侵权投诉

使用MOSFET和额外的肖特基二极管的电路设计可最大限度地减少干扰

2020-11-09 15:06 次阅读

在负载点(POL)降压转换器领域,同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比,此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高,因为与采用无源二极管的情况相比,低端开关承载电流时的压降更低。

但是,与异步开关稳压器相比,同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通,即使时间很短,也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此,出于安全考虑,需要在一定时间内保持两个开关都断开。这个时间称为开关稳压器的死区时间。但是,从开关节点到输出电压连接了一个载流电感(L1)。通过电感的电流永远不会发生瞬间变化。电流会连续增加和减少,但它永远不会跳变。因此,在死区时间内会产生问题。所有电流路径在开关节点侧中断。采用图1所示的理想开关,在死区时间内会在开关节点处产生负无穷大的电压。在实际开关中,电压负值将变得越来越大,直到两个开关中的一个被击穿并允许电流通过。

使用MOSFET和额外的肖特基二极管的电路设计可最大限度地减少干扰

图1.用于降压转换、采用理想开关的同步开关稳压器。

大多数开关稳压器使用N沟道MOSFET作为有源开关。这些开关针对上述情况具有非常有优势的特性。除了具有本身的开关功能外,MOSFET还具有所谓的体二极管。半导体的源极和漏极之间存在一个P-N结。在图2中,插入了具有相应P-N结的MOSFET。由此,即使在死区时间内,开关节点的电压也不会下降到负无穷大,而是通过低端MOSFET中的P-N结(如红色所示)承载电流,直到死区时间结束并且低端MOSFET导通为止。

图2.用于降压转换的同步开关稳压器,采用N沟道MOSFET和额外的肖特基二极管,可最大限度地减少干扰。

相应MOSFET中的体二极管有一个主要缺点。由于反向恢复现象,其开关速度非常低。在反向恢复时间内,电感(L1)导致开关节点处的电压下降到比地电压低几伏。开关节点处的这些陡峭的负电压峰值会导致干扰,此干扰会被容性耦合到其他电路段。通过插入额外的肖特基二极管可以最大限度地减少这种干扰,如图2所示。与低端MOSFET中的体二极管不同,它不会产生反向恢复时间,并且在死区时间开始时能非常快速地吸收电流。这可减缓开关节点处的电压陡降。可减少由于耦合效应而产生并分布到电路上的干扰。

肖特基二极管可以设计得非常紧凑,因为它仅在死区时间内短时间承载电流。因此,其温升不会过高,可以放置在小尺寸、低成本的产品外壳中。

责任编辑:gt

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

采用环形磁核实现电源电流变压器的应用方案

电流变压器测量电流或将能量从一个电路传输到另一个电路,所以其设计需要不同于相应电压变压器的计算。这种....
的头像 电子设计 发表于 02-27 09:59 463次 阅读
采用环形磁核实现电源电流变压器的应用方案

PFC旁路二极管D2的作用是什么?

图1所示,PFC旁路二极管D2的作用是什么,已经是一个是老生常谈的事,今天我们来好好的讨论下。 图1....
的头像 电源研发精英圈 发表于 02-26 15:13 184次 阅读
PFC旁路二极管D2的作用是什么?

PFC旁路二极管D2的作用是什么?

我们电源一般的要求冲击电流时不会允许这么大,一般我们都会在输入回路里面加NTC,这就会大大的减小了冲....
的头像 电源研发精英圈 发表于 02-26 15:12 138次 阅读
PFC旁路二极管D2的作用是什么?

有源箝位正激变换器的基本原理及应用特点研究

对设计人员来说,有源箝位正激变换器有很多优点,现在正得到广泛应用。采用正激结构的电源变换器是高效率、....
的头像 电子设计 发表于 02-26 10:16 315次 阅读
有源箝位正激变换器的基本原理及应用特点研究

微型DC/DC转换器在分布式电源架构中的应用分析

分布式电源架构的发展相应推动了微型低功耗 (<2 W) DC/DC 转换器的发展。顾名思义,这些器件....
的头像 电子设计 发表于 02-26 10:03 399次 阅读
微型DC/DC转换器在分布式电源架构中的应用分析

第三代半导体功率器件的资料详细介绍

功率处理: 变频, 变流, 变压, 功率管理, 功率放大。半导体器件:功率二极管,功率开关管,功率集....
发表于 02-25 17:00 31次 阅读
第三代半导体功率器件的资料详细介绍

东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

东芝面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800....
发表于 02-25 14:14 308次 阅读
东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

二极管检波电路及继电器驱动电路的故障怎么处理?

  二极管检波电路及故障处理 继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理 ...
发表于 02-25 08:30 0次 阅读
二极管检波电路及继电器驱动电路的故障怎么处理?

光敏二极管工作原理及型号

光敏二极管工作原理 光敏二极管型号
发表于 02-25 08:09 0次 阅读
光敏二极管工作原理及型号

如何用电阻设定增益的单端至差分转换器

简析用电阻设定增益的单端至差分转换器
发表于 02-25 06:53 0次 阅读
如何用电阻设定增益的单端至差分转换器

MOSFET及MOSFET驱动电路的基础知识

MOSFET及MOSFET驱动电路基础
发表于 02-25 06:05 0次 阅读
MOSFET及MOSFET驱动电路的基础知识

大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试,调门极电阻,急!急!急!急!急!急!

大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试,调门极电阻,急!急!急!急!急!急! ...
发表于 02-24 17:38 126次 阅读
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试,调门极电阻,急!急!急!急!急!急!

稳压二极管的性能/主要参数/基本原则

稳压二极管稳压电路图分析 稳压二极管的性能 稳压二极管的主要参数 选择稳压二极管的基本原则 ...
发表于 02-24 09:25 12次 阅读
稳压二极管的性能/主要参数/基本原则

二极管三极管与晶闸管场效应管介绍

二极管三极管与晶闸管场效应管解析
发表于 02-24 09:22 0次 阅读
二极管三极管与晶闸管场效应管介绍

HU5912四节锂电池升压充电芯片的数据手册免费下载

HU5912是一款工作于27V到6.5V的PFM升压型四节锂电池充电控制集成电路。HU5912采用恒....
发表于 02-24 08:00 14次 阅读
HU5912四节锂电池升压充电芯片的数据手册免费下载

HUB628升压转换器芯片的数据手册

HUB628是一款用于小功率应用的恒定频率、6针S0T23电流模式升压转换器。HUB628的开关为1....
发表于 02-24 08:00 15次 阅读
HUB628升压转换器芯片的数据手册

HX4002B电荷泵DCDC转换器的数据手册免费下载

HX4002B 是一款低噪声,1.2MHz 固定频率的电容式电压倍增器。如果负载电流小于 45mA ....
发表于 02-24 08:00 26次 阅读
HX4002B电荷泵DCDC转换器的数据手册免费下载

HM3110低噪声电荷泵DCDC转换器的数据手册

HM3110 是一种低噪声、固定频率的电荷泵型 DC/DC 转换器,在输入电压范围在 2.7V 到 ....
发表于 02-24 08:00 12次 阅读
HM3110低噪声电荷泵DCDC转换器的数据手册

PF6291电流模式升压DCDC转换器的数据手册免费下载

FP6291是一种电流模式升压DC-DC转换器。其内置0.25Ω功率MOSFET的PWM电路使该稳压....
发表于 02-24 08:00 22次 阅读
PF6291电流模式升压DCDC转换器的数据手册免费下载

二极管的作用是什么

Boost升压PFC电感上的二极管是做什么的? 二极管的作用 ...
发表于 02-24 07:49 0次 阅读
二极管的作用是什么

Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列,推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品

节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改....
发表于 02-23 10:03 435次 阅读
Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列,推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品

R&S NRP67S/SN功率探头可进行最高67 GHz的高速、高精度射频功率测量

R&S NRP67S/SN现已支持57 GHz以上的最新Wi-Fi和Wireless HD标准,以及....
发表于 02-23 09:18 526次 阅读
R&S NRP67S/SN功率探头可进行最高67 GHz的高速、高精度射频功率测量

R&S新型三通道二极管功率探头测量频率范围提高至67GHz

罗德与施瓦茨(Rohde & Schwarz)将其三通道二极管功率探头的最大可测量频率提高到了67 ....
发表于 02-23 08:59 297次 阅读
R&S新型三通道二极管功率探头测量频率范围提高至67GHz

SS8841两通道H桥驱动芯片的数据手册免费下载

SS8841 为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。SS8841 有两路 H ....
发表于 02-23 08:00 35次 阅读
SS8841两通道H桥驱动芯片的数据手册免费下载

HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载

HM8205双N沟道功率Mosfet的数据手册免费下载
发表于 02-23 08:00 30次 阅读
HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载

HM2307MR增强型MOSFET的数据手册免费下载

该HM2307MR采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅电荷和低至1.8V的栅电压操作。....
发表于 02-23 08:00 34次 阅读
HM2307MR增强型MOSFET的数据手册免费下载

西门子SIBAS32系统在电力机车上有什么样的应用

sibas 32 是德国西门子公司专为铁路机车动车控制而研制的专用微机控制系统,它的全称为 siem....
发表于 02-23 08:00 25次 阅读
西门子SIBAS32系统在电力机车上有什么样的应用

HU5912四串锂电池升压充电芯片的数据手册免费下载

HU5912是一款工作于27V到6.5V的PFM升压型四节锂电池充电控制集成电路。HU5912采用恒....
发表于 02-22 08:00 32次 阅读
HU5912四串锂电池升压充电芯片的数据手册免费下载

HU2302半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是HU2302半导体场效应晶体管的数据手册免费下载。
发表于 02-22 08:00 23次 阅读
HU2302半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

HU50N03半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

HU50N03是一种高单元密度trenchedN ch MOSFET,为大多数同步降压变换器应用提供....
发表于 02-22 08:00 18次 阅读
HU50N03半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

HU2301半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是HU2301半导体场效应晶体管的数据手册免费下载。
发表于 02-22 08:00 21次 阅读
HU2301半导体场效应晶体管的数据手册免费下载

如何用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器?

用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
发表于 02-22 07:32 0次 阅读
如何用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器?

用Dialog芯片创建电表应用方案

方案中使用的Dialog关键元件包括:PrimAccurate反激式AC/DC转换器、高速低功耗Da....
的头像 Dialog半导体公司 发表于 02-21 10:45 356次 阅读
用Dialog芯片创建电表应用方案

关于非50欧系统阻抗的S参数测试

1. S参数依赖于系统阻抗 S参数的定义需要约定一个系统阻抗。同一个微波电路,在不同系统阻抗下的S参....
的头像 微波射频网 发表于 02-20 16:11 111次 阅读
关于非50欧系统阻抗的S参数测试

发光二极管原理及工作条件

  发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成,半导体发光器件包括半导体发光二极...
发表于 02-20 15:33 101次 阅读
发光二极管原理及工作条件

新型恒流控制电路满足HB-LED精确和高效电流控制需求

高亮度LED的亮度和色彩都取决于正向电流。要保证二极管串中的每个高亮度LED输出亮度,可以将其串联。....
的头像 电子设计 发表于 02-20 10:00 327次 阅读
新型恒流控制电路满足HB-LED精确和高效电流控制需求

16位Δ-Σ A/D转换器CS5521的功能及在红外信号检测中的应用

双色红外探测是一种高抗干扰的热源探测。由于热源温度高低、传播距离远近以及传播媒介等的不同,红外性能亦....
发表于 02-20 08:14 409次 阅读
16位Δ-Σ A/D转换器CS5521的功能及在红外信号检测中的应用

二极管公司的汽车标准,40V, 5A,同步降压转换器提供高效率

AP64501Q和AP64502Q都有可编程的软启动,降低涌流,而AP64500Q和AP64501Q....
的头像 罐头 发表于 02-19 18:06 15次 阅读
二极管公司的汽车标准,40V, 5A,同步降压转换器提供高效率

全球前十大模拟芯片公司是如何崛起的?

所有数据的源头是模拟信号,模拟芯片是集成的模拟电路,用于处理模拟信号。 模拟信号是在时间和幅值上都连....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-19 16:23 473次 阅读
全球前十大模拟芯片公司是如何崛起的?

安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同....
发表于 02-19 14:09 538次 阅读
安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

关于农药快速检测仪的相关性能描述

农药快速检测仪主要可检测什么。农药快速检测仪快速检测蔬菜水果、粮食、茶叶等食品中的有机磷类及氨基甲酸....
发表于 02-19 14:03 215次 阅读
关于农药快速检测仪的相关性能描述

安森美半导体发布一系列新碳化硅产品,适用于高要求应用设计

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-19 14:03 236次 阅读
安森美半导体发布一系列新碳化硅产品,适用于高要求应用设计

新型倍流整流电路拓扑在通信电源中的应用研究

本文分析了一种新型的倍流整流电路拓扑,如果在通信电源中得到应用,可以提高大电流输出时副边整流电路的效....
的头像 电子设计 发表于 02-19 10:31 618次 阅读
新型倍流整流电路拓扑在通信电源中的应用研究

浅谈自复式过欠压保护器的特性,关键有哪几个方面

自复式过欠压保护器的特性有很多,关键有以下几个方面: 1 单相电线路产生过欠电压时断开线路,单相电线....
发表于 02-08 10:19 35次 阅读
浅谈自复式过欠压保护器的特性,关键有哪几个方面

东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器

TLP241B集成了基于东芝最新一代U-MOS工艺的MOSFET。使用TLP241B,断态输出端电压....
发表于 02-05 11:06 1007次 阅读
东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器

HM2300 N沟道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

HM2300采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极充电和低至2.5V的栅极电压操作。该....
发表于 02-05 08:00 49次 阅读
HM2300 N沟道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载

HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载
发表于 02-05 08:00 37次 阅读
HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载

HM2307 P沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

该HM2307MR采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅电荷和低至1.8V的栅电压操作。....
发表于 02-05 08:00 27次 阅读
HM2307 P沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

特瑞仕“micro DC/DC”转换器再添新成员

软启动时间在内部设定为1.0ms (TYP.),通过为EN/SS引脚连接电阻和电容,可以任意地设定软....
的头像 Torex产品资讯 发表于 02-04 15:27 244次 阅读
特瑞仕“micro DC/DC”转换器再添新成员

电源正负极接反烧板的解决方法总结

  硬件工程师的很多项目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心将电源正负极接反的现象,导致很多电子元器件....
的头像 电源研发精英圈 发表于 02-04 11:45 546次 阅读
电源正负极接反烧板的解决方法总结

美国Photonics Industries推出新型风冷DX激光器

据悉,美国Photonics Industries推出新型风冷DX激光器。Photonics Ind....
的头像 璟琰乀 发表于 02-04 11:19 286次 阅读
美国Photonics Industries推出新型风冷DX激光器

基于MSP430F149单片机和ATT7022B芯片实现电源监测系统的设计

此电源管理仪器主要用于中小型变电站的操作电源以及备用电源的监测和管理,为了更好的节约备用电池的能源,....
的头像 电子设计 发表于 02-04 09:25 602次 阅读
基于MSP430F149单片机和ATT7022B芯片实现电源监测系统的设计

CJ431和CD431三端可调并联稳压器的数据手册免费下载

CJ431和CD431三端可调并联稳压器,具有良好的温度稳定性。该装置的典型动态输出阻抗为0.2。在....
发表于 02-04 08:00 50次 阅读
CJ431和CD431三端可调并联稳压器的数据手册免费下载

HM2301 P沟道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

HM2301采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该....
发表于 02-04 08:00 22次 阅读
HM2301 P沟道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

HM2302 N沟道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

HM2302采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极充电和低至2.5V的栅极电压操作。该....
发表于 02-04 08:00 28次 阅读
HM2302 N沟道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

HM2307MR P沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

该HM2307MR采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅电荷和低至1.8V的栅电压操作。....
发表于 02-04 08:00 32次 阅读
HM2307MR P沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载。
发表于 02-04 08:00 39次 阅读
HM8205塑料封装MOSFET的数据手册免费下载

IGBT晶体管是什么

先说个冷笑话,IGBT,不是LGBT,不是性少数群体的意思……好了,回到正题。 IGBT晶体管,英文....
的头像 Les 发表于 02-03 17:37 1147次 阅读
IGBT晶体管是什么

Nexperia发布用于高速数据线路的紧凑型“二合一”保护器件

新器件在一个小型DFN0603-3封装中集成了两个TrEOS保护二极管,从而有效地在同一个封装中提供....
发表于 02-03 11:07 1244次 阅读
Nexperia发布用于高速数据线路的紧凑型“二合一”保护器件

半导体行业未来发展方向究竟是什么?

半导体板块从2019年开始走出了一段波澜壮阔的行情,但在去年七月份逐渐偃旗息鼓。
的头像 我快闭嘴 发表于 02-03 10:44 878次 阅读
半导体行业未来发展方向究竟是什么?

MAX25014ATG/V+ MaximIntegrated MAX25014汽车级4通道背光驱动器

Integrated MAX25014汽车级4通道背光驱动器具有IC控制的脉宽调制 (PWM) 调光和混合调光功能,非常适合用于汽车仪表板和信息娱乐显示屏。集成电流驱动,每路可支持高达150mA LED灌电流。该器件采用2.5V至36.0V的宽输入电压范围,并能承受汽车负载突降事件。 内部电流模式直流-直流开关控制器可配置为升压或SEPIC拓扑,工作频率范围为400kHz至2.2MHz。集成的扩频有助于降低EMI。该器件采用自适应输出电压调节机制,可最大限度地降低LED电流驱动通路的功耗。 包含用于外部nMOSFET系列开关的控制,以降低背光关闭时的静态电流,并在发生故障时断开升压转换器。 MAX25014符合AEC-Q100标准,采用24引脚TQFN封装,设计用于在-40°C至+125°C温度范围内工作。 特性 宽电压范围运行 启动后工作电源电压低至2.5V 承受高达40V的负载突降 高度集成 完整的4通道解决方案,包括升压控制器 I2C控制,可最大限度地减少元件数量 ...
发表于 10-28 14:55 22次 阅读
MAX25014ATG/V+ MaximIntegrated MAX25014汽车级4通道背光驱动器

VIPER318LDTR STMicroelectronics VIPer31高压转换器

oelectronics VIPer31高压转换器在紧凑型SO-16封装中集成了800V抗雪崩、坚固型功率MOSFET,具有PWM电流模式控制。800V击穿支持较宽的输入电压范围,并可减小DRAIN缓冲电路的大小。VIPer31具有极低功耗,且可在轻负载时采用脉冲频率调制模式运行,因此符合极为严格的节能标准。OVP和UVP引脚分别提供过压和欠压保护,具有独立和可设置的干预阈值。UVP还可用作整个SMPS的禁用输入,具有超低剩余输入功耗。集成有HV启动、检测FET、误差放大器和带抖动的振荡器,因此只需极少元件即可设计完整的应用。 VIPer31高压转换器具有-40°C至+150°C宽工作温度范围,支持反激式、降压和降压-升压拓扑结构。 特性 800V抗雪崩、坚固型功率MOSFET,覆盖超宽VAC输入范围 嵌入式HV启动与传感FET 电流模式PWM控制器 850mA漏极电流限制保护 (OCP)  宽电源电压范围:4.5V至30V 空载时:...
发表于 10-28 14:54 10次 阅读
VIPER318LDTR STMicroelectronics VIPer31高压转换器

MAX17691AATC+ Maxim Integrated MAX17691 AMAX17691B 隔离式反激转换器

MAX17691A/MAX17691B隔离式反激转换器是一款高效无光集成式nMOSFET反激转换器,采用固定频率峰值电流模式控制。该器件在集成nMOSFET关断时间期间直接从一次侧反激波形中感测隔离式输出电压。无需二次侧误差放大器和光耦合器即可提供精确、隔离、稳压的输出电压,从而节省高达20% PCB空间(传统反激式转换器所需空间)。 MAX17691A/B具有低R DS(ON)值、76V、170mΩ集成nMOSFET一次开关,设计用于在4.2V至60V宽电源电压范围内工作。该器件的开关频率可设定为100kHz至350kHz。EN/UVLO支持用户在理想的输入电压情况下精确地开/关电源转换器。使用OVI引脚可实现输入过压保护(仅限MAX17691A)。软启动可限制启动时的浪涌电流。MAX17691A/B支持外部时钟同步,避免在具有多个转换器的系统中的输入总线上出现低频“波动”。该器件还具有可编程频率抖动,用于低EMI展频工作。 MAX17691A/B可对输出整流器二极管正向压降的变化进行温度补偿。MAX17691A具有内部补偿环路稳定性,而MAX17691B则具有外部环路补偿灵活性。MAX17691A/B具有强大的断...
发表于 10-28 09:55 10次 阅读
MAX17691AATC+ Maxim Integrated MAX17691 AMAX17691B 隔离式反激转换器

MAX16141AAAF/VY+ Maxim Integrated MAX16141理想二极管控制器

Integrated MAX16141理想二极管控制器具有各种系统故障保护特性,例如反向电流保护、过流保护、输入过压/欠压保护以及过热保护。MAX16141二极管控制器具有3.5V至36V的工作电压范围和5μA(典型值)关断电流。这些MAX16141控制器采用集成电荷泵,可驱动源极连接上方9V背对背外部nFET的栅极。这样可最大限度降低源极和负载之间的功率损耗。MAX16141控制器采用低功耗关断,可减少电池耗电量。这些MAX16141二极管控制器通过开路双向电流阻断和开路双向电压将故障电源与负载隔离。 MAX16141控制器具有可为负载提供有限功率的低功耗模式,以及有助于在关断模式下降低功耗的内部开关 这些MAX16141二极管控制器还具有故障输出,可在故障条件下发出信号。典型应用包括汽车电源系统、网络/电信电源系统、RAID系统、服务器和以太网供电 (PoE) 系统。 特性 宽电源电压范围: 工作电压范围:3.5V至36V 保护电压范围:-36V至60V 消除了分立二极管功耗 低功耗关断模式可降低电池耗电量: ...
发表于 10-21 11:10 34次 阅读
MAX16141AAAF/VY+ Maxim Integrated MAX16141理想二极管控制器

MAX20006EAFOB/VY+ Maxim Integrated MAX2000xE汽车用降压转换器

Integrated MAX2000xE汽车用降压转换器集成了高侧和低侧MOSFET。MAX2000xE可提供高达8A电流,输入电压范围为3.5V至36V,空载时静态电流仅为15µA。通过观察RESET信号,用户可以监控电压质量。掉电情况下,MAX2000xE转换器以98%占空比运行,保持正常工作。得益于以上特性,MAX2000xE汽车用降压转换器非常适合用于汽车应用。 Maxim MAX2000xE汽车用降压转换器提供5V、3.9V或3.3V固定输出电压,器件内部具有补偿功能,可实现出色的瞬态响应。开关频率选项为400kHz或2.1MHz。该器件具有15μA超低静态电流,可提供强制固定频率模式和跳跃模式。通过引脚可选 (SSEN) 扩频协助设计人员进行EMC管理。 MAX20004E/MAX20006E/MAX20008E采用小型3.5mm x 3.75mm 17引脚FC2QFN封装,仅需极少外部元件。 特性 多功能、小尺寸 VIN工作范围:3V至36V 跳跃模式下的静态电流为15µA 同步直流-直流转换器,具有集成式FET 开关频率:400kHz至2.1MHz ...
发表于 10-21 10:58 69次 阅读
MAX20006EAFOB/VY+ Maxim Integrated MAX2000xE汽车用降压转换器

STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
发表于 05-21 05:05 68次 阅读
STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

ULN2801A ULN2801A八个达林顿阵列

达林顿晶体管具有共同发射极 输出电流500 mA的电流 输出电压至50V 积分抑制二极管 对于所有流行的逻辑系列版本 输出可以并联 输入钉扎相对输出到简化电路板布局 在ULN2801A,ULN2802A,ULN2803A和ULN2804A各自包含具有共同的发射器和用于电感性负载积分抑制二极管8个达林顿晶体管。每个达林顿设有一个峰值负载电流额定值600毫安(500 mA连续)的,并能承受至少50 V在关断状态。输出可以并联,以更高的电流能力。...
发表于 05-21 05:05 157次 阅读
ULN2801A ULN2801A八个达林顿阵列

AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
发表于 05-20 18:05 84次 阅读
AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 121次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
发表于 05-20 12:05 66次 阅读
STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
发表于 05-20 12:05 73次 阅读
STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
发表于 05-20 10:05 74次 阅读
STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 482次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 357次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 164次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 343次 阅读
NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 585次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 468次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 333次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 223次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器