceMemory获得了180多项与ReRAM技术相关的专利和应用程序的许可证。

GigaDevice经历了强劲的增长,2019年的收入增长了46%左右。计划投资4.6亿美元,并计划进一步扩大业务。早在2017年,它就与合肥工业投资集团(HIIG)和CXMT达成了一项为期5年的协议,开发总投资额为27亿美元(19%的HIIG和20%的GigaDevice)的19nmDRAM技术。对DRAM技术的访问,再加上其现有的NOR闪存和SLCNAND业务,可能会使GigaDevice成为中国存储器行业的一支新力量。

中国准备从3DNAND开始改变内存市场格局

中国厂商开始逐渐成为存储市场的新兴力量,并可能引发存储器业务的深刻变化。得益于政府投资基金的大量资金支持以及研发和制造的领先优势,YMTC在所有宣布的中国记忆体生产商中最早取得成功。Yole预计YMTC的大量NAND产量(〜4%)可能会在2021年进入市场,而DRAM需要更长的时间。因为制造DRAM晶圆非常困难,而且中国要想与其他行业保持竞争力,就可能需要更长的时间。作为中国最先进的DRAM制造商,CXMT将在2020年提高19nm工艺(10G1)的产量。

如今,显然已经将主流内存放在优先位置,这些内存对于不断增长的数据中心和移动业务至关重要。3DNAND和DRAM项目已占据了大部分资源,而其他内存技术的投资要么相当有限,要么主要集中在最有前途的公司。

但是,中国并没有忽视所有新兴的NVM业务,并启动了许多旨在获取新的内存专业知识和IP并开发新技术工艺和产品的项目,为整个半导体内存业务的下一步发展做好准备。

同时,由于发达的本地供应链和GigaDevice的活动,独立的NOR闪存将仍然是中国最坚固的存储器业务。
责任编辑:tzh

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集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
发表于 12-28 11:21 101次 阅读
集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。 该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。 特性 核心 ...
发表于 10-28 14:50 128次 阅读
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 98次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 79次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 66次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 111次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 80次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 52次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 60次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 126次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 90次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 104次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 108次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 203次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 183次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 246次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 208次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 344次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 1057次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 138次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 235次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI