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双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率

2020-07-10 17:22 次阅读

双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率,所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 %。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET®MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。

双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率

日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下,最大导通电阻分别为4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下,导通电阻分别为1.84 mW和2.57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间,是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点(POL)转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。

双MOSFET采用独特的引脚配置结构,电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %,此外,输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热,优化电路,简化PCB布局

SiZF300DT 经过100 % Rg和UIS测试,符合RoHS要求标准,无卤素

新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件电阻器电感器电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
       责任编辑:pj

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