中国半导体技术新突破，成功研发3纳米晶体管

（文章来源：半导体投资联盟）

最近，国产芯片一直是个热议的话题，随着科技的发展，芯片在我们日常生活中的应用无处不在，最常见的就是我们的手机芯片。

手机芯片制造需要很高的工艺，指甲盖大小的芯片要集成几十万，甚至上百万的晶体管。一块芯片的制作大概需要以下几个流程，设计―制造―封装和检测，其中最难得就是制造这道工艺。目前全球比较出名的几家半导体公司，包括高通、三星、AMD、英特尔等，他们几乎垄断了整个市场。

华为近几年在芯片领域的研发不断投入巨资，不过目前的技术水平，可以勉强和上述几家公司竞争一下。

目前中国整个半导体的水平而言，和发达国家还是存在着不小的差距。单中国在刻苦研发的同时，国外竞争对手也没有停下研发的脚步，中国现在可以可以量产14纳米芯片，华为也已经设计出7纳米级别芯片，但国际顶尖水平目前已经开始筹备5纳米EUV芯片的量产。

还有一点要说的是：虽然华为可以设计出7 nm芯片，但是我们没有能力制造7nm的芯片啊，目前华为是有台积电代工芯片制造。

制造芯片的一个重要设备就是光刻机，目前顶级光刻机技术被荷兰的ASML垄断，购买他们的顶级光刻机都要提现一年预约，有时候有钱也买不到高级光刻机。芯片制造还有一个难点就是材质，目前芯片主要用硅基材料打造，大部分人认为7纳米是硅基材料芯片的物理极限，但随着7nm和5nm工艺的突破，摩尔定律的上限不断被拉高。

但是硅基材料最终还是要面对它的上限问题，如果半导体还想要更好的发现，那么就只能从其它材料下手。

前段时间，我国中科院微电子研究所传出了好消息，我国成功研发出了3纳米碳基晶体管，中科院微电子研究所先导中心和院重点实验室副主任殷华湘带领他的团队，将我国的芯片研发能力直接抬高了一个阶梯，中国将登上技术巅峰。

未来随着5G时代的普及，对于高性能芯片的需求将与日俱增，无论是时下热门的无人驾驶、人工智能、还是万物互联，都要依托于强大芯片才能够实现。随着5G的技术来临，电子产品的爆发式增长，这个时候中国能够将芯片的研发制造能力提上来，显得极为重要，这是我们能够与西方发达国家在半导体领域缩短差距，甚至是一较高下的最好时机。
（责任编辑：fqj）