Power Integrations的适用于碳化硅(SiC) MOSFET的SIC118xKQSCALE-iDriver门极驱动器现已通过AEC-Q100汽车级认证。这款高效率单通道器件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求,并且集成了先进的安全和保护特性。
SIC1182KQ(1200 V)和SIC1181KQ(750 V)门极驱动器IC集成了PI革命性的FluxLink通信技术,可提供优异的绝缘能力,并且实现安全可靠、高性价比的300 kW以下逆变器设计。 主要特性包括:
SiC MOSFET优化的高级有源钳位(AAC)
原方和副方欠压保护(UVLO)
超快速短路检测
轨到轨输出电压且稳压
副方单极电源供电
碳化硅MOSFET技术有助于实现更轻便小巧的汽车逆变器系统。尽管SiC的开关速度和工作频率更高,但SCALE-iDriver的低门极电阻值可用来维持高开关效率,小于2 µs的短路关断时间可在发生故障时快速为系统提供保护。
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原文标题:适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过 AEC-Q100汽车级认证
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