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JEDEC定义了应用广泛的三类DRAM标准

电子工程技术 2020-06-08 16:54 次阅读

选择合适的存储器解决方案是满足目标系统对各种应用(从云计算和人工智能 (AI),再到汽车和移动应用)的功能和性能要求的关键。双数据速率同步动态随机存取存储器 (DDR SDRAM) 或 DRAM 已成为现实的技术,因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、几乎无限的存取耐力和低功耗等多种优势。DDR DRAM 可以根据系统要求以不同的形式使用——在双列直插式存储器模块 (DIMM) 上或作为分立 DRAM 解决方案中均可使用。DDR 分为三个主要类别,每个类别都有独特的功能,可帮助设计人员满足其目标片上系统 (SoC) 的功耗、性能和面积要求。图 1 显示了不同的 DDR 类别及其目标应用场景:    

图 1:JEDEC 定义了应用广泛的三类 DRAM 标准,以满足各种应用的设计要求   1

标准 DDR 面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用,支持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸。DDR4 是这一类别目前最常用的标准,支持高达 3200 Mbps 的数据速率。DDR5 DRAM 的运行速度高达 6400 Mbps,预计将在 2020 年问世。

2

移动 DDR (LPDDR) 适用于对面积和功耗非常敏感的移动和汽车应用。LPDDR 提供更窄的通道宽度和几种低功耗工作状态。LPDDR4 和 LPDDR4X 支持高达 4267 Mbps 的数据速率,是该类别中的常用标准。最大数据速率为 6400 Mbps 的 LPDDR5 DRAM 预计将于 2020 年问世。

3

图形 DDR (GDDR) 面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序,例如图形相关应用程序、数据中心加速和 AI。GDDR 和高带宽存储器 (HBM) 是这一类型的标准。

  LPDDR5 DRAM LPDDR4 DRAM
设备大小 2Gb至32Gb(每通道) 4、8和16 bank 设备 1k、2k 和 4k 页大小 2Gb至16Gb(每通道) 8 bank 设备 2k 页大小
速度 最高 6400 Mbps 最高 4266 Mbps
电压 1.8V DRAM 阵列 1.05V / 0.9V 内核 0.5V / 0.3 V I/O 1.8V DRAM 阵列 1.1V 内核 1.1V / 0.6V I/O

 

表格 1:LPDDR5 对比 LPDDR4/4X DRAM   LPDDR5 DRAM 可通过 DVS 支持两种内核和 I/O 电压:在较高频率下运行电压分别为 1.05V 和 0.5V,在较低频率下运行电压分别为 0.9V 和 0.3V。因此,LPDDR5 DRAM 支持内核和 I/O 电压的 DVS。   LPDDR5 的其他关键功能包括用于命令/地址 (C/A) 时钟 (CK) 的新型可扩展时钟架构,以简化 SoC 时序收敛;灵活的 DRAM 存储库架构模式,可根据流量模式实现最佳性能;决策反馈均衡器 (DFE) 以增加 DRAM 上的写入数据的余量,写入 X 功能可以节省功耗,以及链接 ECC 以增强存储器通道 RAS。以下部分将详细说明每个功能  用于简化时序收敛的新型可扩展时钟架构  C/A CK 通常以与所有先前 LPDDR 标准(LPDDR4/4X 及更早的标准)中的数据选通 (DQS) 相同的频率运行。这种时钟方案给 DRAM C/A 通道和 SoC 时序收敛都带来了巨大压力,因为 CK 是存储器通道上 C/A 通道的参考,并且 SoC 中的存储控制器通常以 CK 频率的一半,采用 DFI 1:2 比率模式在 DDR PHY 接口上运行。例如,LPDDR4/4X 的速度为 4267 Mbps,CK 和 DQS 的运行频率为 2133 MHz,而 C/A 的数据速率为 2133 Mbps,控制器时钟的运行频率为 1066 MHz。   这样的时钟方案无法以 LPDDR5 速度扩展。因此,LPDDR5 采用了新的时钟方案,其中 CK 以高于 3200 Mbps 的速度,按照数据选通频率的四分之一运行,而以低于 3200 Mbps 的速度,按照数据选通频率的一半运行。因此,即使在 6400 Mbps 的速率下,该时钟方案也要求 CK 仅以 800 MHz 的频率运行。这样可以降低 C/A 的运行速度(以 1600 Mbps 的速度运行,因为 C/A 可以在 LPDDR5 的 CK 速率的上升端和下降端(例如 DDR 类型)上都进行转换),从而大大提高了 C/A 通道的余量。同样,CK 减速使 SoC 不仅可以更有效地收敛时序,而且还可以提供更高的性能,因为控制器现在可以在 800 MHz 的 DFI 1:1 比率下工作。此外,LPDDR5 不支持传统的双向数据选通架构,而是引入了两个单向数据选通:用于写入操作的写入时钟 (WCK) 和用于读取操作的可选读取时钟 (RDQS)。系统可以选择无选通或单端选通来以较低的速度进行读取,同时节省功耗,当要想达到高速时,就需要采用差分选通 (RDQS/RDQS#)。          保证通道稳定性的单抽头 DFE  判决反馈均衡器 (DFE) 减少了对接收数据的符号间干扰 (ISI),从而提高了接收数据的余量。先前检测到的符号出现在正在检测的当前符号上,就会引发 ISI。LPDDR5 DRAM 将具有单抽头 DFE,以提高写入数据的余量,从而增强存储通道的稳定性。  Write X 降低功耗  Write X 是一种省电功能,允许系统将特定的位模式(例如全零模式)转变成连续的存储器位置,而无需切换通道上的 DQ 位。  用于防止通道噪声引起的错误的 Link ECC  Link ECC 可以恢复通道中发生的单比特传输错误。该数据与 ECC 一起由控制器发送到 LPDDR5 DRAM,并且在接收到数据/ECC 后,DRAM 会生成 ECC 并检查接收到的 ECC 是否相同。在将数据写入存储器阵列之前,任何单比特错误都将得到纠正。因此,Link ECC 是适合高速的强大 RAS 功能,可防止通道噪声引起的错误。  突发长度为 16 或 32 拍的灵活存储库架构  LPDDR5 DRAM 通过支持三种模式(Bank-Group 模式(4 个 Bank,4 Bank-Group),8 Bank 和 16 Bank)而具有灵活的存储库架构,供用户根据其流量模式选择。Bank-Group 模式适用于高于 3200 Mbps 的速度,并允许 16 和 32 拍的突发长度。8 Bank 模式支持突发长度为 32 拍的所有速度,而 16 Bank 模式则支持突发长度为 16 或 32 拍的 3200 Mbps 以下的速度。  用于进一步节约功耗的 3 种 FSP  与支持 C/A 和 DQ 的 2 个频率设定点 (FSP) 的 LPDDR4/4X DRAM 不同,LPDDR5 DRAM 具有用于 C/A 和 DQ 的 3 个 FSP。这使控制器能够以最少的切换时间快速切换三个频率,以实现最佳的功耗节约效果。如前所述,DFS 与 DVS 的结合使 LPDDR5 DRAM 成为对功耗敏感的应用的理想选择。    总结  存储器是用于移动设备、IoT、汽车和云数据中心等应用中的任何电子系统的重要组件。SoC 设计人员必须选择合适的存储器技术,才能提供必要的性能、容量、功率和面积。DDR 已成为现实的存储技术,可用于多种类别,包括标准 DDR 和低功耗 DDR (LPDDR)。最新的标准 LPDDR5 和 DDR5 以更低的功耗提供更高的性能。LPDDR5 的运行速度高达 6400 Mbps,具有许多低功耗和 RAS 功能,包括新颖的时钟架构、可简化时序收敛。数据速率高达 6400 Mbps 的 DDR5 DRAM 支持更高的密度,包括双通道 DIMM 拓扑以提高通道效率和性能。   Synopsys 提供了全面的存储器接口 IP 产品组合,支持 LPDDR 和 DDR 标准,包括最新的 LPDDR5 和 DDR5。DesignWare DDR IP全套解决方案包括 PHY、控制器和验证 IP,它们都支持最新标准的主要功能。Synopsys 的产品组合还包括硬化选项、信号完整性/电源完整性分析、验证模型、原型设计和仿真支持。    

原文标题:被三星、小米吹爆的LPDDR5到底是个啥?一文看懂它的功能

文章出处:【微信号:EngicoolArabic,微信公众号:电子工程技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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FAN5236 宽输入电压范围双通道输出/ DDR PWM / PFM控制器

FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

6 PWM控制器为两个输出电压提供高效率的调节,可调范围从0.9v至5.5V,这是高性能计算机,机顶盒以及VGA卡中的电源I / O,芯片组,存储器库所必需的。同步整流有利于在较宽的负载范围内获得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作为电流感测组件,效率还可进一步提高。斜坡调制,平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180°相位偏移的异相操作减少了输入电流纹波。控制器可通过激活专用引脚,转变成完全的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能,这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5026监控这些输出,并在软启动完成并输出在其设定点的±10%内时生成独立的PGx(电源正常)信号。压保护可防止输出电压超过其设定点的120%。过压条件停止后,会自动恢复正常操作。当输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时,欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时,可使用外部电流感测电阻。 特性 高灵活性,双同步开关PWM控...
发表于 04-18 22:35 120次 阅读
FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

03是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51403保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51403支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51403还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:45 37次 阅读
NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

10是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51510保持快速瞬态响应,并且只需要10uF的最小VTT负载电容即可实现输出稳定性。 NCP51510支持远程感应和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51510采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 支持最高3 A的负载(典型值) ),输出是过流保护 DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 具有热关断保护功能的集成MOSFET PGOOD输出引脚监视VTT输出调节状态 SS输入引脚用于暂停关闭模式 灵活电压跟踪的VRI输入参考 用于遥感的VTTS输入(开尔文连接) 内置软启动,欠压锁定 应用 DDR内存终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 电信/数据通信,GSM基站 图形处理器核心耗材 机顶盒,LCDTV / PDPTV,复印机/打印机 为芯片组/ RAM提供低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:45 49次 阅读
NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

00是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素.NCP51400保持快速瞬态响应,仅需要最小的输出电容20 F. NCP51400支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态响应 PGOOD - 监视VTT规则的逻辑输出引脚 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入允许灵活的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电信/数据通信,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:42 50次 阅读
NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

00是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51200保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51200支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51200还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 输入电压轨:支持2.5和3.3 V Rails PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态响应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规则 关闭模式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 遥感(VTTS) ) 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终止 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:42 43次 阅读
NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

01是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51401保持快速瞬态响应,仅需要20 F的最小输出电容.NCP51401支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51401还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:42 58次 阅读
NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

02是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51402保持快速瞬态响应,仅需要20μF的最小输出电容。 NCP51402支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51402还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 61次 阅读
NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51199 2安培DDR终端稳压器

99是一款线性稳压器,旨在为DDR-2和DDR-3存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够为DDR-2和DDR-3主动提供和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,同时将VTT输出电压调节到+ -10mV。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调节到跟踪VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支持低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容稳定 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软启动 待机或挂起模式关机 集成散热和CurrentLimit保护 应用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 39次 阅读
NCP51199 2安培DDR终端稳压器

NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

98是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热保护功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 机顶盒,数字电视,打印机 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作电台 显卡DDR内存终端 嵌入式系统 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 35次 阅读
NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

45是一款线性稳压器,旨在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够主动提供和吸收±1.8 A峰值电流,同时将输出电压调节到±20 mV以内。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调节,以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线路和负载瞬态提供超快速响应。其他功能包括源/灌电流限制,软启动和片上热关断保护。 特性 对于DDR VTT应用,源/汇电流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用仅陶瓷(极低ESR)电容器稳定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软件-Start 关机待机或挂起模式 集成热量和限流保护 应用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 32次 阅读
NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

90是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热保护的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作站 嵌入式系统 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:40 98次 阅读
NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调节器,适合DDR终止电轨等跟踪应用.V DDQ 输入包括一个可以减少总电路尺寸和元件数量的内部2 :1电阻分压器。该调节器在7 V到18 V的输入电压范围内工作,并支持4 A的连续负载电流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 连接在一起,绕开内部线性调节器,则该器件可以在5V电轨(±10%)下工作。该器件采用飞兆恒定导通时间控制结构,可提供出色的瞬态响应,并保持相对恒定的开关频率。开关频率和吸收过流保护功能可配置,为各种应用提供灵活的解决方案。输出过压和热关断保护功能可以保护器件在故障期间免受损害。热关断功能被激活后,达到正常工作温度时,滞后功能会重新启动器件。 特性 V IN 范围:在7 V到18 V时使用内部线性偏压稳压器 V IN 范围:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 连接到旁路内部调节器 高效率 连续输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 出色的线路和负载瞬态响应 输出电压范围:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可配置软...
发表于 04-18 21:09 80次 阅读
FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 127次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺...
发表于 04-18 20:05 162次 阅读
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 96次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 174次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 201次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
发表于 04-18 20:05 153次 阅读
TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 ...
发表于 04-18 20:05 254次 阅读
TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器