功率场效应晶体管
功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。在实际应用中,它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
功率场效应晶体管的三个引脚符号
场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D。
功率场效应晶体管优点
1、具有较高的开关速度。
2、 具有较宽的安全工作区而不会产生热点,并且具有正的电阻温度系数,因此适合进行并联使用。
3、具有较高的可靠性。
4、 具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。
5、具有较高的开启电压,即是阈值电压,可达2~6V(一般在1.5V~5V之间)。当环境噪声较高时,可以选 用阈值电压较高的管子,以提高抗干扰能力;反之,当噪声较低时,选用阈值电压较低的管子,以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。
6、由于它是电压控制器件,具有很高的输入阻抗,因此其驱动功率很小,对驱动电路要求较低。由于这些明显的优点,功率场效应晶体管在电机调速,开关电源等各种领域应用的非常广泛。
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本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
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