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LPDDR和DDR有什么区别?

2020-04-07 10:07 次阅读

随着vivo推出iQOO 3和realme推出realme X50 Pro这两款都有着非常强悍的性能5G手机上市,人们开始关注性能优异的LPDDR5内存等一系列硬核配置。平常关注手机圈的玩家或多或少都知道LPDDR4X,而大部分人也都或多或少听过DDR2、DDR3、DDR4这些电脑上面用的内存。

LPDDR和DDR有什么区别?

可是DDR内存、LPDDR4X、LPDDR5这些内存究竟有什么区别呢?今天,我们来聊一聊什么是LPDDR5,LPDDR5和目前电脑上面用的DDR4有什么区别?到底能为我们带来什么价值和体验?

什么是LPDDR5?

LPDDR全程Lwo Power Double Data Rate,简称“低功耗内存”,是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存所指定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。而LPDDR5就是最新的标准。

美国固态技术协会吧LPDDR5标准命名为JESD209-5。标准规定了LPDDR5将以6400MT/S的速度运行,式LPDDR4速度的两倍,比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。

简单点来说,就是LPDDR5有三大优势,分别是多车道Bank Group架构,速率跨越式升级最多可达50%性能优势提升和超低功耗。

相比之下,LPDDR4X只支持Single Bank Group,而LPDDR5支持多Bank Group模式,这里可以理解为数据可以多通道传输,从而进一步提升了传输数据带宽。也正是因为Bank Group模式,从LPDDR4X的4226MT/S的传输速率提升至了5500MT/S,传输带宽从34GB/S提升至了44GB/S。

同时LPDDR5内部有三组电压,VDD1/VDD2/VDDQ,其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L,相比LPDDR4X,LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V,VDDQ由0.6V降至0.5V,另外还有新加入的DVFSC和DVFSQ功能,可在低速工作时切换至更低的0.9V和0.3V电压,因此,LPDDR5的功耗会更低。正是因为这样,所以功耗相比前一代产品,功耗下降了2成以上。

LPDDR和DDR有什么区别?

DDR全称Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器,严格的来讲,DDR应该叫DDR SDRAM。虽然美国固态技术协会2018年宣布正式发布DDR5标准,但实际上最终的规范要到2020年才能完成,其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍,速率3200MT/s起,最高可达6400MT/s,电压则从1.2V降至1.1V,功耗减少30%。

同时因为功耗和体积的优势,LPDDR内存一般会用在手机上和部分轻薄笔记本上,例如苹果的MacBook Air,采用的就是LPDDR3的内存,而一般的DDR内存一般会用在台式机和一般的笔记本上面。

LPDDR和DDR之间的关系非常密切,简单来说,LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的,LPDDR2实在DDR2的基础上演化而来的,LPDDR3则实在DDR3的基础上面演化而来的,以此类推。但是从第四代开始,两者之间有了差别或者说走上了不同的发展,主要因为DDR内存主要是通过提高核心频率从而提升性能,而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面,LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。

以目前使用量最高的DDR4和LPDDR4来举例,LPDDR4是通过两个16位通道组成的32位总线,而DDR4却具备原生64位通道,LPDDR4的Prefetch预读取位位16位,而DDR4为8位,所以在实际运算的过程中,DDR4的性能利用率会更高,丹LPDDR却可以用耕地的功耗来获得更高的理论性能。

所以,也不存在LPDDR5的技术比DDR5更先进,性能跟高这一说法,并且如果论性能的话,DDR的性能始终是高于同代的LPDDR内存的性能的。

LPDDR5究竟能带来什么?

按照说法,LPDDR5相比较于LPDDR4X,综合场景续航提升大约10%,玩游戏省电大约20%,微信视频和语音大约提升10%。相比较于LPDDR4X,搭载了LPDDR5内存的手机,在启动游戏或者加载应用的时候,速度会比之前快很多,更重要的是,手机的电量消耗会比使用LPDDR4X内存手机消耗更慢些。此外,内存越大,手机在重载和多应用环境下的优势就更加明显。

骁龙865+LPDDR5+UFS3.0这样的配置一定会成为今年旗舰机型的标配,不过也有部分机型可能会继续蔡邕LPDDR4X,具体搭载这两种不同内存的手机,在实际使用过程中会带来什么样的差距,还需要经过后续的实际测试来验证。

总结

总而言之,桌面级的DDR内存在技术升级方面要慢于移动端,LPDDR内存由于在便携设备的功耗占比比较高,况且同时还担负着显存这一身份的重任,技术的迭代对于手机性能和功耗有着巨大的影响,所以相比较于DDR内存,LPDDR内存更容易被用户感知。

因为和手机相比,电脑对功耗的要求没有那么高,也没有那么敏感,所以很多轻薄笔记本还在使用LPDDR3的内存,即使最新的英特尔处理器也只支持LPDDR4X内存,DDR5的正是规范标准今年才会完成制定,即使标准制定完成,今年也不会看到很多搭载DDR5内存的电脑。而LPDDR5则是今年绝大部分旗舰机型的标配,相比DDR5,LPDDR5会在很多手机上面看到。

而在性能方面,LPDDR和DDR各有千秋,比如LPDDR5目前在数据传输速率上,理论性能的确领先DDR4一个身位,但这并不代表LPDDR5一定比DDR4更强。

电子产品的进步总结下来一定是体积更小,性能更强,功耗更低。当然内存也不例外,无论是LPDDR内存还是DDR内存,或许有一天能通过极低的功耗,实现更高的性能。
       责任编辑:wv

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NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

00是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素.NCP51400保持快速瞬态响应,仅需要最小的输出电容20 F. NCP51400支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态响应 PGOOD - 监视VTT规则的逻辑输出引脚 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入允许灵活的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电信/数据通信,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:42 50次 阅读
NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

00是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51200保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51200支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51200还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 输入电压轨:支持2.5和3.3 V Rails PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态响应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规则 关闭模式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 遥感(VTTS) ) 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终止 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:42 41次 阅读
NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

01是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51401保持快速瞬态响应,仅需要20 F的最小输出电容.NCP51401支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51401还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:42 58次 阅读
NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

02是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51402保持快速瞬态响应,仅需要20μF的最小输出电容。 NCP51402支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51402还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 61次 阅读
NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51199 2安培DDR终端稳压器

99是一款线性稳压器,旨在为DDR-2和DDR-3存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够为DDR-2和DDR-3主动提供和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,同时将VTT输出电压调节到+ -10mV。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调节到跟踪VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支持低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容稳定 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软启动 待机或挂起模式关机 集成散热和CurrentLimit保护 应用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 39次 阅读
NCP51199 2安培DDR终端稳压器

NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

98是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热保护功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 机顶盒,数字电视,打印机 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作电台 显卡DDR内存终端 嵌入式系统 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 35次 阅读
NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

45是一款线性稳压器,旨在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够主动提供和吸收±1.8 A峰值电流,同时将输出电压调节到±20 mV以内。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调节,以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线路和负载瞬态提供超快速响应。其他功能包括源/灌电流限制,软启动和片上热关断保护。 特性 对于DDR VTT应用,源/汇电流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用仅陶瓷(极低ESR)电容器稳定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软件-Start 关机待机或挂起模式 集成热量和限流保护 应用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:41 32次 阅读
NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

90是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热保护的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作站 嵌入式系统 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:40 98次 阅读
NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调节器,适合DDR终止电轨等跟踪应用.V DDQ 输入包括一个可以减少总电路尺寸和元件数量的内部2 :1电阻分压器。该调节器在7 V到18 V的输入电压范围内工作,并支持4 A的连续负载电流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 连接在一起,绕开内部线性调节器,则该器件可以在5V电轨(±10%)下工作。该器件采用飞兆恒定导通时间控制结构,可提供出色的瞬态响应,并保持相对恒定的开关频率。开关频率和吸收过流保护功能可配置,为各种应用提供灵活的解决方案。输出过压和热关断保护功能可以保护器件在故障期间免受损害。热关断功能被激活后,达到正常工作温度时,滞后功能会重新启动器件。 特性 V IN 范围:在7 V到18 V时使用内部线性偏压稳压器 V IN 范围:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 连接到旁路内部调节器 高效率 连续输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 出色的线路和负载瞬态响应 输出电压范围:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可配置软...
发表于 04-18 21:09 78次 阅读
FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 125次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺...
发表于 04-18 20:05 162次 阅读
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 96次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 170次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 199次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
发表于 04-18 20:05 153次 阅读
TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 ...
发表于 04-18 20:05 254次 阅读
TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器