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一文解析半导体行业的三大领军人物

2020-11-25 14:36 次阅读

在半导体行业,英特尔三星和台积电是当之无愧的龙头。可以看到,2011年以后,英特尔、三星、TSMC三家公司占领了全球半导体销售额的前三名。

如果把英特尔和三星1987年的销售额看做基准“1”,而TSMC的基准是1990年的销售额,三家公司的销售额推移,本来也应该把TSMC的1987年的销售额看做基准的,但令人遗憾的是,没有找到1987年-1989年的IR数据,只好把1990年的数据当做基准。(也许这也印证了节目中张忠谋提到的,最初的几年没有什么销售额。)

到2019年,英特尔的销售额提高了48倍,三星提高了170倍(在存储半导体泡沫的2018年,扩大了231倍),而且,TSMC的销售额居然增长了412倍。

TSMC不仅使销售额获得了飞跃式发展,在2015年以后,取代英特尔,成为了引领尖端技术的半导体厂家。对于10纳米启动失败、7纳米的启动还没有眉目的英特尔而言也许真的会将处理器的生产委托给TSMC,走上Fabless的道路。

一文解析半导体行业的三大领军人物

另一方面,三星也凭借在存储领域的领先地位,晶圆代工的崛起,成为市场上不可忽视的重要角色。在早两年,他们甚至一度超越Intel,成为半导体业界二十多年里,第一个挑战intel,成为营收龙头的企业。

这三家企业能有今天的表现,主要感谢三个人:

1.已故的AndrewGrove(以下简称为“格鲁夫”),作为第三名员工入职RobertNoyce和GordonMoore在1968年成立的英特尔,并于1987年担任英特尔的社长及CEO。

2.于1987年创立了TSMC的MorrisChang(张忠谋,于2018年宣布退休)。

3.李健熙,在父亲李秉喆去世之后,就任三星第二代会长。

回看这三个公司的发展,这一切都是得益于以上三个人在1987年做的重要决定。以上三位伟人除了“以1987年为起点”以外,还有其他共同点,即各位伟人通过“改革”开拓道路,使自己的企业获得成长。下面就三位伟人进行了哪些“改革”展开论述。此外,我们还会讨论李健熙去世后,三星所面临的课题、以及未来的展望。

一、安迪格鲁夫:英特尔王朝的开拓者

安迪格鲁夫:只有偏执狂才能生存

英特尔是由集成电路(IC)发明者之一的RobertNoyce(首代CEO)和因“摩尔定律”而有名的GordonMoore(以下简称为“摩尔”,第二代CEO)二人共同创立的,最初,英特尔的主要业务是存储半导体(尤其是DRAM)。

格鲁夫在1968年入职英特尔,也就是大家所说的“三位创始人”之一。格鲁夫最初的工作是半导体工厂的生产管理负责人(DirectorofOperations)。

生产管理负责的工作主要有严格遵守设计和制造的日程、控制成本、管理半导体产品的出货。即,除了市场营销、销售、策划中长期战略以外,格鲁夫负责所有工作。

格鲁夫将自己的个性与生产管理的工作内容融合,产生了后来的“偏执狂”式的管理。这也和他的名言——“只有偏执狂才能生存”有关。此外,业界还认为是格鲁夫确立了英特尔的哲学——“CopyExactly”(不轻易更改已经确立的设备、工艺)。

安迪格鲁夫的1987:英特尔进军CPU

1975年摩尔从副社长就任CEO,格鲁夫升为COO(首席运营官)。在摩尔担任CEO的初期,英特尔从4K代到16K代,一直是DRAM的巨头企业。但是,大批的日本半导体企业进入,英特尔的占比大幅度下滑。在256K世代,英特尔的占比仅有1.3%。

作为科技的驱动力,英特尔CEO摩尔认为公司应该继续发展DRAM业务,但是由于终止了1MDRAM的研发,格鲁夫COO决定退出DRAM业务。因此,可以推测出格鲁夫COO实际拥有比摩尔CEO更高的实权。

此外,如文章开头所述,1987年格鲁夫就任英特尔的第三任CEO。格鲁夫CEO创立了政治感强烈的中央集权制度,并任命CraigBarrett为COO(克瑞格·贝瑞特,即后来的第四代CEO),CraigBarrett的作用充分体现为“MrInside”,且完全贯彻了格鲁夫CEO的战略。公司内部所有报告都报告给格鲁夫CEO和贝瑞特COO,全部由两个人决定。此外,这种经营文化成为了英特尔的企业文化。

格鲁夫CEO将所有员工的精力集中于PC的处理器上,结果英特尔获得了巨大的成功,在1992年,半导体的销售额一跃称为全球第一,后来的24年间英特尔都是全球第一。

一言以蔽之,格鲁夫推翻了摩尔CEO的经营方针,并将英特尔的基础业务从DRAM改为处理器,借助CEO和COO的强烈的中央集权制度,英特尔成为了全球第一的半导体厂家。

二、张忠谋:台积电巨轮的创造者

张忠谋成立了晶圆代工厂台积电

2013年6月17日(星期一),日本NHK《岛耕作的亚洲传》第二集播放了“代工改变世界~张忠谋(TSMC)”,笔者观看后,感慨颇深。节目中谈到,在1987年张忠谋创立代工这种业务模式之前,经历了各种困难和障碍,如下文所示。

张忠谋于1931年生于中国大陆,是财政局局长的儿子,童年大部分时光在香港度过。其命运因抗日战争和解放战争而改变,后与家人一起辗转各地。

1949年,18岁的时候,张忠谋依靠在美国的叔父去哈佛留学,但是,即使靠打工赚得学费从名牌大学毕业了,中国人在当时的美国也很难获得就业机会。张忠谋在下面的自传中描绘了自己当时的心情。

“如果中国人在美国从事的职业只有教师和研究员,那我是不是应该率先开拓其他职业呢?”

事实证明,张忠谋确实开拓了新的职业。

邂逅半导体产业

几经周折之后,张忠谋邂逅了美国的初代半导体产业,于1958年入职当时的领先企业——TexasInstruments(TI),27岁就成为了工厂的负责人。

TI虽然为IBM生产了用于大型机的晶体管,但很难生产出良品。但是,张忠谋反复进行试错实验,终于成功生产出了优质的晶体管。于是,当IBM的干部造访的时候,张忠谋与他们进行了以下谈话。

IBM:“你就是张忠谋?此次成功生产出了晶体管,我们十分吃惊,到底是怎么做出来的?”

张忠谋:“我们在这样小的工厂里,从早到晚一直思考并反复进行实验,终于成功了。”

IBM:“像我们这样的大企业都无法为这样高风险的产品安排产线,谢谢你的帮助。”

张忠谋表示,这件事是他在TI工作27年感触最深的一件事。此外,据说,自那以后一直不太满意的IBM的态度也有所改变。据说后来张忠谋意识到,哪怕是外包企业只要能将技术做到极致,也可以与大企业抗衡。也许这就是张忠谋成立TSMC的原动力。

张忠谋的转机

张忠谋的成绩被认可,且荣升为TI的半导体部门的负责人。但是,TI专注的不是风险高的半导体,而是稳定性较高的家电产品,张忠谋不满于TI的经营方针。

于是,张忠谋在54岁的时候,迎来了转机。1985年,中国台湾当局提出“希望台湾可以创造出全球通用的半导体产业”这一要求,张忠谋接受要求,就任台湾工业技术研究院(IndustrialTechnologyResearchInstitute、ITRI)院长,并表示:“我希望改变在美国走过的路,希望把在美国学习的知识带到台湾来,以提高台湾的工业竞争力。”

但是,要说起1985年,那是日本赶超美国、席卷全球半导体产业的时代。当时的台湾还仅有一些小型的零部件厂家。到底该怎么做才好呢?张忠谋开始发愁了。

张忠谋的1987:大家都反对的晶圆代工厂

最初,台湾当局期待张忠谋可以发展垂直统筹型(IntegratedDeviceManufacturer、IDM)的半导体厂家,但是,张忠谋认为台湾过于落后、不具有设计优势、资金不足,很难在IDM上获得成功。

经过深思熟虑,张忠谋决定仅进行芯片的代工生产,但却遭到了反对,因为半导体工厂的建设需要巨额资金,如此花费巨资建设的工厂竟要为别的工厂生产半导体?这是谁也没有想到过的,简直是异想天开。

有了想法后,张忠谋向一些大型企业集资,却遭拒绝。英特尔的创始人甚至说“你虽然有好的点子,但这次不好”!也多次向索尼、三菱电机等日本企业集资,全遭拒绝。

张忠谋就是在这种逆境之下于1987年创立了TSMC。据说最初几年的销售额几乎为零。被认为是技术水平低下,仅有一些大企业不屑于做的零碎业务。

如文章开头所述,笔者于1987年入职日立制作所,即TSMC成立的时间,并成为了一名半导体技术员,笔者意识到有TSMC这样一家公司是在1995年,笔者被调到DRAM工厂的时候。而且,当时人们认为台湾的技术水平不高。此外,还认为拥有那种水平技术的Foundry不会获得成功。不仅是笔者,整个日立公司、日本的半导体行业都十分轻视TSMC。

台积电从根本上改变了逻辑半导体行业

1990年代初,在美国西海岸的硅谷,开始诞生专门从事半导体设计的Fabless企业。究竟是因为TSMC成立了、才开始诞生Fabless企业?还是张忠谋预测到了Fabless的诞生?笔者不得而知。但是,这两个要素相辅相成,改变了历史。诞生于硅谷的芯片设计企业和TSMC互相利用、正式改变了半导体行业。

上文提到的NHK节目中,提到了在GPU方面具有优势的NVIDIA。NVIDIA是由Jen-HsunHuangCEO在1993年创立的,由于外包给TSMC生产,因此获得了飞跃式发展。如果没有NVIDIA的GPU,2009年上映的电影《阿凡达》的制图也无法完成。

在NHK节目播放的2013年,全球已有1000多家Fabless企业,如今应该已经有2000多家了。如果没有TSMC,如果张忠谋没有创立TSMC,应该也不会有这种业务模式,就如张忠谋在节目中谈的一样,他从根本上改变了逻辑半导体行业。

三、李健熙:三星帝国的缔造者

李健熙留下的名言

三星的神一样的领导人李健熙留下了很多至理名言。列举几个比较有名的。

“除了妻儿,一切都要变”。

“一个天才能养活十万人”。

“未来十年内,如今具有代表性的业务和产品都会消失”。

“在21世纪,知识财富决定企业的价值”。

“我们还需要向日本企业学习”。

至今这些名言还都没有“褪色”(也许只有最后一句话不再有意义)。这些名言的意义在很多书籍、文章中都有解释,本文就不在赘述,网上可以查出来李健熙在何种情况下、以何种目的提出了以上名言。

笔者希望谈谈李健熙是如何创立了三星的半导体业务、给DRAM事业带来了什么影响。

三星半导体业务的黎明期

时间回到1974年12月,围绕美国CAMCO公司在韩运营的富川半导体工厂的收购,李健熙的父亲、三星首代会长李秉喆与当时任三星旗下东洋放送董事的李健熙的意见产生了分歧。

由于性格稳重的李秉喆不同意收购案,李健熙表示“父亲,我以个人名义进行收购”,据说李健熙以个人的名义收购了富川半导体工厂。

然而,李秉喆在自己著的书《市场在全球》中写到:“经过慎重的讨论和分析,结果,三星决定研发半导体,这种工业的大米,这种为面向21世纪而不可或缺的新工业革命的核心”。

也就是说李秉喆认为“决定进军半导体行业的是自己”,而却没有提及“三儿子李健熙个人名义收购富川工厂”、“率先进军半导体领域”。

现在,李秉喆、李健熙都已经不在人世,真相无从得知。但是,笔者却坚信李健熙是韩国、三星的半导体的先锋!李秉喆不过是担任会长期间(至1986年)见到三星半导体业务的迅速增长,认为“是自己培养了半导体业务”,所以在著作中这样记载了。

如果李健熙遵从父亲意见,没有以个人名义收购富川半导体工厂,也许就没有如今的三星。而且,这次收购是李健熙改革三星的最大功绩!李健熙的这次决断与英特尔的格鲁夫(反对摩尔CEO,撤退DRAM业务、决定生产处理器)、TSMC的张忠谋(受到周遭反对,在没有一个支持者的情况下,成立Foundry)的行动有相通的地方。

李健熙的1987:决定性的判断

在日本作家福田惠介先生的书中,有很多关于李健熙的佳话。其中最令人吃惊的是下面。

李健熙在1965年毕业于早稻田大学商学院,次年修完乔治华盛顿大学经营研究生院MBA课程。从这一学历来看,李健熙是文科生。

然而,李健熙自学工程专业知识,因此他的风格也变了。李健熙从市场上购买电子产品,并进行分解。有疑问,就向当时的专家请教。以这种方式,他掌握了电子产品、以及相关知识。

此外,1987年,三星研发4MDRAM之时,就任第二代会长的李健熙做了决定性判断。

DRAM主要有两种方式:在晶体管上部形成电容的堆叠式(Stack)、在硅晶圆下部凿洞的沟槽式(Trench)。两项技术各有优劣,但必须选择一项。于是,李健熙进行了以下发言,并确立了技术的方向性。

“越是复杂的问题,越要简单化,层层堆叠线路的方式更容易做”。

DRAM的历史也确实如李健熙所言。选择了沟槽式(Trench)的东芝困难重重,而选择了堆叠式(Stack)的日立因16M和64M成功成为了业界的首位,后来,东芝也转为堆叠式(Stack),如今已经没有厂家采用沟槽式(Trench)生产方式。

尽管李健熙没有技术员的工作经验,却可以预测未来、做出正确判断,说实话真让人佩服。

三星的现状

李健熙自2014年5月10日倒下以后,三星的实质上的领导人就是其长子李在镕,李在镕迟早会成为三星的第三代会长。

虽然有新闻报道指出,由于神一样存在的李健熙去世了,三星可能会陷入混乱之中。但也有人认为,在李健熙不在的6年中,李在镕一直经营三星,不会发生混乱。

三星的半导体业务到底情况如何呢。在2020年第二季度时间点,DRAM占比第一(43.5%),NAND型闪存占比第一(31.4%),Foundry占比第二(18.8%)。

就DRAM和NAND而言,与第二名拉开了很大的距离,毫无疑问是存储半导体的冠军。此外,后发的Foundry虽然受到中国SMIC、台湾UMC、美国GlobalFoundries的追赶,也稳坐仅次于TSMC的第二的宝座。

基于以上三星的现状,有人表示“状况极好”,笔者却不这么认为。笔者认为三星的半导体情况十分困难。

三星存储半导体的课题

首先,就DRAM而言,中国的紫光集团、CXMT(ChangXinMemoryTechnologies)正在研发尖端的1X代,虽然中国的厂家不会很快就可以量产尖端DRAM,但也有量产的可能性。DRAM是一种根据供给状态价格发生巨大变化的存储半导体。如果,中国厂家率先研发了尖端DRAM并量产,价格势必会暴跌,市场也会重组。

回顾DRAM的历史,可得知“撤退”首先始于市占率较低的企业。因此,在DRAM的排名前三的企业中,占比最低的是镁光科技,其面临的危机也最大,因此镁光实施了即使中国的企业进军进来,也不会破产的战略。

所谓镁光的战略如下所示,在2019年之前镁光按照“两年一代”来研发和量产,提速为“1代1年”,以在技术上领先。实际上,据可靠消息称,仅1a(镁光称之为:1α)的量产规模镁光已经超过三星。

此外,三星的48层和64层的3DNAND虽然领先,由于三星过于拘泥于存储单元的一次性加工,被铠侠和WesternDigital制衡(堆叠2个48层为96),此外,2020年11月9日镁光发布开始出货全球首个176层。

再者,SK海力士已经成功收购英特尔的NAND业务,SK海力士持有铠侠15%的股份,未来很有可能形成SK海力士+英特尔+铠侠的大型联合组。届时联合组的市占比会是40.4%,超过三星的31.4%。

总之,DRAM、NAND的市占率虽然三星第一,如果其他公司率先掌握了新技术,NAND的TOP1的宝座也会不保。

三星的晶圆代工课题

三星设立了到2030年要在Foundry领域赶上TSMC的伟大目标。Foundry领域的微缩化竞争中,三星能得到多少最尖端的EUV(极紫外光刻)曝光设备(以下简称为“EUV”),才是关键。

全球唯一一家能够供给EUV设备的是荷兰的ASML,2016年出货5台,2017年出货10台,2018年出货18台,2019年出货26台,2020年预计出货36台,但是,在2020年5月时间点,ASML的OpenPO数量为56台,完全赶不上尖端半导体厂家的需求。

根据之前笔者的文章,在2019年年末时间点,TSMC拥有约25台设备,三星拥有约10台设备,推测,在2020年年末时间点,ASML生产的所有设备都会被TSMC购买。这样的话,在2020年年末时间点,TSMC拥有61台,三星还是10台。

三星的李在镕会长对这种状态感到危机,因此在2020年10月13日突然访问ASML,向ASML的CEO--PeterWennink、CTO--MartinvandenBrink直接提出了“2020年内交货9台、后续每年交货EUV20台”的要求。

但是,恐怕三星李在镕会长的要求很难实现。因为TSMC一家向ASML提出了远超其产能的EUV数量。最初,推测在2025年末TSMC持有EUV数量为211台,恐怕数量要大幅度上调了。

也就是说,ASML当下无法满足TSMC的要求,因此也无暇顾及三星的要求,这样三星和TSMC的差距会继续拉大。

三星的未来展望

伟大的经营者的道路通常都是难走的。就从本文的例子来看,英特尔第三代CEO格鲁夫虽然是一位强势的CEO,而第四代的CraigBarrett、第五代的PaulOtellini却受到了股东的批判。

特别是在2004年-2005年期间,苹果已故CEO史蒂夫·乔布斯虽然提出了“iPhone”的处理器代工的要求,却遭到OtelliniCEO的拒绝,又在任期中的2012年11月突然宣布辞职,于2013年5月退任。OtelliniCEO拒绝苹果的代工生产据说是“英特尔史上最大的错误判断”!尽管英特尔的销售额有所增长,却陷入了辞职的困境。

如上文所述,三星的Foundry业务正在步着TSMC的后尘,而TOP1的DRAM、NAND业务也面临着危险局面。三星能否越过此次困难局面,决定着李在镕的评价。已经位居首位、且被竞争对手紧盯着的两种存储半导体绝不允许有失败,我们将继续关注李在镕的经营手腕。
责任编辑:tzh

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甬矽电子徐林华:在国产替代的浪潮中找到了市场突破的机会

1月16日,2021中国半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼在北京举办。甬矽电子(宁波)股份....
的头像 Les 发表于 01-22 18:06 326次 阅读
甬矽电子徐林华:在国产替代的浪潮中找到了市场突破的机会

又一家芯片代工商产能紧张,力积电晶圆厂接近满负荷运行

又一家芯片代工商产能紧张,力积电晶圆工厂已接近满负荷运行 据国外媒体报道,从去年下半年开始,芯片代工....
的头像 璟琰乀 发表于 01-22 17:45 400次 阅读
又一家芯片代工商产能紧张,力积电晶圆厂接近满负荷运行

芯片代工商产能紧张持续 力积电晶圆工厂已接近满负荷运行

1 月 22 日消息,据国外媒体报道,从去年下半年开始,芯片代工商 8 英寸晶圆厂产能紧张的消息就不....
的头像 工程师邓生 发表于 01-22 17:45 325次 阅读
芯片代工商产能紧张持续 力积电晶圆工厂已接近满负荷运行

百度网盘三星定制版网友实测不限速

前几天的三星Galaxy S21国行发布会上,三星宣布与百度合作,推出了特别版百度网盘,提供2TB的....
的头像 工程师邓生 发表于 01-22 17:10 692次 阅读
百度网盘三星定制版网友实测不限速

荣耀V40新旗舰有哪些改变?

脱离华为后的新荣耀,身上仍有光环,因此新荣耀脱离华为后的首款诚意之作——荣耀V40手机被人们投以热切....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-22 16:50 278次 阅读
荣耀V40新旗舰有哪些改变?

三星将向其笔记本电脑产品线提供OLED显示屏

三星Galaxy Book Pro 360的型号为NT930QDB,NT931QDB,NP930QD....
的头像 倩倩 发表于 01-22 16:49 1190次 阅读
三星将向其笔记本电脑产品线提供OLED显示屏

三星Galaxy M62将成为Galaxy M系列的首款平板电脑

在谈到Wi-Fi联盟认证时,该清单表明三星Galaxy M62将开箱即用运行Android 11。在....
的头像 倩倩 发表于 01-22 16:39 791次 阅读
三星Galaxy M62将成为Galaxy M系列的首款平板电脑

传华为Mate X2折叠屏新机入网

2020年10月,华为发布了Mate系列新旗舰——Mate40系列,麒麟9000系芯片+徕卡镜头,再....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-22 16:36 528次 阅读
传华为Mate X2折叠屏新机入网

中端手机SOC之争,谁将笑到最后?

日前,MTK发布了新品天玑1200、1100,高通则拿出来骁龙865的超频版本,骁龙870,再加上早....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-22 16:29 309次 阅读
中端手机SOC之争,谁将笑到最后?

爆料称三星Galaxy A80 5G 再次采用滑动翻转式摄像头

近年来,为了消除屏幕顶部的厚边框,手机制造商想出了各种新奇的创意,比如采用刘海、打孔、电动升降、屏下....
的头像 工程师邓生 发表于 01-22 16:28 332次 阅读
爆料称三星Galaxy A80 5G 再次采用滑动翻转式摄像头

三星Galaxy A80 5G新机或再次采用滑动翻转式摄像头

近年来,为了消除屏幕顶部的厚边框,手机制造商想出了各种新奇的创意,比如采用刘海、打孔、电动升降、屏下....
的头像 璟琰乀 发表于 01-22 16:27 540次 阅读
三星Galaxy A80 5G新机或再次采用滑动翻转式摄像头

芯源微:半导体行业景气度持续向好 2020年净利预增61%到81%

01 蔚蓝锂芯:预计2020年净利润同比增长121.07%-146.57% 蔚蓝锂芯(002245)....
的头像 每日LED 发表于 01-22 16:12 336次 阅读
芯源微:半导体行业景气度持续向好 2020年净利预增61%到81%

荣耀已与比亚迪、高通等企业确认合作

1月22日,荣耀举行独立后的首场新品发布会,发布会结束后,CEO赵明接受了媒体采访。他在采访中确认了....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-22 16:00 238次 阅读
荣耀已与比亚迪、高通等企业确认合作

哪些因素推动着市场格局不断变化

当今的行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家公司,它们多半活跃于...
发表于 01-15 07:46 0次 阅读
哪些因素推动着市场格局不断变化

半导体芯片行业的运作模式有哪些

半导体芯片行业的运作模式
发表于 12-29 07:46 0次 阅读
半导体芯片行业的运作模式有哪些

集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
发表于 12-28 11:21 101次 阅读
集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

晶圆级三维封装技术发展

先进封装发展背景 晶圆级三维封装技术发展 ...
发表于 12-28 07:15 0次 阅读
晶圆级三维封装技术发展

24A电流的MOS管可替代25N50型号参数,应用在AC-DC开关电源。

我们先来了解开关电源芯片实际是利用电子开关器件MOS管,通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”,让电子开关...
发表于 12-19 11:14 651次 阅读
24A电流的MOS管可替代25N50型号参数,应用在AC-DC开关电源。

A,S,C,C 在半导体行业分别是哪几家?

A,S,C,C 在半导体行业分别是哪几家?
发表于 12-18 16:54 505次 阅读
A,S,C,C 在半导体行业分别是哪几家?

二极管类型及特性参数

半导体元器件之二极管
发表于 12-16 07:11 101次 阅读
二极管类型及特性参数

半导体面临的五大重大变革解析

巨变一:模拟硬件方面需根本性突破 巨变二:全新的内存和存储解决方案 巨变三:通信需要新的研究方向 巨变四:硬件研究需要突...
发表于 12-15 07:55 101次 阅读
半导体面临的五大重大变革解析

半导体无尘车间测试尘埃粒子浓度等级设备

半导体产业中的检测设备贯穿于半导体生产制造流程(包括IC设计、制造以及封测),主要用于检测产品在生产过程中和成品产出后的各...
发表于 12-11 09:19 404次 阅读
半导体无尘车间测试尘埃粒子浓度等级设备

半导体工艺几种工艺制程介绍

  半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的...
发表于 12-10 06:55 101次 阅读
半导体工艺几种工艺制程介绍

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1564次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 345次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 280次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 382次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 660次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 315次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 470次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 738次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1676次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 1022次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 191次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 375次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 344次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 657次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 343次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 315次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 383次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器